【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量测设备、光刻系统和测量结构的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年12月8日提交的欧洲申请16202927.6的优先权，该欧洲申请通过引用全文并入本文。
本专利技术涉及一种用于测量通过光刻过程在衬底上形成的结构的量测设备、一种光刻系统和一种测量通过光刻过程在衬底上形成的结构的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在IC的单层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。在光刻过程中，经常期望对所产生的结构进行测量，例如用于过程控制和验证。已知用于进行这种测量的各种工具，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜和用于测量重叠的专用工具，重叠是器件中的两个层的对准的准确度的度量。可依据两个...
【技术保护点】
1.一种量测设备，用于测量通过光刻过程在衬底上形成的结构，所述量测设备包括：光学系统，配置成利用辐射照射所述结构并且检测由所述结构散射的辐射，所述光学系统包括：第一发散元件，配置成使仅仅来自光瞳平面场分布的第一部分的散射辐射沿着第一发散方向以光谱形式发散；和第二发散元件，与所述第一发散元件分离，配置成使仅仅来自所述光瞳平面场分布的第二部分的散射辐射沿着第二发散方向以光谱形式发散，所述光瞳平面场分布的第二部分与所述光瞳平面场分布的第一部分不同。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.08 EP 16202927.61.一种量测设备，用于测量通过光刻过程在衬底上形成的结构，所述量测设备包括：光学系统，配置成利用辐射照射所述结构并且检测由所述结构散射的辐射，所述光学系统包括：第一发散元件，配置成使仅仅来自光瞳平面场分布的第一部分的散射辐射沿着第一发散方向以光谱形式发散；和第二发散元件，与所述第一发散元件分离，配置成使仅仅来自所述光瞳平面场分布的第二部分的散射辐射沿着第二发散方向以光谱形式发散，所述光瞳平面场分布的第二部分与所述光瞳平面场分布的第一部分不同。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一发散方向相对于所述光瞳平面场分布与所述第二发散方向相反。3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，所述第一发散方向和所述第二发散方向平行于所述第一部分的镜面对称线和所述第二部分的镜面对称线。4.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述光学系统配置成将来自以光谱形式发散的第一部分的散射辐射引导到第一透镜阵列上，并将来自以光谱形式发散的第二部分的散射辐射引导到第二透镜阵列上。5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第一透镜阵列配置成将辐射聚焦到第一检测器上，所述第二透镜阵列配置成将辐射聚焦到第二检测器上。6.根据权利要求4或5所述的设备，其中：所述第一透镜阵列位于其中形成有所述光瞳平面场分布的以光谱形式发散的第一部分的平面中，所述第二透镜阵列位于其中形成有所述光瞳平面场分布的以光谱形式发散的第二部分的平面中。7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述第一发散元件和所述第一透镜阵列相对于所述第二发散元件和所述第二透镜阵列被布置成使得形成于所述第一透镜阵列的平面中的光瞳平面场分布的以光谱形式发散的第一部分围绕两个正交的对称平面与形成于所述第二透镜阵列的平面中的光瞳平面场分布的以光谱形式发散的第二部分镜面对称。8.根据前述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述光学系统包括束旋转装置，所述束旋转装置配置成在将来自所述光瞳平面场分布的第一部分的辐射引导至所述第一发散元件之前和在将来自所述光瞳平面场分布的第二部分的辐射引导至所述第二发散元件之前使所述光瞳平面场分布旋转预定角度。9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述预定角度使得所述第一发散方向和所述第二发散方向平...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·潘迪，A·E·A·科伦，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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