A pattern forming apparatus includes a reflective marking, wherein the marking includes: a plurality of reflective regions configured to preferentially reflect radiation with a given wavelength; a plurality of absorption regions configured to preferentially absorb radiation with the given wavelength; and the absorption region and the reflection region arranged to reflect from the marking when irradiated by radiation. Patterned radiation beams, where the reflecting region includes a roughened reflecting surface configured to diffuse radiation reflected from the reflecting region, and the root mean square roughness of the roughened reflecting surface therein is about one eighth or greater of a given wavelength.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案形成装置相关申请的交叉引用本申请要求于2016年6月3日提交的欧洲申请16172794.6的优先权，该欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种图案形成装置。图案形成装置可适合应用于光刻设备中。本专利技术具体但非排他性地与EUV光刻设备和EUV光刻工具结合使用。
技术介绍
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。光刻设备所使用的用于将图案投影到衬底上的辐射波长决定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(具有在4-20nm范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可用于在衬底上形成比常规光刻设备(所述常规光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。包括标识(marker)的图案形成装置可用于光刻设备中。标识可以赋予辐射束标记，所述标记随后可以被测量以便获得光刻设备的一个或更多个属性。可能期望提供一种包括标识的图案形成装置，其克服或减轻与现有技术相关的问题。这里描述的本专利...
【技术保护点】
1.一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：多个反射区域，被配置为优先反射具有给定波长的辐射；和多个吸收区域，被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射；其中所述吸收区域和反射区域被布置成在用辐射照射所述标识时形成从所述标识反射的图案化辐射束，并且其中所述反射区域包括粗糙化的反射表面，所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射，以及其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为所述给定波长的八分之一或更大。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.03 EP 16172794.61.一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：多个反射区域，被配置为优先反射具有给定波长的辐射；和多个吸收区域，被配置为优先吸收具有所述给定波长的辐射；其中所述吸收区域和反射区域被布置成在用辐射照射所述标识时形成从所述标识反射的图案化辐射束，并且其中所述反射区域包括粗糙化的反射表面，所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射，以及其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为所述给定波长的八分之一或更大。2.根据权利要求1所述的图案形成装置，其中，所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为所述给定波长或更小。3.根据权利要求1或2所述的图案形成装置，其中，所述反射区域设置在吸收层上，并且其中所述吸收区域包括所述吸收层上没有设置反射区域的区域。4.一种图案形成装置，包括反射式标识，其中所述标识包括：吸收层，被配置为吸收入射辐射；多个反射区域，设置在所述吸收层上并被配置为反射入射辐射；其中所述吸收层上没有设置反射区域的区域形成吸收区域，并且其中所述吸收区域和反射区域被布置成在利用辐射照射所述标识时形成从所述标识反射的图案化辐射束；并且其中，所述反射区域包括粗糙化的反射表面，所述粗糙化的反射表面被配置为扩散从所述反射区域反射的辐射。5.根据权利要求4所述的图案形成装置，其中，所述反射区域被配置为优先反射具有给定波长的辐射，并且其中所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为给定波长的八分之一或更大。6.根据权利要求4或5所述的图案形成装置，其中，所述粗糙化的反射表面的均方根粗糙度约为给定波长或更小。7.根据权利要求4-6中任一项所述的图案形成装置，其中，所述吸收层包括粗糙化的吸收表面。8.根据前述权利要求中任一项所述的图案形成装置，其中，所述粗糙化的反射表面包括其高度作为横跨所述表面的距离的基本上连续的函数变化的反射表面。9.根据权利要求1-7中任一项所述的图案形成装置，其中，所述粗糙化的反射表面包括反射表面，所述反射表面包括所述反射表面的高度上的阶跃变化。10.根据前述权利要求中任一项所述的图案形成装置，其中，所述吸收区域包括粗糙化的吸收表面。11.根据前述权利要求中任一项所述的图案形成装置，其中，所述反射区域和吸收区域被布置成形成反射式衍射光栅。12.根据权利要求11所述的图案形成装置，其中，所述衍射光栅包括沿光栅方向延伸的周期性光栅，并且其中所述标识大致位于第一平面中；并且其中所述周期性光栅的单位单元包括反射区域和吸收区域，其中所述吸收区域包括吸收材料被成形为具有关于镜像平面的非镜面对称性的结构，其中所述镜像平面是沿着所述光栅方向延伸、基本上垂直于所述第一平面、并且基本上平分所述吸收区域的平面。13.根据前述权利要求中任一项所述的图案形成装置，其中，所述反射区域包括多层结构，所述多层结构包括至少具有不同折射率的第一材料的层和第二材料的层，使得辐射被从所述第一材料和第二材料之间的界面反射。14.一种图案形成装置，适当地包括大致位于第一平面中的标识，其中所述标识包括反射式衍射光栅，所述反射式衍射光栅包括沿光栅方向延伸的周期性光栅；其中所述周期性光栅的单位单元包括反射区域和吸收区域，其中所述反射区域配置成反射入射辐射，所述吸收区域配置成吸收入射辐射，其中所述吸收区域包括吸收材料被成形为具有关于镜像平面的非镜面对称性的结构，其中所述镜像平面是沿着所述光栅方向延伸、基本上垂直于所述第一平面、并且基本上平分所述吸收区域的平面。15.根据权利要求14所述的图案形成装置，其中，所述吸收区域包括粗糙化的吸收表面，所述粗糙化的吸收表面被配置为扩散从所述吸收区域反射的任何辐射。16.一种相位扩散器，被配置为接收和透射EUV辐射，其中所述相位扩散器被配置为根据辐射入射到所述相位扩散器上的位置、以不同的量改变由所述相位扩散器透射的EUV辐射的相位，使得具有相同相位并且在不同位置处入射到所述相位扩散器上的EUV辐射从具有不同相位的相位扩散器发射出。17.根据权利要求16所述的相位扩散器，其中，所述相位扩散器包括具有第一折射率的第一材料和具有第二折射率的第二材料。18.根据权利要求17所述的相位扩散器，其中，所述第一材料和第二材料被布置成使得当用辐射照射所述相位扩散器时，辐射的第一部分穿过所述第一材料，辐射的第二部分穿过所述第二材料，其中所述辐射的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：G·F·J·沙斯富特，P·德格罗特，M·Y·斯德拉科夫，M·P·J·M·迪克斯，J·M·芬德尔斯，彼得詹·范兹沃勒，J·J·M·巴塞曼斯，S·鲍默，L·C·德温特，W·J·恩格伦，M·A·范德柯克霍夫，R·J·伍德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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