【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】辐射束设备相关申请的交叉引用本申请要求于2014年11月24日提交的欧洲申请EP14194518.8的优先权,并且该申请以全文引用的方式并入到本专利技术中。
本专利技术关于用于接收输入辐射束并且输出一个或多个输出辐射束的辐射束设备。辐射束设备可以是用于接收一输入辐射束并且输出一输出辐射束的衰减器,该输出辐射束可具有比输入辐射束低的功率。替代地,辐射束设备可以是分束设备。特别地,辐射束设备可以形成光刻系统的部分。
技术介绍
光刻设备为被构造成将所要的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可用于(例如)集成电路(IC)的制造中。光刻设备可(例如)将图案从图案形成装置(例如,掩模)投影至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。由光刻设备使用以将图案投影至衬底上的辐射的波长决定可形成于该衬底上的特征的最小尺寸。使用为具有在4nm至20nm范围内波长的电磁辐射的极紫外线(EUV)辐射的光刻设备可用以在衬底上形成比常规光刻设备(其可(例如)使用具有为193nm的波长的电磁辐射)更小的特征。自由电子激光器可用以产生由光刻设备使用的EUV辐射。光刻系统可包括一个或多个辐射源、束传递系 ...
【技术保护点】
一种可调整衍射光栅,包括:光学元件,具有用于接收输入辐射束的光学表面,所述光学元件设置有在所述光学表面下方的多个闭合通道,在每一闭合通道上方,所述光学表面由材料的薄膜形成;和变形机构,包括一个或多个致动器,所述一个或多个致动器能够操作以使在所述闭合通道上的所述薄膜变形,以便控制所述光学表面的形状和在所述光学表面上形成周期性结构,所述周期性结构用作衍射光栅使得所述输入辐射束从所述光学元件衍射以形成多个角分离的子束。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.24 EP 14194518.81.一种可调整衍射光栅,包括:光学元件,具有用于接收输入辐射束的光学表面,所述光学元件设置有在所述光学表面下方的多个闭合通道,在每一闭合通道上方,所述光学表面由材料的薄膜形成;和变形机构,包括一个或多个致动器,所述一个或多个致动器能够操作以使在所述闭合通道上的所述薄膜变形,以便控制所述光学表面的形状和在所述光学表面上形成周期性结构,所述周期性结构用作衍射光栅使得所述输入辐射束从所述光学元件衍射以形成多个角分离的子束。2.根据权利要求1所述的可调整衍射光栅,其中所述一个或多个致动器能够操作以控制所述闭合通道的内部与所述光学表面之间的压力差。3.根据权利要求1或权利要求2所述的可调整衍射光栅,其中所述闭合通道填充有流体且所述变形机构包括能够操作以控制所述多个闭合通道内的所述流体的压力的一个或多个致动器。4.根据权利要求3所述的可调整衍射光栅,其中当在22℃评估时,所述流体具有在10Pa至100Pa的范围内的蒸气压。5.根据权利要求3或4所述的可调整衍射光栅,其中所述流体包括形式为CxHyOz的烃。6.根据权利要求3至5中任一项所述的可调整衍射光栅,还包括外部流体供应器,所述外部流体供应器被布置成以将流体供应至所述多个通道和从所述多个通道移除流体。7.根据权利要求6所述的可调整衍射光栅,其中所述外部流体供应器被布置成在所述通道内形成振荡压力。8.根据前述权利要求中任一项所述的可调整衍射光栅,其中所述变形机构包括一个或多个压电致动器,所述或每一压电致动器能够操作以使在所述闭合通道中的一个或多个上的所述薄膜变形以便控制所述光学表面的所述形状。9.根据权利要求8所述的可调整衍射光栅,其中所述闭合通道填充有流体,且所述或每一压电致动器能够操作以控制在所述多个闭合通道内的所述流体的压力。10.根据权利要求8所述的可调整衍射光栅,其中每一压电致动器能够操作以直接控制其中设有所述压电致动器的闭合通道上方的所述材料的薄膜。11.根据权利要求8至10中任一项所述的可调整衍射光栅,其中所述压电致动器为压电弯曲致动器,所述压电弯曲致动器包括两个电极和安置在所述电极之间的一个或多个压电材料层。12.根据前述权利要求中任一项所述的可调整衍射光栅,其中所述变形机构包括一个或多个静电致动器,所述或每一静电致动器能够操作以使在所述闭合通道中的一个或多个上的所述薄膜变形以便控制所述光学表面的所述形状。13.根据前述权利要求中任一项所述的可调整衍射光栅,其中所述多个通道成组布置,其中每一组中的所有所述通道流体连通且每一组通道与邻近组隔离。14.根据权利要求13所述的可调整衍射光栅,其中每一组通道设置有被布置成将所述组内的所述通道中的每一个连接在一起的一个或多个连接通道。15.根据权利要求13或14所述的可调整衍射光栅,其中每一组通道设置有致动器,所述致动器能够操作以控制在所述组的所述通道中的每一个内的流体压力。16.根据前述权利要求中任一项所述的可调整衍射光栅,还包括由所述光学元件的主体限定以用于冷却流体循环的一个或多个冷却通道。17.一种用于接收输入辐射束和输出输出辐射束的衰减器,所述衰减器包括:根据前述权利要求中任一项所述的可...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·德克尔斯,HK·尼恩惠斯,M·J·M·林肯斯,J·A·G·阿克曼斯,G·C·德弗里斯,E·R·鲁普斯特拉,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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