光刻设备和器件制造方法技术

一种光刻设备，包括用于重定向辐射束例如EUV束的反射器(15)。使用控制器和定位系统控制反射器的位置。定位系统包括非补偿致动器装置(300)和用于补偿非补偿致动器装置的寄生力的补偿致动器装置(200)。定位系统和控制器可以提供反射器的更精确位置，减小反射器的变形以及减小穿过反射器传播的力的幅度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请涉及2014年4月17日提交的EP专利申请No.14165170.3，该申请在此通过引用全文并入本文。
本专利技术涉及一种光刻设备和一种器件制造方法。特别地，本专利技术涉及一种用于控制光刻设备内反射器的系统。
技术介绍
光刻设备是将所期望的图案施加至衬底上、通常至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情形中，备选地称作掩模或刻线板的图案化装置可以用于产生将要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以转移至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或数个裸片的一部分)上。图案的转移通常是经由成像至提供在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。通常，单个衬底将包含依次图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进机，其中通过一次将整个图案曝光至目标部分上而照射每个目标部分，以及包括所谓的扫描机，其中通过当平行于或反平行于给定方向(“扫描”方向)同步扫描时沿该方向扫描图案穿过辐射束而照射每个目标部分。为了减小电路图案特征的尺寸，必须减小成像辐射的波长。为此，正在研发使用例如具有在从约5nm至20nm范围内波长的EUV辐射的光刻设备。EUV辐射几乎被所有材料强烈吸收，因此光学系统和掩模必须是反射性的并且设备保持在低压或真空下。当所使用的成像辐射具有减小的波长也即EUV时，光刻设备内引导成像辐射的任何误差将对任何误差具有更大的影响，例如叠置误差。
技术实现思路
反射器用在图案化装置中以将图案图像定位在辐射束上。辐射束中的图像被投射至衬底上，其对于图像的位置高度敏感。因此，需要光刻设备内物体(例如反射器)的位置的更大的精确度以将辐射束中图案的叠置误差或任何误差维持或者甚至优选地减小至可接受水平。通常，存在需要在设备(例如光刻设备)内精确定位的许多物体，因此，在用于定位物体的控制系统的精确度上的任何改进将提供益处。因此，期望提供一种用于控制光刻设备(尤其是使用EUV辐射的设备)中反射器和/或其他部件的位置的改进系统。根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻设备，包括：反射器；配置用于以N个自由度定位反射器的定位系统，其中N是正整数，定位系统包括M个致动器装置，每个致动器装置配置用于向反射器施加力，以及M是大于N的正整数，其中致动器装置中的至少一个是补偿致动器装置，以及致动器装置中的至少另一个是非补偿致动器装置；以及配置用于控制补偿致动器装置和非补偿致动器装置的控制器，其中配置控制器以控制补偿致动器装置以补偿非补偿致动器装置的寄生力，其中补偿致动器装置和非补偿致动器装置配置用于向在其上相同点处的物体施加力，以及配置控制器以控制补偿致动器装置以补偿非补偿致动器装置的寄生力。根据本专利技术的一个方面，提供了一种设备，包括本专利技术的定位系统，其中设备进一步包括物体。根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于使用本专利技术的定位系统补偿物体的振动的方法。根据本专利技术的一个方面，提供了一种器件制造方法，包括经由反射器将辐射投射束投射至定位在衬底工作台上的衬底上，其中定位系统被配置为以N个自由度定位反射器，其中N是正整数，定位系统包括M个致动器装置，每个致动器装置配置用于向反射器施加力，以及M是大于N的正整数，其中致动器装置中的至少一个是补偿致动器装置并且致动器装置中的至少另一个是非补偿致动器装置；以及控制器被配置成控制补偿致动器装置和非补偿致动器装置，其中控制器被配置为控制补偿致动器装置以补偿非补偿致动器装置的寄生力，其中补偿致动器装置和非补偿致动器装置被配置用于在其上相同点处向物体施加力，以及配置控制器以控制补偿致动器装置以补偿非补偿致动器装置的寄生力。附图说明现在将参照附图仅借由示例的方式描述本专利技术的实施例，其中对应的附图标记指示对应的部件，以及其中：-图1示出了用于本专利技术实施例中的光刻设备；-图2是图1的设备的主光学路径的更详细视图；-图3A示出了用于光刻设备的致动器装置；-图3B示出了根据本专利技术实施例的补偿致动器装置和非补偿致动器装置；-图3C示出了由图3B的致动器装置施加在反射器上的力的受力图；-图4示出了致动器装置的代表；-图5是用于本专利技术实施例中的致动器装置的详细视图；-图6A示出了作用在光刻设备中反射器上各个点处的力；-图6B示出了图6A的净期望力的受力图；以及-图7示出了根据本专利技术实施例的反射器上点处的力。具体实施方式图1示意性示出了包括源聚光器设备SO的EUV光刻设备4100。设备包括：-照明系统(照明器)EIL，配置用于调节辐射束EB(例如DUV辐射或EUV辐射)；-支撑结构(例如掩模工作台)MT，被构造成支撑图案化装置(例如掩模或掩模版)MA并且连接至配置用于精确地定位图案化装置的第一定位器PM；-衬底工作台(例如晶片工作台)WT，被构造成固定衬底(例如涂覆了抗蚀剂的晶片)W并且连接至配置用于精确地定位衬底的第二定位器PW；以及-投射系统(例如反射式投射系统)PS，被配置用于将由图案化装置MA赋予辐射束的图案投射至衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个裸片)上。支撑结构MT固定图案化装置。支撑结构MT以取决于图案化装置的朝向、光刻设备的设计、以及其他条件诸如例如图案化装置是否固定在真空环境中的方式而固定图案化装置。支撑结构MT可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术以固定图案化装置。支撑结构MT可以是框架或工作台，例如，根据需要可以是固定的或可移动的。支撑结构MT可以确保图案化装置处于所需位置，例如相对于定位系统。术语“掩模版”或“掩模”的任何使用在此可以视作与更通用术语“图案化装置”同义。在此使用的术语“图案化装置”应该广义地解释为涉及可以用于在其截面中赋予辐射束图案以便于在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应该注意赋予辐射束的图案可以不精确对应于衬底目标部分中所需图案，例如，如果图案包括相移特征或所谓的辅助特征。通常，赋予辐射束的图案将对应于在目标部分中正形成的器件中的特定功能层，诸如集成电路。图案化装置的示例包括掩模和可编程镜面阵列。掩模在光刻中是广泛已知的，并且包括掩模类型诸如二元、交替相移和衰减相移，以及各种混合掩模类型。可编程镜面阵列的示例利用了小镜面的矩阵设置，每个可以单独地倾斜以便于沿不同方向反射入射的辐射束。倾斜的镜面在由镜面矩阵反射的辐射束中赋予图案。光刻设备可以是具有两个或多个衬底支撑结构的类型，诸如衬底站台或衬底工作台，和/或用于图案化装置的两个或多个支撑结构。在具有多个衬底站台的设备中，所有衬底站台可以是等价并且可互换的。在实施例中，多个衬底站台的至少一个特别适用于曝光步骤并且多个衬底站台的至少一个特别适用于测量或预备步骤。在本专利技术的实施例中，多个衬底站台的一个或多个由测量站台替代。测量站台包括一个或多个传感器系统诸如传感器检测器和/或传感器系统的目标的至少一部分，但是并未支撑衬底。测量站台可替代用于图案化装置的衬底站台或支撑结构而在投射束中是可定位的。在该设备中，额外的站台可以并行使用，或者可以在一个或多个站台上执行预备步骤，而此时一个或多个其他站台正用于曝光。在EUV光刻设备中，期望使用真空或低压环境，因为气体可以吸收太多辐射。可以因此借助于真空壁以及一个或多个真空泵而向整个束路径提供真空环境。参照图1，EUV照明器E本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于定位物体的定位系统，其中所述定位系统被配置为在N个自由度中定位所述物体，其中N是正整数，所述定位系统包括：M个致动器装置，每个致动器装置被配置为向部件施加力，以及M是大于N的正整数，其中所述致动器装置中的至少一个是补偿致动器装置而所述致动器装置中的至少另一个是非补偿致动器装置；以及控制器，被配置为控制补偿致动器装置和非补偿致动器装置，其中所述控制器被配置为控制所述补偿致动器装置以补偿所述非补偿致动器装置的寄生力，其中补偿致动器装置和所述非补偿致动器装置被配置用于在其上的相同点处向所述物体施加力，以及所述控制器被配置为控制所述补偿致动器装置以补偿所述非补偿致动器装置的所述寄生力。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.17 EP 14165170.31.一种用于定位物体的定位系统，其中所述定位系统被配置为在N个自由度中定位所述物体，其中N是正整数，所述定位系统包括：M个致动器装置，每个致动器装置被配置为向部件施加力，以及M是大于N的正整数，其中所述致动器装置中的至少一个是补偿致动器装置而所述致动器装置中的至少另一个是非补偿致动器装置；以及控制器，被配置为控制补偿致动器装置和非补偿致动器装置，其中所述控制器被配置为控制所述补偿致动器装置以补偿所述非补偿致动器装置的寄生力，其中补偿致动器装置和所述非补偿致动器装置被配置用于在其上的相同点处向所述物体施加力，以及所述控制器被配置为控制所述补偿致动器装置以补偿所述非补偿致动器装置的所述寄生力。2.根据权利要求1所述的定位系统，其中，另一补偿致动器装置和/或另一非补偿致动器装置被配置为向所述相同点施加力，并且所述控制器被配置为控制所述另一补偿致动器装置和/或另一非补偿致动器装置。3.根据权利要求1或2所述的定位系统，其中，存在向所述物体施加力的P个点，其中P是小于或等于N的正整数。4.根据权利要求3所述的定位系统，其中在相同点处N是二并且M是三，其中存在两个非补偿致动器装置和一个补偿致动器装置。5.根据权利要求3或4所述的定位系统，其中，P是三。6.根据前述权利要求中任一项所述的定位系统，其中，所述控制器被配置为控制所述至少一个补偿致动器装置和至少一个非补偿致动器装置，从而在每个点处施加的净力正交于在任意其他点处施加的净力。7.根据前述权利要求中任一项所述的定位系统，其中，所述M个致动器装...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·J·M·德容，L·L·F·米克斯，R·J·E·梅里，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL