一种设备，包括具有内壁的室和在室内的区域，当设备处于操作中时污染材料从该区域发出。多个叶片被定位在内壁的一部分上，每个叶片具有沿着在叶片与区域之间的方向被定向的第一表面和与第一表面相邻的第二表面，第二表面被定向成使撞击第二表面的污染材料...

本发明涉及一种被配置用于确定具有边缘(WE)的衬底(W)的位置的传感器系统(PSS)。所述传感器系统包括：被布置用于发射辐射束(LB)的辐射源(LS)，反射元件(RE)，检测器装置(DD)和具有用于支撑衬底的支撑表面的衬底台(PWT)。...

一种衬底支座(1)，包括：配置用于支撑衬底(W)的衬底支撑位置(4)，以及配置用于在衬底支撑位置上夹持衬底的真空夹持装置(7)，其中真空夹持装置包括用于产生减压的至少一个减压源(8)，连接至该至少一个减压源的至少一个真空区段(9)，其中...

本发明公开了一种用于调整光刻设备中的线宽粗糙度(LWR)的计算机实施的方法，所述方法包括：接收对于在光刻过程中通过使用图案形成装置将被成像到衬底上的图案的多个不同特征中的每个特征的LWR和/或图像对数斜率(ILS)的值；和评价包括光刻参...

一种光刻设备，包括用于重定向辐射束例如EUV束的反射器(15)。使用控制器和定位系统控制反射器的位置。定位系统包括非补偿致动器装置(300)和用于补偿非补偿致动器装置的寄生力的补偿致动器装置(200)。定位系统和控制器可以提供反射器的更...

在使用小目标的暗场量测方法中，使用单一衍射级获得的目标的图像的特性通过将组合拟合函数拟合至所测量的图像而被确定。组合拟合函数包括被选择用于表示物理传感器和目标的各个方面的项。基于测量过程和/或目标的参数确定组合拟合函数的一些系数。在一实...

为确定图案形成装置的变形和/或图案形成装置的偏移位置提供了一种系统和方法。所述系统包括：第一感测子系统，所述第一感测子系统测量图案形成装置上的多个参考标记的各自的位置；和第二感测子系统，所述第二感测子系统测量图案形成装置的边缘相对于支撑...

一种用于清洁对象(W)的装置，该装置包括：对象支撑件(16)，用于支撑对象；低压室(15)，用于在对象被布置在对象支撑件上时将对象的第一表面暴露于低压；电极(23a，23b)，被布置为在对象被布置在对象支撑件上时与对象的第一表面相邻且与...

本文描述了一种计算机执行方法，用于改善使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像在衬底上的光刻过程，所述光刻投影设备包括照射源和投影光学装置，所述方法包括：获得源形状和掩模离焦值；优化光刻过程的剂量；优化用于照射源的多个狭缝位置中的每一个的...

本发明披露一种载台定位系统(200)，包括：第一本体(20)；第二本体(22)；及联接件(24)，所述联接件(24)被布置成用以将该第一本体与该第二本体彼此联接。所述联接件包括被布置用以将所述第一本体与所述第二本体彼此联接的粘弹性元件(...

这里公开了一种改进光刻工艺的计算机实施的方法，光刻工艺用于使用光刻投影设备将设计布局的一部分成像到衬底上，该方法包括：计算作为光刻工艺的特性的多个设计变量的多变量代价函数；以及通过调整设计变量直到满足预定义终止条件来重新配置光刻工艺的特...

净化用于生成极紫外辐射的系统中的光学元件(30)的导电表面的装置和方法，其中导电表面被使用作为用于生成净化该表面的等离子体的电极。

本发明涉及一种光刻设备，包括：第一物体；第二物体，可沿移动方向相对于第一物体移动；一组缆线和/或管材，布置于所述第一物体和所述第二物体之间；引导筒，用以引导所述一组缆线和管材，所述引导筒可绕垂直于所述移动方向延伸的旋转轴线旋转；筒定位装...

一种光刻设备使用光学投影系统将图案施加到衬底上。该光刻设备包括光学水平传感器(LS)和相关联的处理器以在施加所述图案之前获得衬底表面的高度图(h(x，y))。控制器在施加所述图案时控制投影系统的聚焦。处理器还被布置成使用关于在先前施加到...

本发明公开了一种光刻系统，包括：具有失真投影系统(PS)的光刻设备(LA)；和辐射源(SO)，所述辐射源被配置为在等离子体形成位置(4)处生成发射EUV辐射的等离子体，发射EUV辐射的等离子体在基本上垂直于辐射源(SO)的光轴(OA)的...

本发明公开了一种光刻设备，包括：支撑结构，所述支撑结构被构造为支撑掩模，所述掩模包括图案化区域，所述图案化区域能够将图案在EUV辐射束的横截面内赋予EUV辐射束以形成图案化的辐射束，其中所述支撑结构在扫描方向上能够移动；衬底台，所述衬底...

公开了一种测量用于涉及光刻术的制造过程的过程参数的方法。在所公开的布置中，所述方法包括在衬底上的区域中进行对于重叠误差的第一测量和第二测量、以及基于对于重叠误差的第一测量和第二测量获得过程参数的量度。对于重叠误差的第一测量被设计成对所述...

公开了一种设计目标布置的方法，以及相关的目标和掩模版。所述目标包括多个光栅，每个光栅包括多个子结构。所述方法包括步骤：定义目标区域；将所述子结构定位在所述目标区域内，以便形成所述光栅；和在所述光栅周边处定位辅助特征，所述辅助特征配置成减...

本发明提供一种包括阻挡系统(3)的光刻设备，及使用如所描述的光刻设备中的任一个的器件制造方法。所述阻挡系统用以维持阻挡装置(4)内的气体的受保护体积。可在所述光刻设备的不同部件相对于彼此而移动时维持所述受保护体积。所述阻挡系统可用于所述...

一种计算机执行的、用于器件制造过程的缺陷预测方法，所述器件制造过程涉及由光刻设备处理的生产衬底，所述方法包括：使用训练组来训练分类模型，所述训练组包括与由所述器件制造过程所处理的生产衬底相关联的过程参数的测量值或确定值以及关于与在所述处...