公开了一种确定衬底上目标的特性的方法以及对应的量测设备和计算机程序。该方法包括根据成对的互补像素确定多个强度非对称性测量，成对的互补像素包括目标的第一图像中的第一图像像素和目标的第二图像中的第二图像像素。从由目标散射的第一辐射获得第一图...

一种用于对物体进行定位的定位系统。定位系统包括工作台、平衡质量块和致动器系统。工作台用于保持物体。致动器系统被布置为在第一方向上驱动工作台，同时在与第一方向相反的第二方向上驱动平衡质量块。工作台在移动范围内在所述第一方向上可移动。当工作...

一种光刻设备包括被被配置为投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统。光刻设备进一步包括加热设备，包括被配置为提供在曝光期间照射并加热衬底一部分的额外的辐射束的一个或多个辐射源。

一种调整图案化叠层的方法，所述方法包括：定义函数，该函数对代表与转印到衬底上的图案化叠层中的图案有关的物理特性的参数如何受到图案化叠层变量的变化的影响进行度量，所述图案化叠层变量代表所述图案化叠层的材料层的物理特性；通过硬件计算机系统来...

本公开的实施例提供了用于提高半导体制造产率的系统和方法。本公开的实施例提供了一种产率提高系统。该系统包括训练工具，该训练工具被配置为基于第一衬底的检查的一个或多个经验证的结果的接收而生成训练数据。该系统还包括点确定工具，该点确定工具被配...

一种光刻设备中的对准传感器，包括被配置为在第一波段(例如，500‑900nm)和/或第二波段(例如，1500‑2500nm)中选择性地传递、收集和处理辐射的光学系统(500；600)。第一波段和第二波段的辐射在光学系统的至少一些部分中共...

一种确定对准标记(29)在衬底上的位置的方法，该对准标记(29)包括第一段(29a)和第二段(29b)，该方法包括用辐射照射对准标记，检测由对准标记衍射的辐射并且生成作为结果的对准信号。对准信号包括仅在第一段照射期间接收的第一分量(光束...

公开了量测设备和方法。在一个设置中，量测设备包括使用测量辐射照射结构并且检测由结构散射的测量辐射的光学系统。光学系统包括将被散射的测量辐射聚焦至传感器上的透镜的阵列。色散元件将在多个非重叠波长频带的每一个中的经散射的测量辐射独占地引导至...

一种方法涉及通过从衬底的特性的值中去除光刻设备对所述特性的贡献以及一个或多个光刻前工艺设备对所述特性的贡献，来确定在已经由一个或多个工艺设备根据图案化工艺处理所述衬底之后的所述一个或多个工艺设备对所述衬底的所述特性做出的贡献。

本发明涉及一种定位系统，所述定位系统包括第一主体、第二主体、布置在第一主体和第二主体之间的致动器以相对于第二主体定位第一主体；其中所述致动器包括串联布置的第一压电致动器和第二压电致动器，其中第一压电致动器具有第一迟滞，其中第二压电致动器...

公开了用于处理具有相干性的辐射束的装置和方法。在一种布置中，光学系统接收具有相干性的辐射束。辐射束包括分布在一个或多个辐射束空间模式之上的分量。波导支持多个波导空间模式。光学系统将属于共同辐射束空间模式并且具有不同频率的辐射束的多个分量...

公开了一种重建在衬底上通过光刻过程形成的结构的特性的方法，以及相关的量测设备。该方法包括将与光刻过程相关的第一参数的测量值组合以获得第一参数的估计值；以及使用第一参数的估计值和结构的测量值重建与结构的特性相关的至少第二参数。组合步骤可以...

本发明涉及一种光刻设备，包括：‑基部框架(10)，适于将所述光刻设备(1)安装在支撑表面(9)上；‑投影系统(20)，所述投影系统包括：‑力框架(30)，‑光学元件(21)，所述光学元件能够相对于所述力框架移动，‑传感器框架(40)，所...

披露了一种测量目标的方法、一种相关联的衬底、一种量测设备和一种光刻设备。在一种布置中，所述目标包括分层结构。所述分层结构具有在第一层中的第一目标结构和在第二层中的第二目标结构。所述方法包括利用测量辐射照射所述目标。检测由多个预定衍射阶之...

描述了一种配置成处理多个衬底的直接写入曝光设备，所述设备包括：衬底保持器，所述衬底保持器配置成保持具有可用图案化区域的衬底；图案形成系统，所述图案形成系统配置成将不同图案投影到所述衬底上；处理系统，所述处理系统配置成：确定待施加于所述多...

一种在辐射源中使用的碎片减少系统。所述碎片减少系统包括污染物陷阱。所述污染物陷阱包括碎片接收表面，所述碎片接收表面被布置成接收从辐射源的等离子体形成区域发射的液态金属燃料碎片。所述碎片接收表面由下述材料构成：该材料与所述液态金属燃料碎片...

一种光刻设备，包括：支撑结构，所述支撑结构被构造成支撑图案形成装置和相关的表膜，所述图案形成装置能够在辐射束的横截面中赋予所述辐射束图案以形成图案化的辐射束；和投影系统，所述投影系统被配置成将所述图案化的辐射束投影至衬底的目标部分上，其...

一种曝光设备被描述，所述曝光设备包括：衬底保持器，构造成支撑衬底；图案形成装置，配置成提供根据所期望的图案来调制的辐射，所述图案形成装置包括多个辐射源模块的阵列，所述多个辐射源模块的阵列被配置成将已调制的辐射投影到所述衬底上多个曝光区的...

描述了一种用于提供准确的且鲁棒性的测量光刻特征或量测参数的方法和设备。所述方法包括为量测目标的多个量测参数中的每一个量测参数提供一个范围的值或多个值，为多个量测参数中的每一个量测参数提供约束，并且通过处理器计算以在所述一个范围的值或多个...

光刻过程是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的工艺。在光刻过程中，需要控制聚焦。公开了一种用于确定与衬底相关的性能参数的指纹的方法，例如在光刻过程期间要使用的聚焦值。确定参考衬底的性能参数的参考指纹。确定参考衬底的参考...