本公开包括以分层的方式描述形状的多种方法以及这种分层式描述的使用。具体地，本公开包括一种方法，该方法包括：针对于形状拟合第一阶的一个或更多个子形状；确定所述拟合的误差；以及针对于该误差拟合第二阶的一个或更多个子形状。

一种方法包括：获得由目标重新定向的测量辐射的多个辐射分布，多个辐射分布中的每个辐射分布在目标和测量设备的光学元件之间的不同间隙距离处被获得，光学元件是用于向目标提供测量辐射的、距离目标最近的光学元件；以及结合描述测量目标的数学模型，使用...

本发明涉及减少光刻工艺中的掩模版加热和/或冷却的影响的方法，包括步骤：使用系统辨识方法来校准线性时不变掩模版加热模型；使用所述掩模版加热模型和光刻工艺中的输入来预测掩模版的变形；和基于所预测的掩模版的变形来计算和应用光刻工艺中的校正。

一种光刻设备包括：衬底台，用于保持衬底；和投影系统，用于将辐射束投影到所述衬底的目标区域上以便在所述衬底上形成图像。所述投影系统包括具有第一透镜元件的透镜元件布置。第一压力传感器被布置用于测量邻近于所述第一透镜元件的至少一个压力值。控制...

一种测量光刻工艺的参数的方法，该方法包括：利用辐射照射衬底上的衍射测量目标，测量目标包括至少第一子目标、至少第二子目标和至少第三子目标，其中第一、第二和第三子目标均包括周期性结构，并且其中第一、第二和第三子目标均具有不同的设计，并且其中...

一种用于制造用于EUV光刻的隔膜组件(80)的方法，所述方法包括：设置叠层(40)，所述叠层包括介于支撑衬底(41)与附接衬底(51)之间的隔膜层(45)，其中所述支撑衬底包括内部区和第一边界区；加工所述叠层，包括选择性地移除所述支撑衬...

计算出在浸没光刻设备中支撑衬底的衬底支撑结构的路线以满足下列约束：在所述衬底的边缘首先接触浸没空间之后，所述衬底保持与所述浸没空间接触直至曝光所有目标部分为止；在所述衬底在扫描方向上移动的同时执行目标部分的曝光；和在曝光之间的所述衬底的...

一种形貌测量系统包括：辐射源，配置为产生辐射束；空间编码光栅，配置成对辐射束进行图案化并由此提供空间编码辐射束；光学装置，配置为在衬底上的目标部位处形成空间编码光栅的图像；检测光学装置，配置成接收从衬底的目标部位反射的辐射并且在第二光栅...

本发明中公开了一种方法。所述方法包括：从由图案化过程所产生的衬底的一部分测量所述图案化过程的能够直接测量的处理参数的值；获得所述能够直接测量的处理参数与不能够直接测量的处理参数之间的关系；和根据所述能够直接测量的处理参数的所述值和所述关...

公开了一种用于测量光刻过程的参数的量测设备，以及相关的计算机程序和方法。该量测设备包括光学系统和透镜阵列，所述光学系统通过利用测量辐射照射衬底上的目标并检测由目标散射的测量辐射来测量目标。阵列中的每个透镜都能够操作，以将散射的测量辐射聚...

一种用在光刻设备中并且配置成支撑衬底的衬底保持器(WT)，该衬底保持器包括：主体(20)，具有主体表面；多个突节(21)，从主体表面突出，其中，每个突节都具有配置成与衬底接合的远端，突节的远端的形状大致与支撑平面保持一致，由此使得衬底能...

一种光刻设备包括被配置用于确定包括周期性结构的对准目标的位置的对准传感器。对准传感器包括解多路复用器(700)以解多路复用多个强度通道(一个示出为在光纤702处的输出)。解多路复用器包括串联设置的多个级以及许多解多路复用部件(706，7...

在激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)系统中，通过激光脉冲照射液滴来在室中产生等离子体。这会生成使得等离子体不稳定的力，并且使得随后液滴随着其接近等离子体而改变其飞行轨迹和速度。可以从所生成的EUV能量的量的振荡检测该不稳定性。为...

光刻设备使用高度传感器(LS)来获得表示跨衬底(718)的形貌变化的高度传感器数据(722)。使用(730)高度传感器数据来控制器件图案在跨衬底的多个位置处的聚焦。控制器标识高度传感器数据被判断为可靠的一个或多个第一区域(A)以及高度传...

本发明描述了一种用于传感器的初始化方法，传感器被配置成使用相应的多个不同的测量参数来执行对象的属性的多个测量，该多个测量中的不同的测量使用不同的测量参数，方法包括：‑基于该多个测量估计属性的特性，特性包括由相应的加权系数加权的该多个测量...

用于调节辐射的强度的设备(60)。所述设备包括光栅(61)，所述光栅用于接收辐射束(Ba)并用于将所述辐射束的至少一部分沿第一方向以第一反射辐射束(Ba0)的形式引导；以及一个或更多个第一致动器，所述致动器可操作以旋转所述光栅，用于调节...

一种光刻设备(100)包括被配置用于支撑图形化装置(110)的图形化装置支撑结构(104)，被配置用于提供跨图形化装置的表面的气流(114)的气体入口(116)，以及被配置用于基于设定点调节气流温度的温度调节装置(134)。设备也包括被...

一种光刻设备，包括：被构造为保持衬底的衬底台；以及被配置为感测设置到由衬底台保持的衬底上的对准标记的位置的传感器。传感器包括被配置为用辐射束照射对准标记的辐射源、被配置为检测已经与对准标记相互作用的辐射束作为离焦光学图案的检测器、以及数...

通过从观测的衍射辐射进行的重构来测量结构(900)的参数。方法包括以下步骤：(a)限定结构模型以在二维或三维模型空间中表示所述结构；(b)使用所述结构模型来模拟辐射与所述结构的相互作用；和(c)重复步骤(b)且同时变化所述结构模型的参数...

衬底具有通过光刻工艺形成在其上的第一目标结构和第二目标结构，光刻工艺包括至少两个光刻步骤。每个目标结构具有形成在单个材料层中的二维周期性结构，其中在第一目标结构中，在第二光刻步骤中限定的特征相对于在第一光刻步骤中限定的特征移位第一偏差量...