一种抗蚀剂组合物，所述抗蚀剂组合物包含：a)含金属的纳米颗粒和/或纳米簇，和b)配体和/或有机连接体，其中a)或b)中的一种或两者是多价的。一种抗蚀剂组合物，其中：i)所述抗蚀剂组合物是负性抗蚀剂，并且所述纳米颗粒和/或纳米簇在暴露于电...

公开了一种用于EUV光刻术的隔膜。在一种布置中，隔膜包括具有成以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，...

一种匹配来自多个数据源(302，304)的记录的方法，多个数据源之间在它们的数据的匹配质量方面具有变化，该方法包括重复地匹配和过滤(314‑318)来自数据源的记录以使用连续较不严格匹配规则获得匹配记录(320，322)，匹配规则是基于...

描述了一种用于在用于光刻工艺的检查设备中使用的照射设备中生成照射辐射的方法。提供了包括多个辐射脉冲(704)的驱动辐射束(702)。光束被分成第一多个驱动辐射脉冲和第二多个驱动辐射脉冲(706a，708a)。多个驱动辐射脉冲各自具有可控...

一种量测目标包括：第一结构，被布置为由第一图案化工艺创建；和第二结构，被布置为由第二图案化工艺创建，其中所述第一结构和/或所述第二结构不被用来创建器件图案的功能方面，其中所述第一结构和所述第二结构一起形成单位单元的一个或多个实例，所述单...

一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：获得检测到由单位单元的一个或多个物理实例重定向的辐射的表示，其中所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性，并且其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述单位单元的所述一个或多个...

一种确定图案化工艺的套刻的方法，该方法包括：用辐射光束照射衬底，使得所述衬底上的光束斑点被单位单元的一个或多个物理实例填充，所述单位单元在套刻的标称值下具有几何对称性；使用检测器检测由所述单位单元的所述一个或多个物理实例重定向的主要零阶...

一种配置参数确定过程的方法，该方法包括：获得结构的数学模型，所述数学模型被配置为预测在用辐射光束照射所述结构时的光学响应，所述结构在标称物理配置下具有几何对称性；由硬件计算机系统使用所述数学模型来模拟所述结构的所述物理配置中的一定量的扰...

一种确定图案化工艺的参数的方法，该方法包括：获得检测到的由在标称物理配置下具有几何对称性的结构重定向的辐射的表示，其中通过用辐射光束照射衬底使得所述衬底上的光束斑点被所述结构填充来获得检测到的辐射的表示；以及由硬件计算机系统基于来自所述...

一种方法，包括：获得使用图案化工艺处理的衬底上的量测目标的测量，该测量是使用测量辐射获得的；以及从测量导出图案化工艺的感兴趣参数，其中感兴趣参数由堆叠差异参数校正，堆叠差异参数表示目标的相邻周期性结构之间或量测目标与衬底上的另一相邻目标...

光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。针对参考衬底，确定跨衬底的局部高度偏差与聚焦信息(诸如所确定的聚焦量)之间的函数关系。随后针对另一衬底(例如，生产衬底)测量高度偏差。使用后续衬底的高度偏差和函...

本文披露了一种调节量测设备的方法，所述方法包括：将量测设备的光瞳平面中的强度分布在空间上划分成多个像素；通过使用计算机调节所述多个像素的强度，减少目标中的结构不对称性对由所述量测设备对所述目标进行的测量的影响。

向真空室的内部提供第一目标，朝向第一目标引导第一光束以从第一目标的目标材料形成第一等离子体，第一等离子体与沿着第一发射方向从第一目标发射的粒子和辐射的方向通量相关联，第一发射方向由第一目标的定位确定；向真空室的内部提供第二目标；并且朝向...

例如用x射线或EUV波段中的辐射来照射感兴趣结构(T)，并且通过检测器(19、274、908、1012)检测散射的辐射。处理器(PU)例如通过仿真(S16)辐射与结构的交互并且比较(S17)仿真交互与检测辐射来计算诸如线宽(CD)或覆盖...

本公开的实施例涉及检查方法、光刻设备、掩模以及衬底。一种用于获得与光刻过程有关的焦距信息的方法和设备。该方法包括：照射目标，该目标具有交替的第一和第二结构，其中第二结构的形式是依赖于焦距的，而第一结构的形式不具有与第二结构的形式相同的焦...

光刻设备包括光学传感器(24)、可移动主体(20)、支撑件、偏转器系统(22)、第一驱动系统和第二驱动系统。可移动主体能够相对于传感器移动。支撑件用于保持传感器。第一驱动系统被设置为使可移动主体相对于传感器移动。第二驱动系统被设置为使第...

一种图案化光刻衬底的方法，该方法包括使用自由电子激光器(FEL)以产生EUV辐射并且输送EUV辐射至将EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备(LA)，其中该方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路(CT)以监测自由电子激光器并相应地调整自...

一种光刻处理，包括：将衬底(W)夹持(CL)到衬底支持件(WT)上；跨被夹持衬底测量(AS)标记的位置；以及使用测量的位置向被夹持衬底施加图案。基于跨衬底测量的位置中的弯曲诱发特性(402、404、406)的识别，在衬底的局部区域中向所...

一种图案化设备冷却系统(30)，用于热调节光刻装置的图案化设备(MA)，其中图案化设备在使用时被曝光辐射照射，其中图案化设备冷却系统包括：热调节器(20)，被配置为热调节图案化设备；以及控制器(500)，被配置为控制热调节器，以根据被图...

一种适用于向光刻设备提供辐射的辐射源从等离子体(12)生成辐射，等离子体从包括气体的围闭件内的燃料(31)生成。等离子体生成初级燃料碎片，初级燃料碎片被收集为碎片接收表面((33a)、(33b))上的燃料层。碎片接收表面被加热到一定温度...