度量方法、计算机产品和系统技术方案
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】度量方法、计算机产品和系统相关申请的交叉引用本申请要求于2014年11月26日提交的EP申请14195009.7的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种用于例如在通过光刻技术制造器件时可用的度量的方法、设备和计算机产品，并且涉及一种使用光刻技术制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加至衬底上、通常至衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在该情形下，通常替代地称作掩模或掩模板的图案化装置可以用于产生将要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转移至衬底(例如硅晶片)上的目标位置(例如包括一个或若干裸片的一部分)上。图案的转移通常是经由成像至设置在衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。在光刻过程中(也即对器件或其他结构显影的过程，包括光刻曝光，其可以通常包括一个或多个相关联的处理步骤，诸如抗蚀剂的显影、刻蚀等)，期望频繁地对所产生结构进行测量，例如用于工艺控制和验证。用于进行这些测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微...
【技术保护点】
一种方法，包括：根据目标的测量值来确定所述目标的结构不对称的类型；以及执行所述目标的光学测量的模拟以确定与所述不对称类型相关联的不对称参数的值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.26 EP 14195009.71.一种方法，包括：根据目标的测量值来确定所述目标的结构不对称的类型；以及执行所述目标的光学测量的模拟以确定与所述不对称类型相关联的不对称参数的值。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述不对称参数包括使用所述目标的测量的由于所述不对称而导致的位置偏移。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述不对称参数包括比例因子，所述比例因子将使用所述目标的测量的由于所述不对称而导致的位置偏移与使用所述目标的测量的由于所述不对称而导致的依赖于工艺的比例因子偏移相关。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中确定所述目标的结构不对称的类型包括：根据所述光学测量的参数来评估根据所述目标的测量确定的套刻的值、或者根据所述目标的测量确定的由于所述不对称而导致的依赖于工艺的比例因子偏移的值。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述光学测量的参数包括所述光学测量的测量光束的波长和/或偏振。6.根据权利要求4或5所述的方法，其中评估确定的值包括确定以下两者之间的拟合：(i)所述确定的值，或者表示所述确定的值的构造，以及(ii)作为所述光学测量的参数的函数的所述套刻或依赖于工艺的比例因子偏移的值的一个或多个指纹集，或者表示所述值的指纹集的一个或多个指纹构造，每个指纹集或指纹构造表示不同类型的不对称。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法，还包括分析所述不对称参数对于与所述目标相关联的目标形成参数的变化的敏感度。8.根据权利要求7所述的方法，其中分析所述敏感度包括针对所述不对称参数对于所述目标形成参数的变化的敏感度的最小值而确定所述光学测量的参数的值。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述光学测量的参数包括所述光学测量的测量光束的波长和/或偏振。10.根据权利要求7至9中的任一项所述的方法，其中所述分析包括执行模拟。11.根据权利要求1至10中的任一项所述的方法，其中所述目标包括覆盖的周期性结构。12.根据权利要求11所述的方法，其中执行模拟包括针对指定的不对称被设置为零的横向移位的覆盖的周期性结构的光学测量的模拟。13.根据权利要求1至12中的任一项所述的方法，还包括根据所述模拟来确定使用所述目标的测量的由于所述不对称而导致的依赖于工艺的比例因子偏移的值以及使用所述目标的测量的由于所述不对称而导致的位置偏移的值。14.根据权利要求1至13中的任一项所述的方法，还包括基于所述不对称参数来校正根据所述目标的测量确定的所述目标的套刻或对准值。15.一种方法，包括：执行目标的光学测量的模拟以确定与根据所述目标的测量值确定的所述目标的结构不对称的类型相关联的不对称参数的值；以及分析所述不对称参数对于与所述目标相关联的目标形成参数的变化的敏感度。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述不对称参数包括比例因子，所述比例因子将使用所述目标的测量的由于所述不对称而导致的位置偏移与使用所述目标的测量的由于所述不对称而导致的依赖于工艺的比例因子偏移相关。17.根据权利要求15或16所述的方法，还包括针对所述不对称参数对于所述目标形成参数的变化的敏感度的最小...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·J·登博夫，K·布哈塔查里亚，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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