一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜具有不大于200nm的厚度并且包括叠层，所述叠层包括：至少一个硅层；和至少一个硅化合物层，由硅和选自由硼、磷、溴组成的组中的元素的化合物组成。

一种设备，包括：用于调节辐射束的照射系统；用于支撑图案形成装置的支撑件，图案形成装置能够在辐射束的截面中向辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束；被构造为保持衬底的衬底台；用于将经图案化的辐射束投射到衬底的目标部分上的投射系统；以及控制系...

校正(CPE)被计算用于在控制光刻设备(100)时使用。使用计量设备(140)，测量(200)先前已经被施加光刻工艺的一个或多个衬底上的采样位置处的性能参数。将工艺模型拟合(210)到测量的性能参数，并且针对衬底上的工艺引起的效应提供上...

本发明涉及一种振动隔离器(VI)，其包括：基座(10)；耦合到振动敏感物体的耦合元件(20)；去耦质量(30)；布置在基座(10)与去耦质量(30)之间的第一振动隔离器部分(31)；以及布置在去耦质量(30)与耦合元件(20)之间的第二...

本发明提供了一种辐射源，包括：贮存器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮存器流体连接，配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料的流；激光器，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中产生用于产生辐射的等离子体；...

一种自由电子激光器FEL包括波荡器24，产生相干EUV辐射，接收上游电子束EB2并发射下游电子束EB4，和至少电子源21a、21b，能够操作以产生上游电子束EB1、EB2，上游电子束EB1、EB2包括电子聚束。束路径配置为：引导上游电子...

本发明公开了一种电子束检查设备，该设备包括：多个电子束柱(600)，每个电子束柱配置成提供电子束且检测来自物体的散射电子或二次电子；和致动器系统(600，610)，其配置成使所述电子束柱中的一个或更多个相对于所述电子束柱中的另外的一个或...

一种放射性同位素生产设备(RI)包括被布置成提供电子束(E)电子源。该电子源包括电子注入器(10)和电子加速器(20)。该放射性同位素生产设备(RI)进一步包括：目标支撑结构，其被配置成保持目标(30)；和分束器(40)，其被布置成沿第...

公开了一种用于量测装置的照射系统和一种包括这种照射系统的量测装置。照射系统包括照射源；以及线性可变滤波器装置，被配置为对来自上述照射源的辐射束进行滤波并且包括一个或多个线性可变滤波器。照射系统可操作用于在辐射束被线性可变滤波器装置滤波之...

公开了一种测量目标的方法、相关联的光刻方法和光刻单元。该方法包括：在衬底上在一个或多个先前层之上的当前层中通过光刻工艺对结构的曝光之后，测量所述目标，其中所述一个或多个先前层均已经经历蚀刻步骤，所述目标仅被包括在所述一个或多个先前层中的...

描述了一种用于确定具有前表面和后表面并且设置有图案的物体的变形的测量系统，该测量系统包括：处理器；以及包括光源和检测器系统的干涉仪系统；光源被配置为向物体上的多个位置中的每个位置发射测量光束，以便分别在相应的多个位置中的每个位置处生成离...

检查设备(140)测量通过光刻工艺形成在衬底上的目标结构(T)的不对称性或其他属性。对于一组给定照射条件，所述测量的精度受到跨越整个衬底上和/或在衬底之间的工艺变化的强烈影响。该设备被配置成在所述照射条件的两个或更多个变量(p1‑，p1...

一种致动器系统(AS)配置成定位物体(OJ)，所述致动器系统包括压电式致动器(PA)，所述压电式致动器包括致动器接触表面(ACS)。所述压电式致动器置成经由所述致动器接触表面将力(F)施加至所述物体上。所述致动器系统还包括光学位置传感器...

一种方法以及相关联的设备和计算机程序，用于确定针对图案化工艺的感兴趣参数(诸如临界尺寸)的校正。该方法包括确定针对曝光控制参数的曝光控制校正，并且可选地基于结构的感兴趣参数的测量值、曝光控制关系和工艺控制关系来确定针对工艺控制参数的工艺...

散射计执行目标结构的一个或更多个参数的基于衍射的测量。为了平行进行双色测量，该结构与具有第一波长和第一角度分布的第一辐射(302)、具有第二波长和第二角度分布的第二辐射(304)同时被照射。收集路径(CP)包括分段的波长选择滤光器(21...

一种方法，包括：通过组合由图案化工艺处理的衬底上的第一变量的指纹和第一变量的特定值，来计算衬底的图案的或针对衬底的图案的第一变量的值；以及至少部分基于第一变量的所计算的值来确定图案的第二变量的值。

一种曝光装置，包括：衬底保持器，所述衬底保持器被构造成支撑衬底；图案形成装置，所述图案形成装置被配置成提供根据所需图案而调制的辐射，所述图案形成装置包括辐射源的多个二维阵列，每个辐射源被配置成发射辐射束；投影系统，所述投影系统被配置成将...

本发明披露一种图案形成设备，包括：衬底保持器，所述衬底保持器被构造成支撑衬底；粒子产生装置，所述粒子产生装置被配置成在所述图案形成设备中产生粒子，所述粒子产生装置被配置成将所述粒子淀积至所述衬底上以在所述衬底上形成粒子层；和所述图案形成...

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备具有检查设备，该检查设备具有利用波长为2‑40nm的照射辐射的照射系统。该照射系统包括光学元件，该光学元件...

公开制造隔膜组件的方法。在一个布置中，堆叠结构包括平面衬底和至少一个隔膜层。所述平面衬底包括内部区、围绕所述内部区的边界区、围绕所述边界区的桥接区及围绕所述桥接区的边缘区。选择性地去除所述内部区及所述桥接区的第一部分。在去除之后的所述隔...