光刻设备及用于加载衬底的方法技术

一种光刻设备包括支撑台和气体抽取系统。所述气体抽取系统被配置成当所述衬底正被降低到所述支撑台上时，从在所述支撑台的基底表面与衬底之间的间隙通过至少一个气体抽取开口抽取气体。所述光刻设备被配置使得当在所述衬底与所述支撑平面之间的距离大于阈值距离时从所述间隙以第一加载流率抽取气体，和当在所述衬底与所述支撑平面之间的距离小于所述阈值距离时从所述间隙以第二流率抽取气体，其中所述第二加载流率小于所述第一加载流率。

Photolithography equipment and methods for loading substrates

A photolithography device includes a support table and a gas extraction system. The gas extraction system is configured to extract gas from the gap between the base surface and the substrate of the support platform through at least one gas extraction opening when the substrate is being reduced to the supporting platform. The lithographic apparatus is configured such that when the supporting plane the distance between the substrate and the distance is greater than the threshold from the gap in the first loading rate of gas extraction, and when the substrate and the supporting plane between the distance is less than the threshold distance from the gap between the second extraction rate gas, wherein the second loading flow rate is less than the first loading rate.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备及用于加载衬底的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年6月11日递交的欧洲专利申请EP15171545.5的优先权，并且其通过引用全文并入本文中。
本专利技术涉及一种光刻设备以及一种用于加载衬底的方法，尤其涉及一种用于光刻设备的支撑台。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可以将所述图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常经由将图案成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层来进行。通常，单个衬底将包括被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与所述方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每个目标部分。也可能通过将图案压印至衬底上而将图案从图案形成装置转移至衬底。已提出在光刻投影设备中将衬底浸没于具有相对高折射率的液体(例如，水)中，以便填充投影系统的最终元件与衬底之间的空间。在实施例中，液体为蒸馏水，但可使用另一种液体。将参考液体来描述本专利技术的实施例。然而，另一种流体可以是合适的，特别是润湿流体、不可压缩的流体和/或具有折射率高于空气的折射率(理想地，高于水的折射率)的流体。排除气体的流体是特别期望的。这种情形的要点在于能实现较小特征的成像，这是因为曝光辐射在液体中将具有较短的波长。(液体的作用也可被视为增加系统的有效数值孔径(NA)并且也增加聚焦深度或焦深)。已提议其它浸没液体，包括其中悬浮有固体粒子(例如，石英)的水，或悬浮有纳米粒子(例如，最大尺寸高达10nm的粒子)的液体。悬浮粒子可以具有或不具有与悬浮有所述悬浮粒子的液体相似或相同的折射率。可能合适的其它液体包括烃，诸如，芳香族烃、氟代烃和/或水溶液。将衬底、或衬底和支撑台浸没于液体浴中(参见(例如)美国专利第4,509,852号)意味着存在必须在扫描曝光期间被加速的较大液体主体。这需要额外或更大功率的马达，并且液体中的湍流可能导致不被期望的和不可预知的作用。在浸没式设备中，浸没流体被流体处理系统、装置结构或设备处理。在实施例中，所述流体处理系统可以供应浸没流体并且因此是流体供应系统。在实施例中，流体处理系统可至少部分地限制浸没流体且因此是流体限制系统。在实施例中，流体处理系统可以提供对于浸没流体的阻挡，由此是阻挡构件(诸如流体限制结构)。在实施例中，流体处理系统可以产生或使用气流，例如用来帮助控制所述浸没流体的流量和/或位置。气流可以形成密封件以限制浸没流体，因此所述流体处理结构可以被称为密封构件；这样的密封构件可以是流体限制结构。在实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在所述情况下，所述流体处理系统可以是液体处理系统。在关于上述的描述中，在本段中对关于流体而限定的特征的提及可以被理解为包括关于液体而限定的特征。
技术实现思路
在浸没式设备或在干式设备中，衬底在曝光过程期间被夹持到支撑台可以是通过使得在衬底和支撑台之间的区域处于相对于环境压力低的压力帮助进行述夹持。环境压力是围绕衬底和支撑台的压力。由支撑台和衬底包围的区域可以处于接近真空压强，使得衬底被真空夹持至衬底台。支撑台包括形成在该支撑台中的一个或多个孔。所述孔有利于衬底的夹持。可以从由衬底和支撑台包围的区域通过所述孔抽取气体，由此降低在该区域中的用于衬底夹持的压强或压力。衬底被加载到支撑台上。在衬底加载期间，衬底可以由于重力而变形。如果在衬底加载期间抽取气体，那么衬底可能在其变形的状态下被夹持，这增加了重叠。可替代地，如果气体在晶片加载期间没有被抽取，那么将花费较长的时间以将衬底夹持至支撑台。这增加了衬底的生产或产出时间。例如期望提供改善被夹持的衬底的变形和生产量的组合的一种光刻设备和一种加载衬底的方法。根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻设备，包括：配置成支撑衬底的支撑台；和气体抽取系统；其中所述支撑台包括：基底表面；在所述基底表面上方突出的多个突节，所述多个突节中的每个具有各自的突节远端，所述突节远端被布置在支撑平面中以便支撑所述衬底；和连接至所述气体抽取系统的至少一个气体抽取开口；和其中所述气体抽取系统被配置成当所述衬底正被降低到所述支撑台上时，从在基底表面和衬底之间的间隙通过每个气体抽取开口抽取气体；其中所述光刻设备被配置使得：当在所述衬底和所述支撑平面之间的距离大于阈值距离时，从所述间隙以第一加载流率抽取气体，和当在所述衬底和所述支撑平面之间的距离小于所述阈值距离时，从所述间隙以第二加载流率抽取气体，其中所述第二加载流率小于所述第一加载流率。根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻设备，包括：配置成支撑衬底的支撑台；和气体抽取系统；其中所述支撑台包括：基底表面；在所述基底表面上方突出的多个突节，所述多个突节中的每个具有各自的突节远端，所述突节远端被布置在支撑平面中以便支撑所述衬底；和在所述基底表面上方突出的至少一个突出部，每个突出部具有各自的突出部远端，其中所述各自的突出部远端与所述支撑平面间隔开一衬底加载距离；其中每个突出部远端被设置有连接至所述气体抽取系统的气体抽取开口，其中每个气体抽取开口具有气体抽取开口直径，其中所述衬底加载距离小于所述气体抽取开口直径的一半；和其中所述气体抽取系统被配置成当所述衬底正被降低到所述支撑台上时，从在所述基底表面和所述衬底之间的间隙通过每个气体抽取开口抽取气体。根据本专利技术的一个方面，提供了一种光刻设备，包括：配置成支撑衬底的支撑台；和气体抽取系统；其中所述支撑台包括：基底表面；在所述基底表面上方突出的多个突节，所述多个突节中的每个具有各自的突节远端，所述突节远端被布置在支撑平面上以便支撑所述衬底；连接至所述气体抽取系统的至少一个气体抽取开口中的第一组；和连接至所述气体抽取系统的至少一个气体抽取开口中的第二组；和其中所述气体抽取系统被配置成：当在所述衬底和所述支撑平面之间的距离大于阈值距离时，从在所述基底表面和所述衬底之间的间隙通过所述第一组抽取气体，使得当在所述衬底与所述支撑平面之间的距离大于阈值距离时，从所述间隙以第一加载流率抽取气体；其中所述气体抽取系统被配置成：当在所述衬底与所述支撑平面之间的距离小于所述阈值距离时，停止从所述间隙通过所述第一组抽取气体，使得当在所述衬底与所述支撑平面之间的距离小于所述阈值距离时，从所述间隙以第二加载流率抽取气体，其中所述第二加载流率小于所述第一加载流率。根据本专利技术的一个方面，提供了一种用于将衬底加载到用于光刻设备的支撑台上的方法，所述支撑台包括：基底表面；在所述基底表面上方突出的多个突节，所述多个突节中的每个具有各自的突节远端，所述突节远端被布置在支撑平面中以便支撑所述衬底；和至少一个气体抽取开口，所述至少一个气体抽取开口被配置成当所述衬底正降低到所述支撑台上时，从在所述基底表面和所述衬底之间的间隙抽取气体；其中所述方法包括：朝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，包括：支撑台，所述支撑台被配置用以支撑衬底；和气体抽取系统；其中所述支撑台包括：基底表面；在所述基底表面上方突出的多个突节，所述多个突节中的每个具有各自的突节远端，所述突节远端被布置在支撑平面中以便支撑所述衬底；和连接至所述气体抽取系统的至少一个气体抽取开口，以及其中所述气体抽取系统被配置用以当所述衬底正被降低到所述支撑台上时，从在基底表面和衬底之间的间隙通过每个气体抽取开口抽取气体；其中所述光刻设备被配置使得：当在所述衬底和所述支撑平面之间的距离大于阈值距离时，从所述间隙以第一加载流率抽取气体，以及当在所述衬底和所述支撑平面之间的距离小于所述阈值距离时，从所述间隙以第二加载流率抽取气体，其中所述第二加载流率小于所述第一加载流率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.11 EP 15171545.51.一种光刻设备，包括：支撑台，所述支撑台被配置用以支撑衬底；和气体抽取系统；其中所述支撑台包括：基底表面；在所述基底表面上方突出的多个突节，所述多个突节中的每个具有各自的突节远端，所述突节远端被布置在支撑平面中以便支撑所述衬底；和连接至所述气体抽取系统的至少一个气体抽取开口，以及其中所述气体抽取系统被配置用以当所述衬底正被降低到所述支撑台上时，从在基底表面和衬底之间的间隙通过每个气体抽取开口抽取气体；其中所述光刻设备被配置使得：当在所述衬底和所述支撑平面之间的距离大于阈值距离时，从所述间隙以第一加载流率抽取气体，以及当在所述衬底和所述支撑平面之间的距离小于所述阈值距离时，从所述间隙以第二加载流率抽取气体，其中所述第二加载流率小于所述第一加载流率。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述支撑台包括：在所述基底表面上方突出的至少一个突出部，每个突出部具有各自的突出部远端，其中所述各自的突出部远端与所述支撑平面间隔开一衬底加载距离；其中每个突出部远端被设置有所述至少一个气体抽取开口中的气体抽取开口，所述气体抽取开口具有气体抽取开口直径，其中所述衬底加载距离小于所述气体抽取开口直径的一半。3.一种光刻设备，包括：支撑台，所述支撑台被配置用以支撑衬底；和气体抽取系统；其中所述支撑台包括：基底表面；在所述基底表面上方突出的多个突节，所述多个突节中的每个具有各自的突节远端，所述突节远端被布置在支撑平面中以便支撑所述衬底；和在所述基底表面上方突出的至少一个突出部，每个突出部具有各自的突出部远端，其中所述各自的突出部远端与所述支撑平面间隔开一衬底加载距离；其中每个突出部远端被设置有连接至所述气体抽取系统的气体抽取开口，其中每个气体抽取开口具有气体抽取开口直径，其中所述衬底加载距离小于所述气体抽取开口直径的一半；和其中所述气体抽取系统被配置成当所述衬底正被降低到所述支撑台上时，从在所述基底表面和所述衬底之间的间隙通过每个气体抽取开口抽取气体。4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述衬底加载距离小于所述气体抽取开口直径的四分之一。5.根据任一前述权利要求所述的光刻设备，其中所述气体抽取系统包括：与所述气体抽取开口流体连通的缓冲体积体，其中所述支撑台被设定尺寸且被布置成使得当所述衬底向下接触到所述支撑台时，减小从在所述基底表面与所述衬底之间的间隙通过所述气体抽取开口抽取到所述缓冲体积体中的气体的流率；和与所述缓冲体积体流体连通的负压源，所述负压源被配置成在所述衬底向下接触到所述支撑台之前和之后，以实质上恒定的速率从所述缓冲体积体抽取气体。6.根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述负压源被配置成从所述缓冲体积体经由阻扼流动抽取气体。7.根据权利要求5或6所述的光刻设备，其中所述气体抽取系统被配置使得在当所述衬底向下接触到所述支撑台时，在进入到所述缓冲体积体中的气体的流率初始地减少之后，进入所述缓冲体积体中的气体的流率花费至少20ms返回到稳态值。8.根据任一前述权利要求所述的光刻设备，其中所述至少一个气体抽取开口包括所述至少一个气体抽取开口中的第一组和所述至少一个气体抽取开口中的第二组，其中所述气体抽取系统被配置成当在所述衬底与所述支撑平面之间的距离小于所述阈值距离时，停止从所述间隙通过所述第一组抽取气体。9.一种光刻设备，包括：支撑台，所述支撑台被配置用以支撑衬底；和气体抽取系统；其中所述支撑台包括：基底表面；在所述基底表面上方突出的多个突节，所述多个突节中的每个具有各自的突节远端，所述突节远端被布置在支撑平面上以便支撑所述衬底；连接至所述气体抽取系统的至少一个气体抽取开口中的第一组；和连接至所述气体抽取系统的至少一个气体抽取开口中的第二组，并且其中所述气体抽取系统被配置成：当在所述衬底和所述支撑平...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·A·索图特，T·波耶兹，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL