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ASML荷兰有限公司专利技术
ASML荷兰有限公司共有3480项专利
基于配置方案间的一致性的配置方案选择制造技术
本发明公开了一种方法,所述方法包括:确定多个衬底测量配置方案中的一个衬底测量配置方案与该多个衬底测量配置方案中的每个另一衬底测量配置方案之间的配置方案一致性;计算所述配置方案一致性的函数;如果所述函数符合标准,则从所述多个衬底测量配置方...
位置测量系统、干涉仪和光刻设备技术方案
提供了位置测量系统(200),包括具有反射表面(204)的物体(202)和用于确定物体的位置的干涉仪(206)。反射表面具有第一区域(210a)、第二区域(210b)和第三区域(210c)。干涉仪布置为通过照射第一区域生成表示位置的第一...
检查设备、检查方法和制造方法技术
通过光刻过程在衬底(W)上形成量测目标。以空间相干辐射在不同的条件下照射包括一个或多个光栅结构的目标(T)。由所述目标区域衍射的辐射(650)与参考辐射(652)干涉,在图像检测器(623)处干涉形成干涉图案。捕获所述干涉图案的一个或多...
检查设备、检查方法及制造方法技术
一种产品结构(407、330’)形成有缺陷(360至366)。在所述产品结构(604)上提供至少部分地相干的EUV辐射的光斑(S),以捕获由所述辐射在被所述产品结构散射之后形成的至少一个衍射图案(606)。参考数据(612)描述名义产品...
量测方法、辐射源、量测设备及器件制造方法技术
通过至少第一次用由逆康普顿散射而产生的EUV辐射(304)来照射通过光刻术制成或用于光刻术中的目标结构(T)来检查所述结构。检测(312)在反射或透射中由所述目标结构散射的辐射(308),且通过处理器(340)基于所检测的散射辐射来计算...
光刻设备及器件制造方法技术
一种光刻设备(100)包括:衬底台(WT),构造以保持衬底(W);投影系统(PS),配置成通过开口(301)投影图案化辐射束并且将图案化辐射束投影到衬底的目标部分上;和导管(305、306),具有在开口中的出口(306)。所述导管配置成...
光刻设备和器件制造方法技术
描述了一种表征多个衬底的形变的方法。该方法包括以下步骤:‑针对多个n个不同对准测量参数λ并且针对多个衬底测量对准标记的位置;‑将位置偏差确定为n个对准标记位置测量值与标称对准标记位置之间的差值;‑将位置偏差分组成数据集;‑确定平均数据集...
光刻设备和器件制造方法技术
描述了光刻设备,设备包括:照射系统,被配置为调节辐射束;支撑件,被构造为支撑图案形成装置,图案形成装置能够在辐射束的截面中向辐射束赋予图案以形成经图案化的辐射束;衬底台,被构造为保持衬底;以及投影系统,被配置为将经图案化的辐射束投影到衬...
光刻设备、投影系统、最终透镜元件、液体控制构件及器件制造方法技术方案
公开了光刻设备、用于与浸没式光刻设备一起使用的投影系统、用于投影系统的最终透镜元件、液体控制构件以及器件制造方法。在一个布置中,光刻设备包括:投影系统PS,被配置为将经图案化的辐射束(B)通过投影系统投影到衬底(W)的目标部分上。液体限...
可移动支撑件和光刻设备制造技术
本发明涉及配置成支撑物体的可移动支撑件(1),包括:用于支撑物体的支撑平面(2);致动器组件,用于在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上移动所述可移动支撑件,其中所述第一方向和第二方向在平行于支撑平面的平面中延伸。其中所述致动器组件包括...
用于制造隔膜组件的方法技术
一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法,所述方法包括:提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层,其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域;以及选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域。所述隔膜组件包括:由所述至少一个隔膜层...
用于将标记图案转印到衬底的方法、校准方法以及光刻设备技术
本发明涉及一种方法,包括:a)向参考衬底提供第一标记图案;b)在参考衬底上向参考衬底提供第一抗蚀剂层,其中第一抗蚀剂层具有使第一抗蚀剂显影所需的最小辐射剂量;c)使用参考图案形成装置在辐射束的截面中向辐射束赋予第二标记图案,以形成经图案...
光刻设备制造技术
一种光刻设备,包括被配置成投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统,光刻设备进一步包括用于对衬底进行冷却的冷却设备(40),其中冷却设备包括位于衬底台的上方且与曝光区域相邻的冷却元件(42,44),冷却元件被配...
量测方法和设备、计算机程序及光刻系统技术方案
公开了用于测量光刻工艺的参数的方法、计算机程序和相关联的设备。方法包括如下步骤:获得包括与多个第一结构有关的结构不对称性的测量的第一测量,结构不对称性的所述多个测量中的每一个对应于测量辐射的不同测量组合和至少第一参数的值;获得与多个目标...
量测方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法技术方案
本发明公开了在使用限定测量场的测量辐射来测量目标之后,确定对于从所述目标衍射的辐射的测量值的校正的方法,所述目标包括多个周期性结构。所述校正用以校正所述测量值中的测量场部位的依赖性。所述方法包括:执行所述周期性结构的第一测量和第二测量;...
光刻设备及用于加载衬底的方法技术
一种光刻设备包括支撑台和气体抽取系统。所述气体抽取系统被配置成当所述衬底正被降低到所述支撑台上时,从在所述支撑台的基底表面与衬底之间的间隙通过至少一个气体抽取开口抽取气体。所述光刻设备被配置使得当在所述衬底与所述支撑平面之间的距离大于阈...
光刻设备、控制方法及计算机程序产品技术
一种光刻设备获得衬底的高度图(402)和在控制所述图案到所述衬底的成像时使用所述高度图。所述光刻设备被布置用于在控制所述成像时至少部分地忽略高度异常(B)。所述高度异常可以通过处理所述高度图来识别。例如,在一些实施例中,通过使用形状识别...
光刻方法和设备技术
一种方法,包括:照射包括多个图案化区(15a‑15c)的图案形成装置(MA'),各图案化区使测量射束(17a‑17c)图案化;用投影系统(PL)将测量射束投影到包括多个检测器区(25a‑25c)的传感器设备(21)上;当图案形成装置和传...
检查设备、检查方法、光刻设备、图案化装置及制造方法制造方法及图纸
公开了一种在光刻工艺期间监测焦距参数的方法。该方法包括分别获取第一目标和第二目标的第一测量值和第二测量值,其中第一目标和第二目标已经以相对最佳焦距偏移被曝光。该方法然后包括根据第一测量值和第二测量值确定焦距参数。还公开了相应的测量和光刻...
用于极紫外源的可变半径反射镜二向色分束器模块制造技术
一种激光产生等离子体极紫外激光源,包括至少一个可变半径反射镜。至少一个可变半径反射镜用于调整主脉冲的在与预脉冲焦面相距指定距离处的光束直径,其中预脉冲将微滴辐射成靶微滴并且主脉冲将靶微滴辐射成等离子体状态以生成极紫外辐射。
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