【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480071653
【技术保护点】
一种形成用于极紫外光源的成形靶的方法，所述方法包括：形成与靶区域至少部分一致的第一剩余等离子体；将包括处于第一空间分布的靶材料的靶提供至所述靶区域，所述靶材料包括当被转换成等离子体时发射EUV光的材料；使所述第一剩余等离子体与初始靶相互作用，所述相互作用使所述靶材料从所述第一空间分布重新布置成成形靶分布以在所述靶区域中形成成形靶，所述成形靶包括以所述成形空间分布布置的所述靶材料；将放大光束朝向所述靶区域导向以使所述成形靶中的所述靶材料中的至少一些转换成发射EUV光的等离子体，所述放大光束具有足够将所述成形靶中的所述靶材料转换成发射EUV光的等离子体的能量；和使第二剩余等离子体在所述靶区域中形成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶业争，J·T·斯特瓦特，D·J·W·布朗，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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