一种方法，包括以下步骤：接收包括掩模和由表膜框架保持的可去除的EUV透明表膜的掩模组件，将表膜框架和EUV透明表膜从掩模上去除，使用检查工具检查掩模上的掩模图案以及随后将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至掩模。方法还可以包括以下步骤：...

一种辐射源，适于提供辐射束至光刻设备的照射器。辐射源包括：喷嘴，配置成沿轨迹朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的束流。辐射源配置成接收第一辐射量辐射，使得在使用中第一辐射量辐射入射到等离子体形成位置处的燃料液滴上，并使得在使用中第一辐射量...

一种适合用于光刻工艺中的掩模组件，所述掩模组件包括：图案形成装置；和表膜框架，所述表膜框架被配置用以支撑表膜且利用安装件而安装在所述图案形成装置上；其中所述安装件被配置成用以相对于所述图案形成装置悬置所述表膜框架，使得所述膜框架与所述图...

衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度...

一种方法包括根据目标的测量值来确定目标的结构不对称的类型，以及执行目标的光学测量的模拟以确定与不对称类型相关联的不对称参数的值。一种方法包括执行目标的光学测量的模拟以确定与根据目标的测量值确定的目标的结构不对称的类型相关联的不对称参数的...

在暗场成像模式中使用散射仪来测量诸如重叠等非对称性相关参数。使用相同的光学路径进行小光栅目标的测量，其中目标处于两个定向以获得对+1和‑1衍射阶的单独测量。以此方式，避免了强度标度差异(工具非对称性)。然而，无法避免在光学系统中由杂散光...

一种方法包括：对于由光刻图案形成装置的图案的辐射进行的照射，获得由所述图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息；以及基于该波前相位信息且使用计算机处理器来调整照射的参数和/或调整该图案的参数。

一种方法包括：获得由光刻图案形成装置的图案的三维形貌导致的波前相位信息；以及基于该波前相位信息且使用计算机处理器来调整该图案的物理参数。

一种方法包括：获得由光刻图案形成装置的图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息；和基于该计算的波前信息且使用计算机处理器来计算图案形成装置的图案的三维形貌的成像效应。

一种方法包括：测量光刻图案形成装置的图案的特征的三维形貌；和根据测量结果计算由图案的三维形貌所导致的波前相位信息。

文中公开了几种方法，用在图案形成过程中，用于减小设计布局的一部分的Bossung曲线的倾斜、一个或多个图案位移误差、对比度损失、最佳聚焦偏移，所述图案形成过程用于使用光刻设备将所述部分成像到衬底上。所述方法包括：使用一个或多个规则，基于...

公开了一种抗蚀剂组合物，其包括具有有着选自ABX3、A2BX4或ABX4的化学式的结构的钙钛矿材料，其中A是包含NH3基团的化合物，B是金属并且X是卤化物组分。钙钛矿材料可以包括以下成分中的一种或多种：混合卤素的钙钛矿材料；混合金属的钙...

用于适合于光刻过程中使用的掩模组件的加工，所述掩模组件包括：图案形成装置；和表膜框架，被配置用以支撑表膜且利用安装件而安装于所述图案形成装置上；其中所述安装件在所述图案形成装置与所述表膜框架之间提供可释放式的可接合附接。

一种用于光刻设备的流体处理结构被配置成将浸没流体容纳至一区域，流体处理结构在空间的边界处具有：至少一个气刀开口，在从该空间沿径向向外的方向上；和至少一个气体供应开口，在相对于该空间从至少气刀开口沿径向向外的方向上。气刀开口和气体供应开口...

公开了一种EUV光源靶材料处理系统，其包括靶材料分配器和靶材料贮存器，其中通过使用感应加热将靶材料贮存器中的固体靶材料转换为液体形式的靶材料。

基于目标的图像的强度测量目标结构的属性。方法包括(a)获得目标结构的图像；(b)限定(1204)多个候选感兴趣区域，各候选感兴趣区域包括在图像中的多个像素；(c)至少部分基于在感兴趣区域内的像素的信号值来限定(1208，1216)用于候...

披露了一种用于光刻设备的支撑台、一种加载衬底的方法、一种光刻设备和一种用于使用光刻设备来制造器件的方法。在一种布置中，支撑台(100)被配置成用以支撑衬底(W)。所述支撑台包括基部表面(101)。所述基部表面当所述衬底由所述支撑台支撑时...

本公开是计算机执行的方法，用于为器件制造过程确定设计布局的一部分上的感兴趣的区域的重叠过程窗口(OPW)，所述器件制造过程用于在衬底上成像所述部分，所述方法包括：获得所述感兴趣的区域中的多个特征；获得所述器件制造过程的一个或多个处理参数...

用于监测用于光刻设备的辐射源中的蒸气或来自蒸气的沉积物的电容性测量。测量可以用于控制辐射源的操作。在一个特定布置中，来自多个电容器的测量用于在由蒸气引起的电容上的改变与由来自蒸气的沉积物引起的电容上的改变之间进行区分。

一种诸如聚光反射镜之类的反射式EUV光学器件配置作为间隔开以在相邻琢面之间形成相应间隙的琢面阵列。间隙用作气体流过琢面的一个的入口以使得平行于光学器件表面而引入流体。琢面可以形成具有偏移以使得可以最小化EUV光学器件的反射面积的损失。气...