控制光刻设备的方法和器件制造方法、用于光刻设备的控制系统及光刻设备技术方案

在一种控制光刻设备的方法中，使用历史性能测量值(512)计算与光刻过程相关的过程模型(PM)。测量设置在当前衬底上的多个对准标记的当前位置(502)且使用所述当前位置计算与当前衬底相关的衬底模型。另外，使用(530)在处理先前衬底时所获得的历史位置测量值(522)和历史性能测量值以计算模型映射(M)。应用(520)该模型映射以修改该衬底模型。一起使用过程模型和被修改的衬底模型(SM′)(PSM)来控制(508)该光刻设备。通过避免过程模型和衬底模型的相关分量的过校正或欠校正来改善重叠性能。模型映射可以是子空间映射，且可以在使用该模型映射之前减少该模型映射的维度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制光刻设备的方法和器件制造方法、用于光刻设备的控制系统及光刻设备相关申请的交叉引用本申请要求于2015年10月8日提交的欧洲申请15188943.3的优先权，并且通过引用而将其全文合并到本专利技术中。
本专利技术涉及可以用于例如在通过光刻技术进行器件制造时执行量测的检查设备和方法。本专利技术进一步涉及一种用于这种检查设备中的照射系统，且进一步涉及使用光刻技术来制造器件的方法。本专利技术又进一步涉及用于实施这些方法的计算机程序产品。
技术介绍
光刻设备是将所需的图案施加至衬底(通常为衬底的目标部分)上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，可替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于产生要在IC的单层上形成的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或多个管芯)上。通常通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上实现图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。在使用光刻设备将图案施加至晶片之前，通常需要测量及模型化该晶片、以便在图案化期间适当地对准该晶片且校正晶片变形。光刻过程的关键本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制光刻设备的方法，所述方法包括以下步骤：(a)获得表示在将图案施加至多个先前衬底时的光刻过程的性能的历史性能测量值；(b)使用所述历史性能测量值计算关于所述光刻过程的过程模型；(c)在将当前衬底加载至光刻设备中之后，测量设置于所述当前衬底上的多个对准标记的当前位置；(d)使用测量的所述当前位置计算关于所述当前衬底的衬底模型；和(e)将所述过程模型和所述衬底模型一起使用来控制所述光刻设备，其中所述方法还包括：(f)获得在处理所述先前衬底时所获得的历史位置测量值；(g)将所述历史位置测量值和所述历史性能测量值一起使用计算模型映射；和(h)应用所述模型映射修改步骤(d)中所计算的所述衬底模...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.08 EP 15188943.31.一种控制光刻设备的方法，所述方法包括以下步骤：(a)获得表示在将图案施加至多个先前衬底时的光刻过程的性能的历史性能测量值；(b)使用所述历史性能测量值计算关于所述光刻过程的过程模型；(c)在将当前衬底加载至光刻设备中之后，测量设置于所述当前衬底上的多个对准标记的当前位置；(d)使用测量的所述当前位置计算关于所述当前衬底的衬底模型；和(e)将所述过程模型和所述衬底模型一起使用来控制所述光刻设备，其中所述方法还包括：(f)获得在处理所述先前衬底时所获得的历史位置测量值；(g)将所述历史位置测量值和所述历史性能测量值一起使用计算模型映射；和(h)应用所述模型映射修改步骤(d)中所计算的所述衬底模型且将被修改的所述衬底模型用于步骤(e)中。2.如权利要求1所述的方法，其中所述模型映射是子空间映射，从被所述衬底模型占据的多维空间映射至被所述过程模型占据的多维空间的子空间。3.如权利要求2所述的方法，其中步骤(f)还包括在将所述子空间映射用于步骤(g)中之前减少所述子空间映射的维度。4.如权利要求3所述的方法，其中减少所述维度包括执行如下各项中的至少一项：子空间映射矩阵的奇异值分解，并且修改所述奇异值分解的缩放矩阵中的某些分量；主成份分析；典型变量分析；典型相关性分析；和离散经验内插法。5.如权利要求1所述的方法，其中在步骤(g)中，将所述历史性能测量值和所述历史位置测量值与表示在处理所述先前衬底时所应用的校正的历史校正数据一起使用。6.如权利要求1所述的方法，其中相比于所述过程模型，以较少自由度计算所述衬底模型。7.如权利要求6所述的方法，其中所述模型映射使用与所述过程模型相同的...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·M·赫尔斯埃博，P·A·J·蒂内曼斯，R·布林克霍夫，P·J·赫利斯，J·K·卢卡什，L·J·P·维尔希斯，I·M·A·范唐克拉尔，F·G·C·比基恩，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL