稠密特征的热点的减少制造技术

本发明专利技术公开了一种用于调整光刻设备中的线宽粗糙度(LWR)的计算机实施的方法，所述方法包括：接收对于在光刻过程中通过使用图案形成装置将被成像到衬底上的图案的多个不同特征中的每个特征的LWR和/或图像对数斜率(ILS)的值；和评价包括光刻参数和LWR和/或ILS的值的成本函数以确定光刻参数的值，该光刻参数的值(i)减小不同特征的LWR和/或ILS之间的偏置，或(ii)减小不同光刻设备之间的不同特征的LWR和/或ILS的差异，或(iii)减小不同图案形成装置之间的不同特征的LWR和/或ILS的差异，或(iv)从(i)至(iii)中选择的任何组合。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年5月2日递交的美国临时申请61/988,029的权益，并且通过引用将其全部内容并入到本文中。
本描述涉及减少稠密特征的热点和减小稠密特征的线宽粗糙度的方法和设备。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所谓的步进机中，每个目标部分通过一次将整个图案曝光到目标部分上来辐照每个目标部分；以及所谓的扫描器，在所谓的扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐照每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成装置转移到衬底上。
技术实现思路
在一方面中，提供了一种用于调整光刻设备中的线宽粗糙度(LWR)的由计算机实施的方法，所述方法包括：接收针对于在光刻过程中将使用图案形成装置被成像到衬底上的图案的多个不同特征中的每个特征的LWR和/或图像对数斜率(ILS)的值；和评价包括光刻参数和LWR和/或ILS的值的成本函数以确定光刻参数的值，该光刻参数的值(i)减小不同特征的LWR和/或ILS之间的偏置，或(ii)减小不同光刻设备之间的不同特征的LWR和/或ILS的差，或(iii)减小不同图案形成装置之间的不同特征的LWR和/或ILS的差，或(iv)从(i)至(iii)中选择的任何组合。在一方面中，提供了一种用于调整光刻系统中的线宽粗糙度(LWR)的由计算机实施的方法，所述方法包括：接收针对于由照射源所形成的图案中的一组不同特征的图像对数斜率(ILS)值；和调节光刻系统参数以优化不同特征的图像对数斜率(ILS)值之间的偏置来减小线宽粗糙度(LWR)。附图说明现在将参考附图详细描述实施例，其被提供作为示例性的示例以便于使得本领域技术人员实施实施例。注意到，下文的附图和示例不是要将范围限制于单个实施例，而是可以通过互换所描述的或所图示的元件中的一些或全部来获得其它实施例。在便利的情况下，相同的参考标记将在整个附图中用于表示相同或相类似的部件。图1示意性地示出光刻设备的一实施例；图2示意性地示出光刻单元或簇(cluster)的一实施例；图3示意性地示出相位调整器，该相位调整器配置成改变横穿光刻设备的投影系统的电磁波的相位；图4示意性地示出包含在相位调整器中的光学元件；图5示意性地示出包含在相位调整器中的光学元件的温度可控部分；图6示意性地示出包括多个单独可控元件的空间辐射调制器；图7是模拟模型的示例性方块图；图8是示出光刻模拟模型的功能模块的示例性方块图；图9显示优化涉及光刻设备的制造过程的一般性方法的流程图；图10显示优化制造过程的方法的流程图，在该制造过程中交替地执行所有设计变量的优化；图11示意性地示出稠密特征的作为焦点的函数的图像对数斜率和CD的图表；图12示出在最佳焦点(dF＝0)和离焦(dF＝+/-30nm)处的对于单个泽尔尼克系数的水平和竖直稠密特征的模拟ILS偏置；和图13示意性地示出在光刻系统中调整线宽粗糙度(LWR)的方法的流程图。具体实施方式在更详细地描述实施例之前，呈现实施例可以实施的示例环境是有意义的。图1示意地示出了光刻设备LA。所述设备包括：-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，DUV辐射或EUV辐射)；-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于根据特定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；-衬底台(例如晶片台)WTa，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据特定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和-投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述图案形成装置支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述图案形成装置支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述图案形成装置支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。这里使用的任何术语“掩模版”或“掩模”可以看作与更为上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应该注意的是，赋予辐射束的图案可能不与衬底的目标部分上的所需图案精确地对应(例如，如果所述图案包括相移特征或所谓的辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻技术中是熟知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。这里使用的术语“投影系统”可以广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的任何术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多台(例如，两个或更多的掩模台、两个或更多的图案形成装置支撑结构、或衬底台和量测台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。所述光刻设备还可以是这种类型：其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体(例如水)覆盖，以便填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备中的其他空间，例如掩模和投影系统之间的空间。浸没技术用于提高投影系统的数值孔径在本领域是熟知的。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底)浸入到液体中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于调整光刻设备中的线宽粗糙度(LWR)的由计算机实施的方法，所述方法包括：接收对于将在光刻过程中通过使用图案形成装置被成像到衬底上的图案的多个不同特征中的每个特征的LWR和/或图像对数斜率(ILS)的值；和评价包括光刻参数和LWR和/或ILS的值的成本函数、以确定光刻参数的值，该光刻参数的值(i)减小不同特征的LWR和/或ILS之间的偏置，或(ii)减小不同光刻设备之间的不同特征的LWR和/或ILS的差异，或(iii)减小不同图案形成装置之间的不同特征的LWR和/或ILS的差异，或(iv)从(i)至(iii)中选择的任何组合。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.02 US 61/988,0291.一种用于调整光刻设备中的线宽粗糙度(LWR)的由计算机实施的方法，所述方法包括：接收对于将在光刻过程中通过使用图案形成装置被成像到衬底上的图案的多个不同特征中的每个特征的LWR和/或图像对数斜率(ILS)的值；和评价包括光刻参数和LWR和/或ILS的值的成本函数、以确定光刻参数的值，该光刻参数的值(i)减小不同特征的LWR和/或ILS之间的偏置，或(ii)减小不同光刻设备之间的不同特征的LWR和/或ILS的差异，或(iii)减小不同图案形成装置之间的不同特征的LWR和/或ILS的差异，或(iv)从(i)至(iii)中选择的任何组合。2.根据权利要求1所述的由计算机实施的方法，其中所述评价步骤减小不同特征的LWR和/或ILS之间的偏置；或其中所述评价步骤减小不同光刻没备之间的不同特征的LWR和/或ILS的差异；或其中所述评价步骤减小不同的图案形成装置之间的不同特征的LWR和/或ILS的差异。3.根据权利要求1所述的由计算机实施的方法，其中所述成本函数还包括所述特征的临界尺寸(CD)，所述评价步骤减小所述CD与目标的差异。4.根据权利要求1所述的由计算机实施的方法，其中所述光刻参数包括应用至所述图案形成装置的辐射束的照射模式；或其中所述光刻参数包括照射模式的空间强度分布特性。5.根据权利要求1所述的由计算机实施的方法，其中所述光刻参数包括波前特性。6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾世恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL