一种方法包括：将辐射的照射束投影到衬底上的量测目标上；检测从衬底上的量测目标反射的辐射；和基于检测到的辐射来确定衬底上的特征的特性，其中，可控地选择检测到的辐射的偏振状态，以优化检测到的辐射的品质。

本发明提供了一种处理衬底的方法，包括：提供衬底，所述衬底在所述衬底的表面上具有光敏材料层；和从光敏材料层的外边缘周围去除光敏材料，并控制所述去除以在衬底的表面上遗留的光敏材料层周围产生具有径向宽度的边缘，其中所述光敏材料的厚度变化，形成...

提供一种工艺，该工艺包括：获得布局，所述布局至少部分地指定通过图案化过程和蚀刻过程转移到衬底上的图案；以及利用一个或更多个处理器修改所述布局以包括蚀刻辅助特征，该蚀刻辅助特征大于图案化过程的分辨率极限且小于蚀刻过程的分辨率极限，该蚀刻辅...

一种用于净化用于EUV光源的靶材料的脱氧系统包括炉子，该炉子具有中央区域和用于以均匀方式加热中央区域的加热器。容器被插入炉子的中央区域，并且坩埚设置在容器内。封闭装置覆盖容器的开口端以形成具有真空和压力能力的密封。该系统还包括气体输入管...

本发明提供了一种源收集器设备，所述源收集器设备包括：燃料液滴生成器，配置成生成从所述燃料液滴生成器的出口朝向等离子体形成部位引导的燃料液滴流；护罩，构造和布置用于保护所述燃料液滴流；和检测设备，构造和布置用于在燃料液滴流沿着所述护罩通过...

描述一种电磁电动机，该电磁电动机包括：磁体组件，被配置为生成在第一方向上具有节距Pm1并且在第二方向上具有节距Pm2的二维交变磁场；线圈组件，被配置为与磁体组件协作以在第一方向上生成第一力并且在第二方向上生成第二力，其中线圈组件包括第一...

一种衬底台(WT)配置成支撑衬底(W)以在浸没光刻设备中进行曝光，所述衬底台包括：支撑体(30)，所述支撑体具有被配置成支撑所述衬底的支撑表面(31)；和盖环(130)，所述盖环相对于所述支撑体是固定的并且被配置成在平面视图中看围绕支撑...

一种用于从被配置为支撑衬底的支撑台卸载衬底的方法，该方法包括：经由支撑台中的多个气流开口向支撑台的基面与衬底之间的间隙供应气体，其中在初始卸载阶段期间，通过支撑台的外部区域中的至少一个气流开口而不是通过支撑台的在外部区域的径向向内的中央...

一种方法，包括：利用具有第一偏振的第一辐射束(940)照射量测目标(T)的至少第一周期结构(1010)，利用具有不同的第二偏振的第二辐射束(950)照射量测目标(T)的至少第二周期结构(1000)，将从第一周期结构(1010)衍射的辐射...

一种用于测量关于用于在设备的操作期间处理生产衬底的所述设备中的条件的测量衬底，该测量衬底包括：主体，具有与所述设备相兼容的尺寸；内嵌在所述主体中的多个传感器模块，每一传感器模块包括：传感器，配置成产生模拟测量信号；模数转换器，用以从该模...

一种用于EUV光刻术的隔膜组件(80)，所述隔膜组件包括：平面的隔膜(40)；边框(81)，配置成保持隔膜；和框架组件(50)，连接到边框并且被配置成附接到用于EUV光刻术的图案形成装置(MA)；其中框架组件在垂直于隔膜的平面的方向上连...

一种抗蚀剂材料、光刻图案化方法以及氧化物的用途，所述抗蚀剂材料包括氧化物，所述氧化物包括选自由下列元素构成的组中的至少一种元素：Ta、Re、Os、Ir、Ni、Cu和Zn，其中，所述抗蚀剂材料对于具有小于11nm的波长的EUV光具有敏感性。

液滴发生器，诸如在EUV辐射源中使用，以及相关的EUV辐射源和光刻设备。液滴发生器可以包括用于发射燃料作为液滴的喷嘴组件，喷嘴组件处于与液滴发生器内的燃料压力基本上相同的压力下的加压环境内。液滴发生器可以包括致动器，致动器与泵室接触并且...

公开了一种射束测量系统(30)、光刻系统和方法。在一种布置中，射束测量系统(30)用于确定激光产生等离子体辐射源的等离子体(7)、等离子体的图像和收集器(5，20)中的一项或多项的属性。射束测量系统包括被配置为接收从收集器输出的辐射束(...

一种操作光刻设备的方法，该光刻设备包括：投影系统，配置成提供曝光辐射，用以使在投影系统下方的衬底形成图案；第一平台，配置成支撑第一衬底；第二平台，配置成支撑第二衬底；和第三平台，容纳包括传感器和清洁装置中的至少一个的部件；其中，该方法包...

一种形貌测量系统，包括：辐射源；第一光栅；成像光学装置；移动机构；检测光学装置；第二光栅；和检测器。所述辐射源被配置成产生包括紫外辐射的辐射束，且包括用以产生紫外辐射的发光二极管。所述第一光栅被配置成图案化所述辐射束。所述成像光学装置被...

一种在生成EUV光的同时去除靶材料碎片沉积物的系统和方法，包括：在EUV容器中靠近靶材料碎片沉积物原位生成氢自由基，并且使靶材料碎片沉积物挥发并且在EUV容器中不需要含氧物质的情况下，净化来自EUV容器的挥发的靶材料碎片沉积物。

本发明涉及一种包括流体处理结构的光刻浸没设备以及一种器件制造方法。在实施例中，流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域并且包括气刀系统，所述气刀系统包括每个具有出口的通道，所述通道包括具有多个对应的第一出口的多个第一通道和具有多个对应...

公开了一种具有包括采用非氢气态材料的物种(例如离子、能量中性原子)注入的区域的氢扩散阻挡层的EUV系统。也公开了一种制造该部件的方法，该方法包括注入非氢气态材料的物种以形成氢扩散阻挡层的步骤，以及还公开了一种处理EUV系统元件的方法，该...

性能测量目标用于在处理多个衬底之后测量光刻过程的性能。在设定阶段，该方法通过参考图案形成过程的预期参数从多个候选标记类型中选择对准标记类型和对准选配方案。在使用图案形成过程曝光多个测试衬底之后，通过比较由参考技术测量的图案形成过程的性能...