【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造隔膜组件的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年7月17日提交的欧洲申请15177332.2的优先权,并且它通过引用而全文合并到本文中。
本专利技术涉及一种用于制造隔膜组件的方法和一种隔膜组件。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底(通常是衬底的目标部分)上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分、一个或多个管芯)上。图案的转移通常通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常,单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而,随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小,光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出,如等式(1)所示:其中λ是所用辐射的波长,NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径 ...
【技术保护点】
一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法,所述方法包括:提供叠层,所述叠层包括平坦衬底和至少一个隔膜层,其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域;和选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域,使得所述隔膜组件包括:由所述至少一个隔膜层形成的隔膜;和保持所述隔膜的边界,所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成;其中所述叠层设置有机械保护材料,所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.17 EP 15177332.21.一种制造用于EUV光刻术的隔膜组件的方法,所述方法包括:提供叠层,所述叠层包括平坦衬底和至少一个隔膜层,其中所述平坦衬底包括内部区域和围绕所述内部区域的边界区域;和选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域,使得所述隔膜组件包括:由所述至少一个隔膜层形成的隔膜;和保持所述隔膜的边界,所述边界由所述平坦衬底的所述边界区域形成;其中所述叠层设置有机械保护材料,所述机械保护材料被配置成在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的步骤期间以机械的方式保护所述边界区域。2.如权利要求1所述的方法,其中选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的所述步骤包括:使用化学蚀刻剂以便选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域,其中所述机械保护材料在化学上是抗所述化学蚀刻剂的。3.如前述任一权利要求所述的方法,包括:在选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域之后移除所述机械保护材料。4.如前述任一权利要求所述的方法,其中所述机械保护材料具有至少1微米的厚度。5.如前述任一权利要求所述的方法,其中所述机械保护材料具有至多5微米的厚度。6.如前述任一权利要求所述的方法,其中所述机械保护材料为交联聚合物。7.如前述任一权利要求所述的方法,其中所述机械保护材料为聚(对二甲苯)聚合物。8.如前述任一权利要求所述的方法,其中所述机械保护材料为帕利灵或型材料。9.如前述任一权利要求所述的方法,其中选择性地移除所述平坦衬底的所述内部区域的所述步骤包括:将掩模材料沉积至所述叠层的底部表面;选择性地移除所述掩模材料使得掩模层由沉积至所述叠层的所述底部表面的对应于所述平坦衬底的所述边界区域的所述掩模材料形成;和各向异性地蚀刻所述平坦衬底的所述内部区域。10.如前述任一权利要求所述的方法,其中所述平坦衬底包括具有大于100纳米的厚度的氧化层和非氧化层,其中所述氧化层在所述非氧化层与所述至少一个隔膜层之间。11.如前述任一权利要求所述的方法,其中所述至少一个隔膜层被通过化学气相沉积施加至所述平坦衬底。12.如前述任一权利要求所述的方法,其中所述至少一个隔膜层包括至少一个多晶硅层。13.如权利要求12所述的方法,其中所述至少一个多晶硅层通过使至少一个非晶硅层晶化形成。14.如...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·H·克洛特韦克,W·T·A·J·范登艾登,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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