披露了制造用于光刻设备的表膜的方法。在一种配置中，该方法包括将至少一个石墨烯层(2)沉积在衬底(6)的平坦表面(4)上。该衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分(12)。该方法还包括移除第一衬底部分，以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜(...

一种混合量测设备(1000、1100、1200、1300、1400)测量通过光刻制造的结构(T)。一种EUV量测设备(244，IL1/DET1)利用EUV辐射照射所述结构且从所述结构检测第一光谱。另一种量测设备(240，IL2/DET2...

一种测量光刻过程的参数的方法及相关的检查设备被公开。所述方法包括：使用多个不同的照射条件来测量衬底上至少两个目标结构，所述目标结构具有有意的重叠偏置；对于每个目标结构获得表示总体不对称度的不对称度测量，所述总体不对称度包括由于(i)有意...

在光刻过程中，在不同的上下文中处理一系列晶片(W(i))。接收物体数据(ODAT/PDAT)，该物体数据可以是例如表示针对之前已经处理的晶片的集合所测量的重叠的性能数据(PDAT)。上下文数据(CDAT)表示在所述集合内的晶片之间变化的...

描述了一种平台和水平传感器的组合，配置成感测物体上的目标部位(T)处的高度水平，所述平台包括：配置成保持物体的物体台；和定位装置，该定位装置用于沿第一方向(Y)相对于水平传感器移位所述物体台，所述水平传感器包括：投影系统，配置成将测量束...

一种光刻设备包括：构造成形成光刻设备的支撑结构的底架、布置在底架与地板之间的主动式底架支撑件。该主动式底架支撑件配置成在底板上支撑底架。该主动式底架支撑件包括致动器，该致动器配置成在底架与地面之间沿水平方向施加力。该光刻设备还包括控制装...

提供了一种校准模型的过程，所述过程包括：获得训练数据，所述训练数据包括：来自多个结构的散射辐射信息，所述散射辐射信息的各个部分与相应的过程条件相关联，所述相应的过程条件是各个结构的图案形成过程的特性；以及使用一个或更多个处理器利用训练数...

在一种控制光刻设备的方法中，使用历史性能测量值(512)计算与光刻过程相关的过程模型(PM)。测量设置在当前衬底上的多个对准标记的当前位置(502)且使用所述当前位置计算与当前衬底相关的衬底模型。另外，使用(530)在处理先前衬底时所获...

本发明公开了一种方法，所述方法包括：获得器件制造过程或该器件制造过程的产品的测量结果；通过分别针对于所述测量结果拟合分布来获得所述分布的一个或更多个参数的一个或更多个值的多个组；使用计算机通过针对于所述参数的值的多个组拟合超分布获得所述...

基于第一流动模式朝向光学元件(420)的表面(422)引导流体(105)，光学元件的表面包括碎片，并且基于第一流动模式被引导的流体将至少一些碎片移动到光学元件的表面处的第一停滞区域(425)；并且基于第二流动模式朝向光学元件引导流体，基...

一种用于移位系统的移位装置的磁体阵列，所述磁体阵列包括第一类型的磁体和第二类型的磁体的二维图案，由此第一类型的磁体和第二类型的磁体具有平行但相反的磁化方向，所述第一类型的磁体和第二类型的磁体在第一方向和第二方向两者上被以规则的间隔交替布...

在LPP EUV系统中，在所生成的EUV能量中可能出现正弦振荡或不稳定性。这通过检测LPP EUV系统何时接近这样的不稳定性并通过移动LPP EUV系统的激光束调整LPP EUV系统来避免。通过确定所生成的EUV能量何时等于或高于初级阈...

公开了用于改进激光产生等离子体(LPP)极紫外(EUV)生成系统中的源激光器的定时的方法和系统。由于等离子体室内的力，微滴的速度可以随着M靠近照射部位而减慢。由于微滴减慢，源激光器相对于减慢的微滴过早地激发，导致只有微滴的前沿部分被照射...

本发明涉及一种振动隔离系统(VIS)，该振动隔离系统包括：基座(10)；用于联接到振动敏感物体的联接元件(20)；布置在基座与联接元件之间的振动隔离器(30‑34)；用于布置在联接元件或振动隔离器与包围振动敏感物体的保护壳体(40)之间...

一种用于制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法，所述方法包括：提供包括平坦衬底和至少一个隔膜层的叠层，其中所述平坦衬底包括内部区和围绕所述内部区的边框区；将所述叠层定位于支撑件上，使得曝光所述平坦衬底的所述内部区；和使用非液体蚀刻剂来选择...

用于光刻工具的光源包括：被配置为发出第一光束和第二光束的源，第一光束具有第一波长，并且第二光束具有第二波长，第一波长和第二波长不同；放大器，被配置为将第一光束和第二光束放大，以分别产生第一放大光束和第二放大光束；以及光源与放大器之间的光...

一种分束设备(40)，其被布置成接收输入辐射束(B)且将所述输入辐射束(B)分离成多个输出辐射束(Ba‑Bj)。所述分束设备(40)包括多个反射式衍射光栅(41‑45)，所述多个反射式衍射光栅被布置成接收辐射束且被配置成形成包括多个衍射...

光刻设备具有衬底位于上面的衬底台和用于测量衬底的对准的对准传感器。在示例性处理方法中，对准传感器用于在第一步骤中执行一个或更多个边缘测量。在第二步骤中，在衬底的凹口上执行一个或更多个边缘测量。边缘测量值然后用于在光刻设备中对准衬底。在具...

一种用于光刻设备中并且配置成支撑衬底的衬底保持器(WT)，该衬底保持器包括：主体(21)，具有主体表面；多个突节(20)，从主体表面突出以支撑衬底使得衬底与主体表面分隔开；和液体控制结构(200)，设置在主体表面的周边区域(22a)中并...

公开了一种包括用于套刻和焦点的测量的组合目标的衬底。该目标包括：包括第一周期性结构的第一层；以及包括覆盖第一周期性结构的第二周期性结构的第二层。该目标具有结构不对称性，该结构不对称性包括由第一周期性结构与第二周期性结构之间的无意失配产生...