用于清洁对象的装置制造方法及图纸

一种用于清洁对象(W)的装置，该装置包括：对象支撑件(16)，用于支撑对象；低压室(15)，用于在对象被布置在对象支撑件上时将对象的第一表面暴露于低压；电极(23a，23b)，被布置为在对象被布置在对象支撑件上时与对象的第一表面相邻且与第一表面分离，电极与对象支撑件的与对象的第一表面相邻的表面电连通；以及电源(24a，24b)，被布置为在电极和对象之间施加电压，从而在对象与电极之间生成放电。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求2014年4月9日提交的欧洲申请14164043.3的权益，其整体通过引用合并于此。
本专利技术涉及用于清洁对象(例如，待由静电夹具所保持的对象)的装置和方法以及包含这种装置的光刻设备。
技术介绍
光刻设备是构造为在衬底上施加期望图案的机器。例如，在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。光刻设备例如可以将来自图案形成装置(例如，掩模)的图案投影到衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。光刻设备用于在衬底上投影图案的辐射的波长确定可形成在该衬底上的部件的最小尺寸。使用EUV辐射(其是波长在4-20nm的范围内的电磁辐射)的光刻设备可用于与传统光刻设备(例如，可以使用193nm的波长的电磁辐射)相比在衬底上形成更小的部件。静电夹具可用于以特定波长(例如，EUV)操作的光刻设备，因为在这些波长处，光刻设备的特定区域在真空条件下进行操作。静电夹具可设置为静电地将对象(诸如掩模或衬底(晶圆))夹持(即，保持)至对象支撑件，诸如掩模台或晶圆台。施加于静电夹具的电压是需要考虑的。例如，电压可以为千伏级。绝缘阻挡件通常位于静电夹具的电极上方，绝缘阻挡件用于将诸如衬底的对象与施加至电极的电压相绝缘。例如，期望提供消除或缓解在这里或其他地方确定的现有技术的一个或多个问题的装置和方法。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供了一种用于清洁对象的装置，该装置包括：对象支撑件，用于支撑对象；低压室，用于在对象被布置在对象支撑件上时将对象的第一表面暴露于低压；电极，被布置为在对象被配置在对象支撑件上时与对象的第一表面相邻且与第一表面分离，电极与对象支撑件的与对象的第一表面相邻的表面电连通；以及电源，被配置为在电极和对象之间施加电压，从而在对象和电极之间生成放电。对象和电极之间的放电(例如，电放电)的生成使得对象表面上的小颗粒或刮伤被修改或去除，使得它们在对象随后被静电夹具夹持时不用作电子发射器。对象表面的清洁以及所产生的电子发射的减少减慢了静电夹具上的任何电荷累积。电荷累积速率的这种降低可增加夹具上的维护操作之间的时间，并提高夹持性能(例如，夹持力均匀性)。电极与对象支撑件的表面电连通使得从对象表面发射且入射到对象支撑件的表面上的任何电子远离对象支撑件的表面运送而非像该表面是绝缘表面那样被捕获(例如，与传统静电夹具的情况相同)。对象支撑件可以被布置为支撑室内的对象。电极可在对象支撑件的与对象的第一表面相邻的表面上设置有电阻层。电阻层的设置将可以在对象和电极之间流动的瞬时电流限制到不损伤对象的等级，同时仍然确保电子可以远离对象支撑件的表面运送。电阻层可具有大于约105Ω的电阻。电阻层可具有小于约1012Ω的电阻。电阻层可具有大于约106Ω·m的电阻率。电阻层可具有小于约1014Ω·m的电阻率。电压的幅度可大于约200V。电压的幅度可小于约1000V。当对象被布置在对象支撑件上时，对象支撑件与对象的第一表面之间的间隔可大于约5mm。当对象被布置在对象支撑件上时，对象支撑件与对象的第一表面之间的间隔可小于约20mm。该装置可进一步包括第二电极，其中电源被布置为在第一电极与对象之间施加第一电压以及在第二电极与对象之间施加第二电压。第二电压可以与第一电压的符号相反。第二电压的幅度可基本等于第一电压的幅度。低压可小于约100mbar。低压可大于约1mbar。根据本专利技术的第二方面，提供了一种光刻工具，其包括根据本专利技术的第一方面的装置。低压室可以是光刻工具的装载锁。根据本专利技术的第三方面，提供了一种清洁对象的方法，该方法包括：提供待清洁的对象；支撑对象；将待清洁的对象的第一表面暴露于低压；提供与对象的第一表面相邻且与第一表面分离的电极；在电极和对象之间施加电压以在对象与电极之间生成放电；以及提供在电极与对象的第一表面之间的电流路径。本专利技术的其他方面可使用参照本专利技术的一个方面所描述的特征和优势。附图说明现在将参照附图仅通过实例描述本专利技术的实施例，其中：-图1示出了根据本专利技术实施例的包括光刻设备和辐射源的光刻系统；-图2更详细地示出了光刻设备的一部分；-图3示出了根据本专利技术的实施例的装置；以及-图4示出了根据本专利技术的实施例的装置。具体实施方式图1示出了根据本专利技术一个实施例的包括用于清洁对象的装置的光刻系统。光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO被配置为生成极紫外(EUV)辐射束B。光刻设备LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS和配置为支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置为在辐射束B入射到图案形成装置MA之前调节辐射束B。投影系统被配置为将辐射束B(现在被掩模MA图案化)投影到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将图案化辐射束B与先前形成在衬底W上的图案对齐。辐射源SO、照射系统IL和投影系统PS可以全部被构建和布置为使得它们可以与外部环境隔离。低于大气压的压力的气体(例如，氢气)可以设置在辐射源SO中。真空可以设置在照射系统IL和/或投影系统PS中。低于大气压的压力的少量气体(例如，氢气)可以设置在照射系统IL和/或投影系统PS中。图1所示的辐射源SO是可称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。激光器1(例如，可以是CO2激光器)被布置为经由激光束2将能量沉积到燃料(诸如锡(Sn)，其从燃料发射器3提供)中。尽管在以下描述中参照锡，但可以任何适当的燃料。燃料例如可以为液体形式，并且例如可以是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，其被配置为沿着朝向等离子体形成区域4的轨道引导例如液滴的形式的锡。激光束2在等离子体形成区域4处入射到锡上。激光能量沉积到锡中在等离子体形成区域4处产生了等离子体7。在等离子体的离子的去激发和复合期间，从等离子体7发射包括EUV辐射的辐射。EUV辐射被近法线入射辐射收集器5(有时更一般地称为法线入射辐射收集器)收集并聚焦。收集器5可以具有多层结构，其被布置为反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm的期望波长的EUV辐射)。收集器5可以具有椭圆形配置，其具有两个椭圆焦点。如下所述，第一焦点可以处于等离子体形成区域4处，以及第二焦点可以位于中间焦点6处。激光器1可以与辐射源SO分离。在这种情况下，激光束2可以经由光束传递系统(未示出，例如包括适当的定向反射镜和/或扩束器和/或其他光学器件)的帮助从激光器1传送至辐射源SO。激光器1和辐射源SO可以一起认为是辐射系统。被收集器5反射的辐射形成辐射束B。辐射束B被聚焦在点6处以形成等离子体形成区域4，其用作照明系统IL的虚拟辐射源。辐射束B所聚焦的点6可以称为中间焦点。辐射源SO被配置为使得中间焦点6位于辐射源的包围结构9中的开口8处或者靠近开口8。辐射B从辐射源SO传送到照射系统IL中，该照射系统被配置为调节辐射束。照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为辐射束B提供期望的截面形状和期望的角度分布。辐射束B从照射系统IL传输，并且入射到被支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA反射并图案化辐射束B。除了琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11之外或代本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于清洁对象的装置，所述装置包括：对象支撑件，用于支撑所述对象；低压室，用于在所述对象被布置在所述对象支撑件上时将所述对象的第一表面暴露于低压；电极，被布置为在所述对象被布置在所述对象支撑件上时与所述对象的第一表面相邻且与所述第一表面分离，所述电极与所述对象支撑件的与所述对象的第一表面相邻的表面电连通；以及电源，被配置为在所述电极和所述对象之间施加电压，从而在所述对象和所述电极之间生成放电。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.09 EP 14164043.31.一种用于清洁对象的装置，所述装置包括：对象支撑件，用于支撑所述对象；低压室，用于在所述对象被布置在所述对象支撑件上时将所述对象的第一表面暴露于低压；电极，被布置为在所述对象被布置在所述对象支撑件上时与所述对象的第一表面相邻且与所述第一表面分离，所述电极与所述对象支撑件的与所述对象的第一表面相邻的表面电连通；以及电源，被配置为在所述电极和所述对象之间施加电压，从而在所述对象和所述电极之间生成放电。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述对象支撑件被配置为支撑所述室内的所述对象。3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述电极在所述对象支撑件的与所述对象的第一表面相邻的表面上设置有电阻层。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述电阻层具有大于约105Ω的电阻。5.根据权利要求3或4所述的装置，其中所述电阻层具有小于约1012Ω的电阻。6.根据权利要求3至5中任一项所述的装置，其中所述电阻层具有大于约106Ω·m的电阻率。7.根据权利要求3至6中任一项所述的装置，其中所述电阻层具有小于约1014Ω·m的电阻率。8.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述电压的幅度大于约200V。9.根据任...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·范德威尔克，GW·J·古尔休斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL