公开了一种用于生成检查设备的测量辐射的照射源。源生成至少第一测量辐射和第二测量辐射，从而第一测量辐射和第二测量辐射干涉，以形成采用拍频分量调制的经组合的测量辐射。照射源可以是HHG源。也公开了一种包括该源的检查设备以及相关联的检查方法。

本发明提供一种方法，所述方法包括：获得规定光刻图案的布局的数据；获得所述布局的计算分析的多个性能指标，所述多个性能指标指示执行所述计算分析的相应部分的一台或更多台计算机过程的性能；使所述多个性能指标与在相应性能指标的测量期间处理的所述布...

一种用于检查用于处理生产衬底的设备的部件的检查衬底，所述检查衬底包括：主体，所述主体具有与所述生产衬底相似的尺寸，使得所述检查衬底与所述设备兼容；照射装置，所述照射装置被嵌入在所述主体中，所述照射装置被配置为朝着所述设备的所述部件的目标...

本发明涉及一种用于定位的系统、工作台系统、光刻设备、用于定位的方法以及其中利用了工作台系统的用于制造器件的方法。根据本发明，提供了多个空气轴承装置。每个空气轴承装置包括：空气轴承本体，所述空气轴承本体具有自由表面；主通道，所述主通道延伸...

本公开的实施例涉及极紫外光源。形成与靶区域(230)至少部分一致的第一剩余等离子体(227a)；将包括处于第一空间分布的靶材料(220b)的靶提供至靶区域，靶材料包括当被转换成等离子体时发射EUV光的材料；第一剩余等离子体与初始靶(22...

一种用于光刻装置的衬底支架，包括具有提供在其表面上的薄膜叠层的主体。薄膜叠层形成电子或电气组件，如电极、传感器、加热器、晶体管或逻辑器件，并且具有顶部隔离层。用于支承衬底(W)的多个粒结形成在薄膜叠层上或薄膜叠层的孔径中。

一种拾放工具，包括：多个可移动的保持器结构；以及多个拾放结构，每个保持器结构容纳两个或更多个拾放结构，其中每个保持器结构的两个或更多个拾放结构中的至少一个能够独立于所述每个保持器结构的两个或更多个拾放结构中的另外的至少一个，沿着所述每个...

诸如在半导体衬底(400)上的对准标记之类的目标结构(402)因不透明层(408)变得模糊，从而其无法由对准传感器(AS)定位。使用边缘位置传感器(412)确定标记的位置，以及在不透明层形成之前存储限定了标记相对于衬底的一个或多个边缘部...

一种用于对准标记测量系统的超连续谱辐射源包括：辐射源；照射光学器件；多个波导；和收集光学器件。辐射源能够操作以产生脉冲辐射束。照射光学器件布置成接收脉冲泵浦辐射束并形成多个脉冲子束，每个脉冲子束包括脉冲辐射束的一部分。多个波导中的每一个...

一种计量设备使用EUV波段中的辐射(304)。第一检测系统(333)包括光谱光栅(312)和检测器(313)，以用于捕获与目标(T)交互之后的EUV辐射的光谱。通过分析光谱来测量目标的性质。辐射(304)进一步包括诸如VUV、DUV、U...

一种方法包括：获得衬底上的多个结构的图像，通过转移设计布局的对应图案而将多个结构中的每一个结构形成到所述衬底上；获得所述结构中的每一个结构相对于该结构的参照点的位移；以及基于所述位移，使用硬件计算机系统将多个结构中的每一个结构分配到多个...

公开了一种在检查设备中执行测量的方法、以及相关联的检查设备和HHG源。该方法包括配置高次谐波发生辐射源的至少一个驱动激光脉冲的一个或多个可控特性，以控制由高次谐波发生辐射源提供的照射辐射的输出发射光谱；以及利用所述照射辐射来照射目标结构...

一种用于光刻装置的衬底支架，包括具有提供在其表面上的薄膜叠层的主体。薄膜叠层形成电子或电气组件，如电极、传感器、加热器、晶体管或逻辑器件，并且具有顶部隔离层。用于支承衬底(W)的多个粒结形成在薄膜叠层上或薄膜叠层的孔径中。

本发明披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法，该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数；和使用所述工艺参数来确定或预测利用所述器件制...

一种用于光刻装置的衬底支架，包括具有提供在其表面上的薄膜叠层的主体。薄膜叠层形成电子或电气组件，如电极、传感器、加热器、晶体管或逻辑器件，并且具有顶部隔离层。用于支承衬底(W)的多个粒结形成在薄膜叠层上或薄膜叠层的孔径中。

本发明涉及工作台系统、光刻装置和用于制造使用工作台系统的器件的方法。在工作台系统(1)中，提供一种定位系统，其包括适于定位载物台(2)的致动器(10)。致动器包括磁体组件(20)和线圈组件(11)。磁体组件包括第一磁体(21)和第二磁体...

一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：多个反射区域，被配置为优先反射具有给定波长的辐射；多个吸收区域，被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射；其中所述吸收区域和反射区域被布置成形成在用辐射照射所述标识时从所述标识反射的图案...

一种方法，包括通过使用衬底测量方案从衬底上目标获得测量结果；由硬件计算机系统根据测量结果确定参数，其中对于衬底测量方案中所使用的入射辐射，参数表征测量结果对于目标的光程长度的依赖性，以及确定参数包括确定测量结果对于入射辐射的波长的相对变...

提供了一种光刻装置，其包括衬底台(WT)、投影系统(PS)、编码器系统(210)、测量框架(220)和测量系统(230)。衬底台具有用于保持衬底(W)的保持表面(200)。投影系统用于在衬底上投影图像。编码器系统用于提供表示衬底台的位置...

在执行光刻过程步骤之前或之后，从衬底(W')上的位置获得测量。这种测量的示例包括在将图案应用到衬底之前进行的对准测量，以及在已经应用图案之后诸如套刻之类的性能参数的测量。从所有可能的测量位置(302)之中选择测量位置集合(606、606...