光刻设备及制造光刻设备的方法技术

一种光刻设备包括：通道(46)，用于两相流从其中通过，其中通道形成在块体内，所述块体具有第一材料(100)；第二材料(160)，介于第一材料和通道之间，其中第二材料具有大于第一材料的比热容的比热容；和第三材料(90)，介于第二材料和通道之间，其中第三材料具有大于第二材料的导热率的导热率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求于2014年6月10日提交的欧洲专利申请14171800.7和于2015年3月18日提交的欧洲专利申请15159551.9的权益，它们的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及一种光刻设备和一种制造光刻设备的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成在所述IC的单层上待形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单独的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括：所谓的步进机，在所述步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也能够通过将图案压印(imprinting)到衬底上的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。在浸没设备中，浸没流体通过流体处理系统、装置结构或设备被处理。在一个实施例中，流体处理系统可以供给浸没流体，并且因此为流体供给系统。在一个实施例中，流体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，并且由此为流体限制系统。在一个实施例中，流体处理系统可以为浸没流体提供阻挡，并且由此为阻挡元件，例如流体限制结构。在一个实施例中，流体处理系统可以形成或使用气流，例如以辅助控制浸没流体的流动和/或位置。气流可以形成限制浸没流体的密封，因此流体处理结构可以被称为密封构件，这样的密封构件可以为流体限制结构。在一个实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在这种情况下，流体处理系统可以为液体处理系统。参照上述描述，在本段落中对关于流体而言限定的特征的引用可以被理解为包括关于液体而言限定的特征。在光刻设备中处理浸没液体导致了一个或多个液体处理问题。在物体(例如衬底和/或传感器)和在物体(例如衬底和/或传感器)的边缘周围的台(例如衬底台或测量台)之间通常存在间隙。美国专利申请公开出版物US2005-0264778公开了用材料填充该间隙或者提供液体源或低压源以用液体刻意地填充该间隙，从而避免由于间隙在液体供给系统下穿过而包含气泡和/或移除进入间隙的任何液体。来自物体的边缘和定位物体的台之间的间隙的液体可以通过通道被移除。当液体被移除时，也可以通过通道移除气体。液体和气体的两相流可以穿过通道。该用于两相流的通道可以设置在光刻设备的其它部分中，例如在液体限制系统中。该两相流可能导致其中形成有通道的部件或其它邻近部件中不期望的温度变化。
技术实现思路
例如期望提供由通过光刻设备中的通道的两相流所导致的不期望的温度改变的减小。根据一个方面，提供了一种光刻设备，包括：通道，用于两相流从其中通过，其中通道形成在块体内，所述块体具有第一材料；第二材料，介于第一材料和通道之间，其中第二材料具有大于第一材料的比热容的比热容；和第三材料，介于第二材料和通道之间，其中第三材料具有大于第二材料的导热率的导热率。根据一个方面，提供了一种光刻设备，包括：通道，用于两相流从其中通过，其中通道形成在块体内，所述块体具有第一材料；第二材料，介于第一材料和通道之间，其中第二材料具有小于第一材料的导热率的导热率；和第三材料，介于第二材料和通道之间，其中第三材料具有大于第二材料的导热率的导热率。根据一个方面，提供了一种光刻设备，包括：通道，用于两相流从其中通过，其中通道形成在块体内，所述块体具有第一材料；第二材料，介于第一材料和通道之间，其中第二材料满足λ/(ρCspecific)≤1×10-7m2s-1，其中λ为第二材料的导热率，单位为Wm-1K-1，ρ为第二材料的密度，单位为kgm-3，并且Cspecific为第二材料的比热容，单位为Jkg-1K-1。根据一个方面，提供了一种制造光刻设备的方法，所述方法包括：提供其中形成有通道的第一材料的块体；通过所述通道提供两相流的通过；在第一材料和通道之间提供第二材料，其中第二材料具有大于第一材料的比热容的比热容；和在第二材料和通道之间提供第三材料，其中第三材料具有大于第二材料的导热率的导热率。根据一个方面，提供了一种制造光刻设备的方法，所述方法包括：提供其中形成有通道的第一材料的块体；通过所述通道提供两相流的通过；在第一材料和通道之间提供第二材料，其中第二材料具有小于第一材料的导热率的导热率；和在第二材料和通道之间提供第三材料，其中第三材料具有大于第二材料的导热率的导热率。根据一个方面，提供了一种制造光刻设备的方法，所述方法包括：提供其中形成有通道的第一材料的块体；通过所述通道提供两相流的通过；和在第一材料和通道之间提供第二材料，其中第二材料满足λ/(ρCspecific)≤1×10-7m2s-1，其中λ为第二材料的导热率，单位为Wm-1K-1，ρ为第二材料的密度，单位为kgm-3，并且Cspecific为第二材料的比热容，单位为Jkg-1K-1。附图说明现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本专利技术的实施例，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且在附图中：图1示出根据本专利技术的实施例的光刻设备；图2示出光刻投影设备中使用的液体供给系统；图3为示出根据一个实施例的另一液体供给系统的侧截面图；图4-5示出一个实施例的衬底台的一部分的截面图；图6示出一个实施例的第二材料的一部分的立体图；图7-9示出一个实施例的衬底台的一部分的截面图；图10示出一个实施例的第三材料的一部分的侧视图和截面图；以及图11示出一个实施例的衬底台的一部分的截面图。具体实施方式图1示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻设备。所述光刻设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B(例如，紫外(UV)辐射或任何其他合适的辐射)；掩模支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据特定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连。所述光刻设备还包括衬底台(例如，晶片台)WT或“衬底支撑装置”，构造用以保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W并且与配置用于根据特定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连。所述光刻设备还包括投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述掩模支撑结构支撑(即支承)图案形成装置的重量。其以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述掩模支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述掩模支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述掩模支撑结构可以确保图案形成装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备，包括：通道，用于两相流从其中通过，其中通道形成在块体内，所述块体具有第一材料；第二材料，介于第一材料和通道之间，其中第二材料具有大于第一材料的比热容的比热容和/或小于第一材料的导热率的导热率；和第三材料，介于第二材料和通道之间，其中第三材料具有大于第二材料的导热率的导热率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.06.10 EP 14171800.7;2015.03.18 EP 15159551.91.一种光刻设备，包括：通道，用于两相流从其中通过，其中通道形成在块体内，所述块体具有第一材料；第二材料，介于第一材料和通道之间，其中第二材料具有大于第一材料的比热容的比热容和/或小于第一材料的导热率的导热率；和第三材料，介于第二材料和通道之间，其中第三材料具有大于第二材料的导热率的导热率。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中第二材料满足λ/(ρCspecific)≤1×10-6m2s-1，其中λ为第二材料的导热率，单位为Wm-1K-1，ρ为第二材料的密度，单位为kgm-3，并且Cspecific为第二材料的比热容，单位为Jkg-1K-1。3.根据权利要求1或2所述的光刻设备，其中第二材料选自由聚对亚二甲苯聚合物、聚四氟乙烯、玻璃和陶瓷构成的组，和/或包括聚对亚二甲苯聚合物。4.根据权利要求1、2或3所述的光刻设备，其中第三材料选自由不锈钢、铜、银、金、铂和硅渗透碳化硅构成的组。5.根据权利要求1至4中任一项所述的光刻设备，其中第三材料为连续的，或者被形成为第三材料的连接件的网或网络，或者被形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·H·M·考蒂，C·W·J·贝德伦森，A·B·珍宁科，A·H·考沃埃特斯，J·V·奥沃卡姆普，S·A·特姆普，V·V·伟越，D·E·R·阿登纳特德，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL