一种光刻设备，包括：具有光轴(O)的投影系统(PS)；具有环境气体的外壳(EN)；及容纳于所述外壳中的物理部件(WT)，其中：所述光刻设备配置用于使所述物理部件沿预定方向(SC)且在垂直于所述光轴的平面内经历相对于所述外壳的移动；所述光...

生成初始辐射脉冲；提取初始辐射脉冲的一段以形成修改辐射脉冲，修改辐射脉冲包括第一部分和第二部分，第一部分在时间上连接到第二部分，并且第一部分的最大能量小于第二部分的最大能量；修改辐射脉冲的第一部分与靶材相互作用以形成修改靶；并且修改辐射...

一种极紫外光系统包括光学放大器系统和光学转化系统。光学放大器系统的每个光学放大器包括形式为产生放大光束的气体混合物的形式的增益介质。光学放大系统包括气体混合物可以流过其中的流体输入和流体输出。催化转化系统流体地连接至所述光学放大器系统的...

本发明公开了一种光刻设备和可编程图案形成装置，包括被配置用于以根据所需图案调制的多个束将衬底的曝光区域曝光的调制器和被配置用于将被调制的束投影到所述衬底上的投影系统。所述调制器包括多个VECSEL或VCSEL。投影系统可以包括以Liss...

本发明公开了一种支撑衬底(W)的表面的支撑台(WT)，其中所述支撑台包括：基部表面(22)，所述基部表面与衬底的表面基本上平行；多个凸起(20)，所述多个凸起突出于基部表面之上，所述多个凸起中的每一个凸起具有各自的末端和高于基部表面的第...

一种光刻设备包括：衬底台、曝光后处理模块、衬底处理机器人及干燥站。所述衬底台被配置成支撑衬底用于曝光过程。所述曝光后处理模块是用于在曝光后处理所述衬底。所述衬底处理机器人被配置成将所述衬底从所述衬底台沿着衬底卸载路径转移至所述曝光后处理...

本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低...

在激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)系统中，使用激光脉冲产生EUV光。为了确定单独的激光脉冲的能量，使用校准系数将光电磁(PEM)检测器校准至功率计。当测量包括单个波长的脉冲的单一激光束时，基于脉冲的突发来计算校准系数。组合激光...

本发明涉及包括可移动对象、致动器系统和控制系统的对象定位系统。可移动对象相对于基准可移动。致动器系统被配置成在对象上的力施加位置处向对象施加力以便相对于基准移动可移动对象。控制系统被配置成相对于基准定位对象的兴趣点。控制系统被配置成基于...

本发明涉及提供一种用于光刻设备的温度调节系统。对象中的温度变化引起对象变形，这阻碍了对象被精确定位。温度调节系统使用对象中或上的设置有流体的导管系统以控制对象的温度，从而减小对象变形。以这种方式，可以更精确地定位对象的部分。然而，对象的...

来自图案形成装置(M)的图案通过光刻设备(LA)被施加至衬底(W)。所施加的图案包括产品特征和量测目标(600，604)。量测目标包括用于使用X射线散射(量测设备104)测量重叠的大目标(600a)和用于通过可见辐射的衍射(量测设备10...

一种光刻设备包括：通道(46)，用于两相流从其中通过，其中通道形成在块体内，所述块体具有第一材料(100)；第二材料(160)，介于第一材料和通道之间，其中第二材料具有大于第一材料的比热容的比热容；和第三材料(90)，介于第二材料和通道...

本文公开了一种计算机执行的用于改进光刻过程的方法，所述光刻过程用于使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像在衬底上并且用于通过蚀刻过程将所述设计布局的被成像的部分转移到衬底上，所述方法包括以下步骤：针对蚀刻过程的多种变化中的每一种变化，确...

由光刻工艺形成度量目标，每个目标包括底部光栅和顶部光栅。可以通过使用辐射照明每个目标并且观测衍射辐射中非对称性而度量光刻工艺的重叠性能。选择度量配方和目标设计的参数以便于最大化重叠测量的精度而不是可重复性。方法包括计算在(i)表示由顶部...

一种修改光刻设备的方法，光刻设备包括用于提供辐射束的照射系统，用于支撑图案化装置以在其截面中赋予辐射束图案的支撑结构，用于在图案化装置处投影辐射束的具有第一放大倍率的第一透镜，用于保持衬底的衬底工作台，以及用于在衬底的目标部分处投影图案...

一种用于极紫外(EUV)光源的系统包括光学放大器(206)，包含定位在光束路径上的增益介质(207)，光学放大器被配置为在输入端处接收光束并且在输出端处发射输出光束以用于EUV光源；反馈系统(215)，测量输出光束的性质并基于所测量的性...

本文公开了一种计算机实施的缺陷预测方法，其用于涉及将设计布局的一部分处理到衬底上的器件制造过程，所述方法包括：从所述设计布局的所述部分识别出热点；针对所述热点确定所述器件制造过程的处理参数的取值范围，其中在所述处理参数的值位于所述取值范...

描述了一种曝光方法，该方法包括以下步骤：a)将第一图案转移到衬底的多个目标部分中的每一个上，第一图案包括至少一个对准标记；b)测量多个对准标记的位置，并且针对多个对准标记中的每一个，将对准标记位移(dx，dy)确定为对准标记的相应预定标...

一种用于补偿光刻设备的曝光过程中的曝光误差的方法，光刻设备包括衬底台，该方法包括：获得剂量测量，剂量测量指示到达衬底水平面的IR辐射的剂量，其中剂量测量能够用来计算曝光过程期间由光刻设备中的物体吸收的IR辐射的量；以及使用剂量测量来控制...

一种与光刻设备一起使用的系统，所述系统被配置用于处理衬底，其中所述系统适于连接至气体源(30)，所述系统包括：衬底通过的空间(105)；和用于将所述空间与源于所述空间外部的热负载热绝缘的热屏蔽件(110)，所述热屏蔽件包括：第一壁(11...