【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于EUV光刻术的隔膜相关申请的交叉引用本申请要求于2016年4月25日提交的EP申请16166775.3、于2016年10月21日提交的EP申请16195123.1以及2016年12月20日提交的EP申请16205298.9的优先权，这些申请的内容在此通过引用而全文并入本文。
本专利技术涉及用于一种EUV光刻术的隔膜、图案形成装置组件和动态气锁组件。
技术介绍
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在集成电路的单层上形成的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或几个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。光刻术被广泛地看作制造集成电路和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成实现制造微型集成电路或其他器...
【技术保护点】
1.一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜包括具有以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中所述第一金属与所述第二金属不同，并且所述第三金属与所述第一金属相同或不同。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.25 EP 16166775.3;2016.10.21 EP 16195123.1;1.一种用于EUV光刻术的隔膜，所述隔膜包括具有以下顺序的层的叠层：第一覆盖层，包括第一金属的氧化物；包括化合物的基层，所述化合物包括第二金属和选自由Si、B、C和N组成的组的附加元素；和第二覆盖层，包括第三金属的氧化物，其中所述第一金属与所述第二金属不同，并且所述第三金属与所述第一金属相同或不同。2.根据权利要求1所述的隔膜，其中，所述基层的厚度比所述第一覆盖层和第二覆盖层中的任一个或两者中的每个厚达至少五倍。3.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中，所述第一金属和第三金属中的任一个或两者选自由Nb、Zr、Ce、Ti、La、Y和Al所组成的组。4.根据权利要求3所述的隔膜，其中，所述第一金属和第三金属中的任一个或两者选自由Zr和Y所组成的组。5.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中，在所述基层的化合物中：所述第二金属是Mo，所述附加元素是Si；所述第二金属是Ru，所述附加元素是Si；所述第二金属是Zr，所述附加元素是Si；所述第二金属是La，所述附加元素是Si；所述第二金属是Sc，所述附加元素是Si；所述第二金属是Y，所述附加元素是Si；所述第二金属是Nb，所述附加元素是Si；所述第二金属是Mo，所述附加元素是B；所述第二金属是Ru，所述附加元素是B；所述第二金属是Zr，所述附加元素是B；所述第二金属是Nb，所述附加元素是B；所述第二金属是Ti，所述附加元素是B；所述第二金属是La，所述附加元素是B；或者所述第二金属是Zr，所述附加元素是C。6.根据权利要求5所述的隔膜，其中，在所述基层的化合物中：所述第二金属是Mo，所述附加元素是Si；或者所述第二金属是Ru，所述附加元素是Si。7.根据权利要求5所述的隔膜，其中，在所述基层的化合物中：所述第二金属是Mo，所述附加元素是B；或者所述第二金属是Ru，所述附加元素是B。8.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中，在所述基层中包括所述第二金属和所述附加元素的所述化合物由所述第二金属和所述附加元素构成。9.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中：所述第一金属是Zr；所述第二金属是Mo，所述附加元素是Si；并且所述第三金属是Zr。10.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中：第一金属的氧化物是包括第一金属和一种或更多种其他金属的混合金属氧化物；第三金属的氧化物是包括第二金属和一种或更多种其他金属的混合金属氧化物；或第一金属的氧化物是包括第一金属和一种或更多种其他金属的混合金属氧化物，第三金属的氧化物是包括第三金属和一种或更多种其他金属的混合金属氧化物。11.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中，所述基层包括多个基层子层，所述基层子层中的至少一个包含包括第二金属和附加元素的化合物。12.根据权利要求11所述的隔膜，其中：所述基层包括基层第一子层、基层第二子层和基层第三子层；所述基层第二子层设置在基层第一子层和基层第三子层之间，并包括所述包括第二金属和附加元素的化合物；所述基层第一子层包括所述附加元素的氧化物；和所述基层第三子层包括所述附加元素的氧化物。13.根据权利要求12所述的隔膜，其中，所述基层第一子层的至少一部分与所述第一覆盖层中的第一金属的氧化物接触。14.根据权利要求12或13所述的隔膜，其中，所述基层第三子层的至少一部分与第二覆盖层中的第三金属的氧化物接触。15.根据权利要求1-10中任一项所述的隔膜，其中，在所述基层中包括所述第二金属和附加元素的化合物的至少一部分与第一覆盖层中的第一金属的氧化物和第二覆盖层中的第三金属的氧化物中的任一个或两者接触。16.根据权利要求1-12中任一项所述的隔膜，其中，所述第一覆盖层包括第一覆盖层第一子层和第一覆盖层第二子层，所述第一覆盖层第一子层包括所述第一金属的氧化物，并且所述第一覆盖层第二子层包括第一覆盖层沉积的氧化物，所述第一覆盖层第二子层位于所述第一覆盖第一子层和所述基层之间。17.根据权利要求16所述的隔膜，其中，所述第一覆盖层沉积的氧化物包括硅的氧化物。18.根据权利要求1-12、16和17中任一项所述的隔膜，其中，所述第二覆盖层包括第二覆盖层第一子层和第二覆盖层第二子层，所述第二覆盖层第一子层包括所述第三金属的氧化物，并且所述第二覆盖层第二子层包括第二覆盖层沉积的氧化物，所述第二覆盖层第二子层位于所述第二覆盖第一子层和所述基层之间。19.根据权利要求18所述的隔膜，其中，所述第二覆盖层沉积的氧化物包括硅的氧化物。20.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中：所述第一覆盖层和第二覆盖层每个都具有小于5nm的厚度。21.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中：所述基层具有等于或大于8nm的厚度。22.根据权利要求21所述的隔膜，其中，选择所述基层的厚度以实现来自所述第一覆盖层和第二覆盖层的EUV反射之间的相消干涉。23.根据权利要求21或22所述的隔膜，其中，所述基层具有9+/-2nm或16nm+/-2nm的厚度。24.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中，所述第一覆盖层和第二覆盖层中的任一个或两者形成所述隔膜的外表面的至少一部分。25.根据前述权利要求中任一项所述的隔膜，其中，所述第一金属的氧化物和第三金属的氧化物是氧导电氧化物。26.一种用于EUV光刻术的隔膜，其中：所述隔膜包括隔膜层，所述隔膜层包含包括金属和附加元素的化合物；和所述隔膜的两个外表面的至少一部分由所述隔膜层中的所述化合物或由所述附加元素的氧化物形成，其中：所述金属是Mo，所述附加元素是Si；所述金属是Ru，所述附加元素是Si；所述金属是Zr，所述附加元素是Si；所述金属是La，所述附加元素是Si；所述金属是Sc，所述附加元素是Si；所述金属是Y，所述附加元素是Si；所述金属是Nb，所述附加元素是Si；所述金属是Mo，所述附加元素是B；所述金属是Ru，所述附加元素是B；所述金属是Zr，所述附加元素是B；所述金属是Nb，所述附加元素是B；所述金属是Ti，所述附加元素是B；所述金属是La，所述附加元素是B；或者所述金属是Zr，所述附加元素是C。27.根据权利要求26所述的隔膜，其中：所述隔膜层具有等于或大于8nm的厚度。28.根据权利要求27所述的隔膜，其中，选择所述隔膜层的厚度以实现来自所述隔膜层的相对侧上的界面的EUV反射之间的相消干涉。29.根据权利要求27或28所述的隔膜，其中，所述隔膜层具有9+/-2nm或16nm+/-2nm的厚度。30.根据权利要求26-29中任一项所述的隔膜，其中：所述金属是Mo，所述附加元素是Si；或者所述金属是Ru，所述附加元素是Si。31.根据权利要求26-29中任一项所述的隔膜，其中：所述金属是Mo，所述附加元素是B；或者所述金属是Ru，所述附加元素是B。32.一种用于使用具有波长λ的EUV辐射的EUV光刻术的隔膜，所述隔膜包括具有以下顺序的层的叠层：第一保护性覆盖层；第一发射率层，具有λ/2的厚度；第一阻挡层，具有λ/4的厚度；基层；其中，所述第一保护性覆盖层具有与第一发射率层的折射率和第一阻挡层的折射率匹配的折射率；并且其中，选择层的厚度以实现来自所述隔膜的相对侧上的界面的EUV反射之间的相消干涉。33.根据权利要求32所述的隔膜，还包括：第二保护性覆盖层；第二发射率层，具有λ/2的厚度；第二阻挡层，具有λ/4的厚度；...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·纳萨莱维奇，E·A·阿贝格，N·班纳吉，M·A·布劳，德克·S·G·布龙，保罗·詹森，M·可鲁依宁嘉，E·兰德林克，N·马克西姆，A·尼基帕罗夫，A·W·诺滕博姆，C·彼烈戈，M·彼得，G·里斯朋斯，N·舒，M·A·范德柯克霍夫，威廉·琼·范德赞德，彼得詹·范兹沃勒，A·W·弗尔堡，J·P·M·B·沃缪伦，D·F·弗莱斯，WP·福尔蒂森，A·N·兹德拉夫科夫，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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