ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有3480项专利

  • 披露了一种量测传感器系统,诸如一种位置传感器。所述系统包括:光学收集系统,所述光学收集系统配置成收集来自衬底上的量测标记的衍射或散射辐射,所收集的辐射包括至少一个参数敏感信号和非参数敏感的噪声信号;处理系统,所述处理系统能够操作以处理所...
  • 一种方法包括:获得逻辑数学模型,所述逻辑数学模型预测使用图案形成过程产生的实体结构的形成;评估所述逻辑数学模型,以预测所述实体结构的一部分的形成并产生一输出;以及基于所述输出来调适所述图案形成过程的一方面。
  • 一种浸没式光刻设备包括:支撑台(WT),配置成支撑具有至少一个目标部分(C)的物体(W);投影系统(PS),配置成将图案化的束投影至所述物体上;定位器(PW),配置成相对于所述投影系统移动所述支撑台;液体限制结构(12),配置成使用通过...
  • 一种测量衬底的属性的方法,衬底在其上形成有多个目标,该方法包括:使用光学测量系统测量多个目标中的N个目标,其中N是大于2的整数,并且所述N个目标中的每一个目标被测量Wt次,其中Wt是大于2的整数,以便获得N*Wt个测量值;以及使用Q个方...
  • 对准系统将激光束与参考平面中的期望位置和参考平面中的期望方向对准。该系统将激光衍射成不同的衍射级,使用不同的透镜将不同的衍射级投影到检测平面上。由于不同的衍射级在检测平面中的投影的部位对束在参考平面中的位置和方向的变化做出不同的响应,因...
  • 一种用于监测来自量测装置的照射的特性的方法,该方法包括:使用量测装置在量测装置的不同焦点设置下获取光瞳图像;以及计算所获取的每个光瞳图像的不对称性值;其中每个光瞳图像是在衬底的目标的至少一个边缘上获取的。
  • 本申请公开了一种光学元件、辐射系统及光刻系统。该光学元件包括:主体;反射性表面,所述反射性表面设置于所述主体上以用于接收辐射束以便形成束斑区域和反射的辐射束;和移动机构,所述移动机构能够操作以移动所述主体使得所述束斑区域遵循周期性路径在...
  • 披露了一种用于光刻设备的支撑台、一种加载衬底的方法、一种光刻设备和一种用于使用光刻设备来制造器件的方法。在一种布置中,支撑台(100)被配置成用以支撑衬底(W)。所述支撑台包括基部表面(101)。所述基部表面当所述衬底由所述支撑台支撑时...
  • 通过光刻过程形成重叠量测目标(T)。使用具有第一角度分布的辐射照射目标结构,获得所述目标结构的第一图像,所述第一图像是通过使用在第一方向(X)上衍射的辐射和在第二方向(Y)上衍射的辐射而形成。使用具有第二角度照射分布的辐射照射所述目标结...
  • 本发明涉及激光产生等离子体EUV光源中的源材料输送的设备和方法。公开了气体被引起与源材料的流动平行地流动以形成气体罩的装置和方法。气体罩可以保护源材料的流动以免被气体的横流破坏。气体罩还可以通过使源材料的辐照期间所形成的等离子体泡变形使...
  • 衬底设置有器件结构和量测结构(800)。器件结构包括展现出对一个或多个波长的激发辐射的非弹性散射的材料。器件结构包括在一个或多个尺寸上足够小以致非弹性散射的特性显著地受量子约束的影响的结构。量测结构(800)包括在组成和尺寸上类似于器件...
  • 净化用于生成极紫外辐射的系统中的光学元件(30)的导电表面的装置和方法,其中导电表面被使用作为用于生成净化该表面的等离子体的电极。
  • 重叠测量(OV)基于由光刻过程而形成的目标结构的衍射光谱中的不对称性。目标结构之间的叠层差异可被认为是光栅不平衡性(GI),且所述重叠测量的准确度可被降级。一种预测GI灵敏度的方法是利用相对衍射阶使用目标结构的第一图像和第二图像(45+...
  • 公开了用于测量通过光刻过程在衬底上形成的结构的量测设备和方法。在一种布置中,光学系统利用辐射照射所述结构并检测被所述结构散射的辐射。光学系统包括第一发散元件(121)。第一发散元件使仅仅来自光瞳平面场分布的第一部分(41)的散射辐射沿着...
  • 一种方法包括:获得用于图案化过程的抗蚀剂过程剂量敏感度值;将抗蚀剂过程剂量敏感度值应用于随机模型,所述随机模型提供作为抗蚀剂过程剂量敏感度的函数的随机变量的值,以获得所述随机变量的值;以及基于随机变量的值来设计或修改图案化过程的参数。
  • 一种改变衬底蚀刻过程的蚀刻参数的方法,所述方法包括:在蚀刻之前进行与衬底上的结构相关的第一度量的第一测量;在蚀刻之后进行与衬底上的结构相关的第二度量的第二测量;以及基于所述第一测量与所述第二测量之间的差改变所述蚀刻参数。
  • 一种方法,包括:获得具有多个设计图案多边形的器件设计图案布局;由计算机自动识别所述器件设计图案布局中的多边形的单位单元;识别所述器件设计图案布局内所述单位单元的多次出现以构建层级;和由所述计算机通过将设计用于所述单位单元的光学邻近校正重...
  • 描述了一种确定量测系统的优化操作参数设定的方法。执行自由形式晶片形状测量(304)。应用一模型(306),以将测得的翘曲变换成模型化翘曲缩放值(308)。将晶片夹持在光刻设备中的卡盘上,使得晶片变形。使用具有四个对准测量颜色的扫描仪对准...
  • 公开了一种测量系统,其中,第一光学系统将输入辐射束分隔成多个分量。调制器接收所述多个分量并以独立于所述多个分量中的至少一个其它分量的方式将调制施加至所述多个分量中的至少一个分量。第二光学系统利用所述多个分量照射目标并将被所述目标散射的辐...
  • 一种辐射分析系统,包括:目标,所述目标包括彼此分离的两个标记,所述目标被配置成在用辐射照射时经历热膨胀;位置测量系统,被配置为测量标记的间隔中的变化;以及处理器,被配置为使用所测量的标记的间隔中的变化来确定辐射的功率。