一种确定使用光刻过程而产生的结构内的边缘定位误差的方法，所述方法包括如下步骤：(a)接收包括使用所述光刻过程而产生的第一结构的衬底，所述第一结构包括第一层及第二层，所述层中的每个层具有导电材料的第一区域及非导电材料的第二区域；(b)接收...

一种用于确定在衬底上的第一光栅和第二光栅之间的重叠误差的方法，所述第二光栅位于第一光栅的顶部上，第二光栅具有与第一光栅大致相同的节距，第二光栅和第一光栅形成复合光栅，所述方法包括：提供第一照射束，用于在入射角度下沿着所述衬底的表面在第一...

本发明披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法，该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数；和使用所述工艺参数来确定或预测利用所述器件制...

本发明披露了一种确定空间图像或抗蚀剂图像的特性的随机变化与一个或更多个设计变量之间关系的方法，所述方法包括：针对所述设计变量的多组值中的每组值从多个空间图像和/或抗蚀剂图像测量出所述特性的值；针对所述设计变量的多组值中的每组值，从针对设...

公开了气体被引起与源材料的流动平行地流动以形成气体罩的装置和方法。气体罩可以保护源材料的流动以免被气体的横流破坏。气体罩还可以通过使源材料的辐照期间所形成的等离子体泡变形使得等离子体泡不会太接近物理罩来限制源材料所通过的物理罩的发热并且...

一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦距依赖性；以及检测由目标重定向的辐射，以对于该目标获...

一种琢面反射器(32,32”)，用于接收入射辐射束(2)并引导反射辐射束至目标。琢面反射器包括多个琢面，多个琢面中的每个琢面都包括反射表面。多个琢面的第一子集的每个琢面的反射表面限定第一连续表面的对应部分，并且被配置为在第一方向上反射入...

一种多层反射镜，具有有着包括顶层和一系列双层的多层结构的盖，每个双层具有吸收体层和间隔体层，其中用于顶层、吸收体层和间隔体层的材料被选取成抗起泡。

本发明披露了用于根据一种或更多种晶片对准模型在衬底上执行测量操作的设备和方法。所述一种或更多种晶片对准模型选自多种候选晶片对准模型。所述设备可以是光刻设备，包括外部接口，所述外部接口使得能在所述测量操作之前实现所述晶片对准模型的选择和/...

公开了一种检查方法和设备以及相关光刻设备。检查方法包括使用选择波长的检查辐射照射结构，结构是包括多个层的类型(例如3D存储器结构)。检测得到的衍射信号，从所述衍射信号确定所述层的子集的物理属性。确定了所述物理属性的层的子集取决于检查辐射...

在靶位置处提供靶材料，靶材料包括当被转换成等离子体时发射极紫外光的材料，并且靶材料沿着第一方向在第一限度内和沿着第二方向在第二限度内延伸；将放大光束沿着传播方向朝向靶位置引导；和使放大光束聚焦在焦平面中，其中靶位置在焦平面之外并且放大光...

衬底台(WT)支撑衬底保持件(WH)，衬底(W)被夹持到衬底保持件(WH)以用于曝光。所述衬底台(WT)具有多个e销(30)，所述多个e销与所述衬底保持件的中心间隔开并且绕所述衬底保持件的中心分布以用于在曝光之前将衬底接纳和降低至所述衬...

一种衬底具有通过光刻工艺形成在其上的三个或更多叠置光栅。每个叠置光栅具有已知的叠置偏置。叠置偏置的值包括例如在居中于零点上区域中的两个值，以及居中在P/2上区域中的两个值，其中P是光栅的节距。使用不同的叠置偏置值的认知以及在叠置和目标非...

一种用以对例如镜进行位移的致动器通过改变两个电磁体(370)中的电流来提供具有至少两个自由度的移动。运动部件包括具有磁面的永磁体(362)，该磁面被约束为在基本上位于与磁体的磁化方向垂直的第一平面中的工作区域上运动。电磁体具有基本上位于...

一种重构过程包括测量通过光刻工艺形成在衬底上的结构，确定用于生成模型化图案的重构模型，计算并最小化包括模型误差的多变量成本函数。由讨厌参数导致的误差基于通过概率密度函数描述的讨厌参数的行为的统计描述被建模。从统计描述计算在平均模型误差和...

公开了用于确定光刻投影设备的聚焦位置校正量的方法和相关设备。所述方法包括：在测试衬底上曝光多个全局校正场，每个全局校正场包括多个全局校正标记，且每个校正标记被用在其上的倾斜的聚焦位置偏置曝光；测量多个全局校正标记中的每个全局校正标记的依...

描述了一种量测目标设计的方法。该方法包括：确定量测目标设计的参数对于光学像差的灵敏度、基于所述灵敏度与光学系统的像差的乘积确定在对于量测目标设计的参数的影响与对于使用光刻设备的光学系统进行曝光的产品设计的参数的影响之间的差异。该方法还包...

描述了一种量测目标设计的方法。所述方法包括确定量测目标设计的参数对过程参数的扰动的灵敏度，所述过程参数用于形成所述量测目标、或测量所述量测目标的构成；并且基于灵敏度与至少一个过程参数的扰动的乘积之和来确定所述量测目标设计的鲁棒性。

一种量测目标设计的方法被描述。所述方法包括提供对于量测目标的设计参数的范围或多个值，并且利用处理器，在对于所述设计参数的所述取值范围或多个值内，通过求解和/或采样，来选择具有满足对于所述量测目标的设计参数而言的约束条件的一个或更多的设计...

形成与靶区域(230)至少部分一致的第一剩余等离子体(227a)；将包括处于第一空间分布的靶材料(220b)的靶提供至靶区域，靶材料包括当被转换成等离子体时发射EUV光的材料；第一剩余等离子体与初始靶(220a)相互作用，相互作用使靶材...