【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于贯穿波长的相似性的度量强健性相关申请的交叉引用本申请要求享有2016年5月17日提交的EP申请16169982.2的优先权,并且该申请在此通过全文引用的方式并入本文。
本文的描述涉及光刻设备和工艺,并更特别地涉及一种用于检查或测量由光刻设备和工艺所制造的衬底的工具和方法。
技术介绍
制造诸如半导体器件之类的器件一般包括使用许多图案化工艺和图案化设备处理衬底以形成各种特征和多个器件层。一般使用例如沉积、光刻、刻蚀、化学机械抛光、和离子注入而图案化这些层和特征。可以在衬底上多个裸片上图案化多个器件并随后分割成单个器件。图案化工艺可以包括使用图案化设备,诸如使用光刻设备,的光学和/或纳米压印光刻的图案化步骤以在衬底上提供图形,并且一般地但是并非可选地包括一个或多个相关图形处理步骤,诸如由显影设备对抗蚀剂显影,使用烘焙工具烘焙衬底,使用刻蚀设备使用图形而刻蚀等等。进一步,可以在图案化工艺中包括一个或多个度量工艺。在图案化工艺期间各个步骤处使用度量工艺以监视并控制工艺。例如,使用度量工艺以测量衬底的一个或多个特征,诸如在图案化工艺期间形成在衬底上的特征的相对位置(例如配 ...
【技术保护点】
1.一种方法,包括:通过使用衬底测量方案,从衬底上的目标获得测量结果;由硬件计算机系统根据所述测量结果确定参数,其中对于根据所述衬底测量方案所使用的入射辐射,所述参数表征所述测量结果对于所述目标的光程长度的依赖性,以及确定所述参数包括确定所述测量结果对于所述入射辐射的波长的相对变化的依赖性;以及如果所述参数并未在指定的范围内,则调节所述衬底测量方案。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.17 EP 16169982.21.一种方法,包括:通过使用衬底测量方案,从衬底上的目标获得测量结果;由硬件计算机系统根据所述测量结果确定参数,其中对于根据所述衬底测量方案所使用的入射辐射,所述参数表征所述测量结果对于所述目标的光程长度的依赖性,以及确定所述参数包括确定所述测量结果对于所述入射辐射的波长的相对变化的依赖性;以及如果所述参数并未在指定的范围内,则调节所述衬底测量方案。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述测量结果包括重叠误差、对准、焦点或临界尺寸。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述测量结果包括来自所述目标的两个衍射阶的归一化强度非对称性。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述参数是所述测量结果相对于所述光程长度的相对变化的导数。5.根据权利要求1所述的方法,其中,确定所述参数包括使用至少两个不同波长获得测量结果。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述参数是在使用具有不同波长的入射辐射的两个衬底测量方案所获得的两组测量结果之间的差。7.根据权利要求1所述的方法,其中,调节所述衬底测量方案包括调节与所述衬底测量方案相关的测量目标结构的参数。8.根据权利要求7所...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·加西亚·格兰达,C·M·里维斯,F·斯塔尔斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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