用于监测辐射源的装置、辐射源、监测辐射源的方法、器件制造方法制造方法及图纸

用于监测用于光刻设备的辐射源中的蒸气或来自蒸气的沉积物的电容性测量。测量可以用于控制辐射源的操作。在一个特定布置中，来自多个电容器的测量用于在由蒸气引起的电容上的改变与由来自蒸气的沉积物引起的电容上的改变之间进行区分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于监测辐射源的装置、辐射源、监测辐射源的方法、器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2014年9月11日提交的欧洲申请14184445.6的权益，并且该申请通过引用全部合并于此。
本申请的实施例涉及用于监测用于光刻设备的辐射源的装置、辐射源、监测辐射源的方法和器件制造方法。该实施例特别涉及使用一个或多个电容器来测量辐射源中的蒸气的浓度或来自蒸气的沉积物的量。辐射源的控制可以基于测得的蒸气的浓度或沉积物的量来实施。
技术介绍
光刻被广泛地认为是集成电路(IC)和其他器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻做出的特征的尺寸变得更小，光刻正变成用于使得微型IC或其他器件和/或结构能够被制造的更加至关重要的因素。光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常是到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以例如用在IC的制造中。在该实例中，可以使用备选地称为掩模或掩模版的图案形成装置来生成待形成在IC的各个层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括裸片的一部分，一个或若干裸片)上。图案的转移典型地凭借成像到设置在衬底上的辐射敏感材料层(抗蚀剂)上。一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于监测用于光刻设备的辐射源的装置，所述辐射源被配置成通过从燃料生成等离子体来产生辐射，所述装置包括：一个或多个电容器，其中每个电容器包括至少两个导体，所述至少两个导体被安装成使得蒸气能够流过所述导体之间的间隙，其中所述间隙中的所述蒸气的浓度和由所述蒸气在所述间隙中形成的沉积物的量中的一项或两项对所述电容器的电容具有影响；和测量系统，被配置成：通过测量所述一个或多个电容器中的至少一个电容器的电容或依赖于所述电容的参数，针对所述一个或多个电容器中的至少一个电容器，输出在所述电容器的所述间隙中的所述蒸气的浓度的测量和在所述电容器的所述间隙中的所述沉积物的量的测量中的一项或两项。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.11 EP 14184445.61.一种用于监测用于光刻设备的辐射源的装置，所述辐射源被配置成通过从燃料生成等离子体来产生辐射，所述装置包括：一个或多个电容器，其中每个电容器包括至少两个导体，所述至少两个导体被安装成使得蒸气能够流过所述导体之间的间隙，其中所述间隙中的所述蒸气的浓度和由所述蒸气在所述间隙中形成的沉积物的量中的一项或两项对所述电容器的电容具有影响；和测量系统，被配置成：通过测量所述一个或多个电容器中的至少一个电容器的电容或依赖于所述电容的参数，针对所述一个或多个电容器中的至少一个电容器，输出在所述电容器的所述间隙中的所述蒸气的浓度的测量和在所述电容器的所述间隙中的所述沉积物的量的测量中的一项或两项。2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：控制器，被配置成使用由所述测量系统输出的所述蒸气的所述浓度的所述测量或所述沉积物的所述量的所述测量来控制所述辐射源的一个或多个操作参数。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述一个或多个操作参数包括被配置成将激光辐射传递至所述燃料以便创建所述等离子体的激光传递系统的操作参数。4.根据权利要求2或3所述的装置，其中所述一个或多个操作参数包括燃料输送系统的操作参数，所述燃料输送系统被配置成生成待蒸发的所述燃料的流。5.根据权利要求2至4中的任一项所述的装置，其中所述控制器被配置成控制所述一个或多个操作参数，使得当由所述测量系统测得的所述蒸气的所述浓度的所述测量下降到低于下阈值时，所述等离子体的生成速率被增加。6.根据权利要求2至5中的任一项所述的装置，其中所述一个或多个操作参数包括气体输送系统的操作参数，所述气体输送系统被配置成提供用于从所述辐射源中去除蒸气的通过所述辐射源的气流。7.根据权利要求2至6中的任一项所述的装置，其中所述控制器被配置成检测由所述测量系统测得的所述沉积物的所述量的所述测量何时上升到高于上阈值。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述控制器被进一步配置成输出指示由所述测量系统测得的所述沉积物的所述量的所述测量已上升到高于所述上阈值的警报信号、启动清洁程序或者使所述辐射源进入安全模式或关闭。9.根据前述权利要求中的任一项所述的装置，其中所述一个或多个电容器包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器和所述第二电容器中的每个电容器包括至少两个导体；所述第一电容器的所述至少两个导体与所述第二电容器的所述至少两个导体不同地配置；以及所述测量系统被配置成：使用来自所述第一电容器和所述第二电容器两者的测量，针对所述第一电容器和所述第二电容器中的任一个或两者，在由所述电容器的所述间隙中的蒸气的浓度引起的对所述电容器的所述电容的影响与由所述电容器的所述间隙中的由所述蒸气形成的沉积物的量引起的对所述电容器的所述电容的影响之间进行区分。10.根据权利要求9所述的装置，其中所述第一电容器包括在第一表面区域上彼此面对的两个导体；所述第二电容器包括在第二表面区域上彼此面对的两个导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·W·伯加特，赵创新，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL