ASML荷兰有限公司专利技术

ASML荷兰有限公司共有3480项专利

  • 使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备
    一种方法包括:测量光刻图案形成装置的三维形貌的属性,所述图案形成装置包括图案且被构造和布置成在光刻投影系统中的投影辐射束的横截面中产生图案;计算由所测量的属性导致的波前相位效应;将所计算的波前相位效应合并到光刻投影系统的光刻模型中;和基...
  • 反射器
    一种反射器(2),包括由衬底(8)支撑的板(4),其中所述板具有反射表面(5),并且通过无粘合剂结合方式被固定在衬底上,并且其中冷却通道阵列(10)被设置在反射器中。冷却通道阵列的通道(16)可以由衬底的表面中的开口通道形成,所述开口通...
  • 投影系统、光刻设备及其控制方法
    一种用于光刻设备的投影系统(PS1)包括:光学路径(100)、多个传感器(S1‑S4)、一个或更多个致动器(A1‑A4);和控制器(CN)。所述光学路径能够操作以接收输入辐射束(Bin)和将输出辐射束(Bout)投影到衬底上以形成图像。...
  • 光刻方法和设备
    一种校正由光刻设备的投影系统造成的像差的方法,所述方法包括:使用位于所述光刻设备中的传感器来执行由所述投影系统造成的像差的测量;基于自机器状态的改变以来所述光刻设备的操作历史确定是否将所测量的像差与之前使用所述传感器而获得的像差测量进行...
  • 编码器、位置测量系统和光刻设备
    编码器包括光学部件和包围装置,所述包围装置具有第一表面部分和第二表面部分。第一表面部分被布置为从周围环境接收第一辐射束。第二表面部分被布置为从周围环境接收第二辐射束。光学部件被布置为组合第一辐射束和第二辐射束。包围装置被布置为沿第一路径...
  • 用于隔离激光系统中的增益元件的系统和方法
    公开了用于保护激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)光系统中的种子激光器的方法和设备。被定位在光路上的隔离级使从LPP EUV光系统中的进一步的部件反射的光转向,以免到达种子激光器。隔离级包括通过延迟线分离的两个AOM。AOM当打开...
  • 辐射束设备
    一种可调整衍射光栅包括:光学元件和变形机构。光学元件具有用于接收输入辐射束的光学表面。光学元件设置有在光学表面下方的多个闭合通道,在每一闭合通道上方,光学表面由材料薄膜形成。变形机构包括一个或多个致动器,所述一个或多个致动器可操作以使在...
  • 传感器、光刻设备以及器件制造方法
    本发明提供了一种用于浸没光刻设备中的传感器、光刻设备和使用浸没光刻设备的器件制造方法。所述传感器包括构件,在传感器的使用过程中所述构件接触供给至与投影系统的最终元件相邻的空间的浸没液体;变换器,配置成将刺激转换为电信号;温度调节装置,配...
  • 用于EUV的自由电子激光器辐射源
    协调了在电子聚束的加速阶段电子聚束穿过线性加速器(LINAC)与在电子聚束的减速阶段电子聚束穿过所述LINAC。根据重复电子聚束序列而将每个连续电子聚束对在时间上间隔开相应的聚束间隔。电子源在所述电子聚束序列中提供清除间隙以允许在波荡器...
  • 照射系统
    一种用于光刻设备的照射系统(IL)包括:透镜阵列(2a‑h),被配置成接收辐射束(B)且将所述辐射束聚焦成多个子束(4a‑h);反射元件阵列,被配置成接收所述子束且反射所述子束以便形成照射束;分束装置(10),被配置成将所述照射束分裂成...
  • 光刻设备和制造器件的方法
    一种浸没式光刻设备具有控制器(500),所述控制器(500)被配置用以控制衬底台(WT)沿着曝光路线移动,所述曝光路线按次序包括:进入运动(R2),其中衬底从浸没空间(10)不与所述衬底重叠的衬底外位置移动至所述浸没空间与所述衬底至少部...
  • 检查装置、检查方法和设备制造方法
    检查装置(100)用于测量衬底上的目标。相干辐射跟随用于照射目标(T)的照射路径(实线)。收集路径(虚线)收集来自目标的衍射辐射并且将其传递至锁定图像检测器(112)。参考束跟随参考路径(点线)。声光调制器(108)偏移参考束的光学频率...
  • 确定剂量的方法、检查设备、图案形成装置、衬底以及器件制造方法
    一种确定在衬底上光刻工艺中使用的光刻设备的曝光剂量的方法,方法包括步骤:(a)接收包括使用光刻工艺制造的第一结构和第二结构的衬底;(b)当采用辐射照射第一结构时,检测被散射的辐射以获得第一散射仪信号;(c)当采用辐射照射第二结构时,检测...
  • 光刻设备和制造光刻设备的方法
    一种浸没光刻设备包括:投影系统,用于通过投影系统的最终透镜元件的光学上有效的部分将图案化的辐射束朝向由衬底台支撑的衬底投影,最终透镜元件具有露出的底部表面;液体限制结构,被配置用于将浸没液体供给至浸没空间并限制在浸没空间中,所述浸没空间...
  • 光刻设备和制造器件的方法
    使用EUV辐射的光刻设备具有被配置用于提供科勒照射的照射器。照射器包括具有多个可独立导向的反射器的场反射镜(422)和具有多个光瞳琢面(4241‑1至4241‑M)的光瞳反射镜(424),其中可独立导向的反射器被分成多组相邻的可独立导向...
  • 光刻设备和方法
    光刻设备包括光学传感器(24)、可移动主体(20)、支撑件、偏转器系统(22)、第一驱动系统和第二驱动系统。可移动主体能够相对于传感器移动。支撑件用于保持传感器。第一驱动系统被设置为使可移动主体相对于传感器移动。第二驱动系统被设置为使第...
  • 光刻设备以及使用光刻设备制造器件的方法
    一种光刻设备包括用于将图案化的辐射束投影到衬底上的投影系统以及被配置为将浸没流体限制在投影系统和衬底的表面之间的局部区域中的流体限制结构。光刻设备被配置为具有这样的空间:该空间在一侧由投影系统和光刻设备的至少部分地包围投影系统的最终元件...
  • 设备、系统和方法用于使用独立于偏振的干涉仪来检测衬底上的特征的对准。设备、系统和方法包括接收从衬底上的标记衍射或散射的光的光学元件。光学元件可以将衍射光分裂成由一个或多个检测器进行检测的多个子光束。衍射光可以可选地或者在检测之后的处理期...
  • 一种曝光设备,包括:衬底保持装置,构造成保持衬底(17);调制器,包括用于发射电磁辐射的多个VECSEL或VCSEL,配置成用根据期望的图案调制的多个辐射束曝光目标部分的曝光区域;以及投影系统,配置成将经过调制的束(B1、B2、B3)投...
  • 浸没式光刻设备和器件制造方法
    公开了光刻设备和器件制造方法。在一个布置中,提供了包括投影系统(PS)的浸没式光刻设备。投影系统被配置成将经图案化的辐射束通过浸没液体投影到衬底的目标部分上。投影系统的外表面包括第一表面(102)。第一表面具有非平面形状。元件(106)...