【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量测传感器、光刻设备和用于制造器件的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2016年12月19日递交的欧洲申请16204922.5的优先权，该欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及能够用于例如使用光刻技术制造器件的方法和设备，并且涉及使用光刻技术制造器件的方法。本专利技术更具体地涉及量测传感器，并且更具体地涉及用于确定标记在衬底上的位置的位置传感器和方法。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，可替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用以产生待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个管芯或多个管芯)上。通常经由到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的成像来进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。这些目标部分通常被称作“场”。在制造复杂器件时，通常执行许多光刻图案化步骤，由此在衬底上的连续层中形成功能特征。因此，光刻设备的性能的一个关键方面是相对于先...
【技术保护点】
1.一种量测传感器系统，包括：光学收集系统，所述光学收集系统配置成收集来自衬底上的量测标记的衍射辐射或散射辐射，被收集的辐射包括至少一个参数敏感信号和至少一个噪声信号；处理系统，所述处理系统能够操作以处理所述被收集的辐射；模块壳体，所述模块壳体容纳所述处理系统；至少一个光导，所述至少一个光导用于将与所述至少一个噪声信号分离的所述至少一个参数敏感信号从所述处理系统引导到所述壳体外部的检测系统；以及至少一个检测器，所述至少一个检测器能够操作以检测分离的所述至少一个参数敏感信号。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.19 EP 16204922.51.一种量测传感器系统，包括：光学收集系统，所述光学收集系统配置成收集来自衬底上的量测标记的衍射辐射或散射辐射，被收集的辐射包括至少一个参数敏感信号和至少一个噪声信号；处理系统，所述处理系统能够操作以处理所述被收集的辐射；模块壳体，所述模块壳体容纳所述处理系统；至少一个光导，所述至少一个光导用于将与所述至少一个噪声信号分离的所述至少一个参数敏感信号从所述处理系统引导到所述壳体外部的检测系统；以及至少一个检测器，所述至少一个检测器能够操作以检测分离的所述至少一个参数敏感信号。2.如权利要求1所述的量测传感器系统，包括位于所述壳体外部的至少一个遮蔽件。3.如权利要求2所述的量测传感器系统，其中，所述遮蔽件位于所述光导与所述检测器之间。4.如权利要求3所述的量测传感器系统，其中，所述遮蔽件位于所述光导的输出面的光瞳平面中。5.如权利要求4所述的量测传感器系统，包括限定所述光瞳平面的光学系统。6.如权利要求5所述的量测传感器系统，其中，所述光学系统能够操作以在所述被收集的辐射被所述至少一个检测器检测之前缩小所述被收集的辐射。7.如权利要求3至6中任一项所述的量测传感器系统，所述量测传感器系统针对多个通道中的每一个通道包括检测器、光导和遮蔽件，每一个通道用于检测不同的参数敏感光学信号。8.如权利要求2至7中任一项所述的量测传感器系统，其中，所述遮蔽件至少选择性地能够操作以阻挡所述至少一个噪声信号。9.如权利要求2至8中任一项所述的量测传感器系统，其中，所述遮蔽件选择性地能够切换到所述参数敏感信号的路径中。10.如权利要求2至9中任一项所述的量测传感器系统，其中，所述遮蔽件的大小、形状和/或灰阶强度是可调整的。11.如权利要求1所述的量测传感器系统，其中，所述至少一个检测器包括用于检测所述至少一个参数敏感信号的至少第一检测元件和用于检测所述至少一个噪声信号的至少第二检测元件。12.如权利要求11所述的量测传感器系统，包括在所述光导与所述至少一个检测器之间的光学器件，所述光学器件能够操作以将所述至少一个参数敏感信号引导到所述第一检测元件，并且将所述至少一个噪声信号引导到所述第二检测元件。13.如前述权利要求中任一项所述的量测传感器系统，其中，所述处理系统包括用于处理在第一波长范围内的所述被收集的辐射的第一处理子系统和用于处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：塞巴斯蒂安努斯·阿德里安努斯·古德恩，N·潘迪，D·阿克布卢特，亚历山德罗·波洛，S·R·胡伊斯曼，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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