过程窗口的优化方法技术

本发明专利技术披露一种用于器件制造过程的由计算机实施的缺陷预测方法，该器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，该方法包括从该图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述PWLP被加工所依据的工艺参数；和使用所述工艺参数来确定或预测利用所述器件制造过程由所述PWLP产生的缺陷的存在、存在机率、特性、或其组合。

【技术实现步骤摘要】
过程窗口的优化方法本申请是申请日为2015年01月07日、申请号为201580008223.5、专利技术名称为“过程窗口的优化方法”的专利申请的分案申请。相关申请的交叉引用本申请与2014年2月12日提交的美国临时专利申请61/939,071和2014年2月24日提交的美国临时申请61/943,834相关，其通过援引而全文合并到本专利技术中。
本专利技术涉及对半导体制造工艺的性能进行优化的方法。所述方法可以与光刻设备结合使用。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成与所述IC的单层相对应的电路图案，并且可以将该图案成像到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上，其中所述衬底具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于器件制造过程的缺陷确定或预测方法，所述器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，所述方法包括：从所述图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述工艺窗口限制图案被加工所依据的工艺参数；将所述工艺参数编译成工艺参数图；和使用所述工艺参数图来确定或预测利用所述器件制造过程由所述工艺窗口限制图案产生的缺陷。

【技术特征摘要】
2014.02.12 US 61/939,071;2014.02.24 US 61/943,8341.一种用于器件制造过程的缺陷确定或预测方法，所述器件制造过程涉及将图案加工至衬底上，所述方法包括：从所述图案识别出工艺窗口限制图案(PWLP)；确定所述工艺窗口限制图案被加工所依据的工艺参数；将所述工艺参数编译成工艺参数图；和使用所述工艺参数图来确定或预测利用所述器件制造过程由所述工艺窗口限制图案产生的缺陷。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述工艺参数由多个数据源组成。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述多个数据源中的第一个数据源包括相对高的数据密度，并且所述多个数据源中的第二个数据源包括相对低的数据密度。4.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述工艺参数图转换为约束图。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：斯蒂芬·亨斯克，V·维拉恩基，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL