【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求2013年12月05日提交的欧洲申请13195846的权益,该申请的全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及用于测量衬底上的结构的方法和设备及用于误差校正的模型。本专利技术可以例如应用在微观结构的基于模型的量测中,例如以评定光刻设备的临界尺寸(CD)或重叠性能。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加到衬底上、通常是到衬底的目标部分上的机器。可以例如在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。在这种场合下,可替代地称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成待形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或数个管芯的部分)上。图案的转移典型地是凭借到设置于衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上的成像来进行。一般情况下,单一个衬底将包含被相继地图案化的邻接目标部分的网络。已知的光刻设备包括:所谓的步进器,其中通过使整个图案一次曝光到目标部分上来辐照各目标部分;和所谓的扫描器,其中通过在给定方向(“扫描”方向)上凭借辐射束扫描图案同时同步地平行于或反向平行于该方向扫描衬底来辐照各目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上而使图案从图案形成装置转移至衬底。为了监测光刻工艺,测量图案化的衬底的参数。参数可以包括例如形成在图案化的衬底中或上的相继层之间的重叠误差和显影的光敏抗蚀剂的临界线宽(CD)。该测量可以在产品衬底上和/或在专用量测目标上执行。存在有用于进行在光刻工艺中形成的微观结构的测量的各种技术,包括扫描电子显微镜和各种专业工具的使用。一种快速且非侵入形式的专业检查工具是将辐射束指向到衬底的 ...
【技术保护点】
一种测量衬底上的结构的参数的方法,所述方法包括如下步骤:(a)定义数学模型,在所述数学模型中所述结构的形状和材料性质由包括至少一个感兴趣的参数的多个参数代表;(b)用一个或多个辐射束照射所述结构并且检测由于所述辐射与所述结构之间的相互作用而产生的信号;(d)通过在使所述感兴趣的参数变化并且使至少一个其他参数不变化的情况下模拟所述辐射与所述数学模型之间的相互作用,计算多个模型信号;(e)通过在使所述其他参数根据假定的统计行为变化的情况下模拟所述辐射与所述数学模型之间的相互作用,计算对于所述其他参数的影响的模型;(f)在使用所述影响的模型来抑制所述其他参数的在所述模型信号中没有被代表的变化的影响的情况下,计算在检测到的信号与在步骤(d)中计算的模型信号中的至少一些之间的匹配的程度;(g)基于计算的所述匹配的程度报告所述感兴趣的参数的测量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.05 EP 13195846.41.一种测量衬底上的结构的参数的方法,所述方法包括如下步骤:(a)定义数学模型,在所述数学模型中所述结构的形状和材料性质由包括至少一个感兴趣的参数的多个参数代表;(b)用一个或多个辐射束照射所述结构并且检测由于所述辐射与所述结构之间的相互作用而产生的信号;(d)通过在使所述感兴趣的参数变化并且使至少一个其他参数不变化的情况下模拟所述辐射与所述数学模型之间的相互作用,计算多个模型信号;(e)通过在使所述其他参数根据假定的统计行为变化的情况下模拟所述辐射与所述数学模型之间的相互作用,计算对于所述其他参数的影响的模型;(f)在使用所述影响的模型来抑制所述其他参数的在所述模型信号中没有被代表的变化的影响的情况下,计算在检测到的信号与在步骤(d)中计算的模型信号中的至少一些之间的匹配的程度;(g)基于计算的所述匹配的程度报告所述感兴趣的参数的测量。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述影响的模型提供加权矩阵,通过所述加权矩阵在检测到的信号与模型信号之间的所述匹配的程度与所述信号的一些部分相比更取决于其他部分。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述检测到的信号是通过角分辨散射测量得到的二维衍射图案,并且所述加权矩阵针对所述衍射图案中的一些像素定义了比其他像素低的权重,以计算所述匹配的程度。4.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述影响的模型提供了在计算匹配的程度之前被从所述检测到的信号减去的均值误差信号。5.根据权利要求4所述的方法,其中所述检测到的信号是通过角分辨散射测量得到的二维衍射图案,并且所述影响的模型提供了均值误差矩阵,由此在计算所述匹配的程度之前不同的误差值被从所述检测到的衍射图案的不同像素减去。6.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述其他参数是在步骤(a)中建模的所述结构的所述形状或材料的参数。7.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述其他参数是用于在步骤(b)中获得所述检测到的信号的检测设备的参数。8.根据任一前述权利要求所述的方法,其中多个感兴趣的参数在步骤(d)中被改变并且在步骤(g)中被报告。9.根据任一前述权利要求所述的方法,其中多个其他参数在步骤(d)中被固定并且在步骤(e)中被改变。10.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述步骤(d)和所述步骤(f)在迭代循环中通过回归执行以找到所述感兴趣的参数的值,而不重新计算所述影响的模型。11.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法,其中所述步骤(d)和所述步骤(f)在迭代循环中通过回归执行以找到所述感兴趣的参数的值,并且其中所述影响的模型在所述循环的一个或多个迭代之后被重新计算以考虑所述感兴趣的参数中的更新。12.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述影响的模型包括用于多个其他参数的与所述假定的统计行为的模型组合的一个或多个雅可比矩阵。13.根据任一前述权利要求所述的方法,其中所述假定的统计行为的模型包括用于该或各所述其他参数的标称值和方差。14.一种用于测量衬底上的结构的参数的检查设备,所述设备包括:-用于衬底的支撑,所述衬底具有在所述衬底上形成的所述结构;-光学系统,用于用一个或多个辐射束照射所述结构并且检测由于所述辐射与所述结构之间的相互作用而产生的信号;-处理器,被布置成:通过模拟所述辐射与数学模型之间的相互作用计算多个模型信号,在所述数学模型中所述结构的形状和材料性质由包括至少一...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·P·敏克,J·M·布鲁克,I·塞蒂加,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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