掩模组件和相关联的方法技术
Mask assembly and associated method
A method comprises the following steps: receiving components including a mask mask and maintained by the surface membrane of the frame can be removed EUV transparent membrane, the membrane frame and EUV transparent table film removal from the mask on the mask, the mask pattern formed on the use of inspection tools and will be followed by the membrane box supports EUV transparent membrane attached to the mask. The method also comprises the following steps: after the pellicle frame and EUV transparent membrane is removed from the mask, will keep the alternative alternative membrane membrane frame attached to the mask, alternative membrane by the inspection for beam inspection tool basically transparent material is formed; and after the examination check tool mask mask pattern mould, by alternative alternative film frame table table to keep the removal from the mask, so as to maintain the EUV framework by surface membrane membrane attached to the transparent mask.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】掩模组件和相关联的方法相关申请的交叉引用本申请要求2015年2月3日提交的美国申请62/111,380和2015年2月20日提交的美国申请62/118,922和2015年12月21日提交的美国申请62/270,330的优先权，这些申请通过引用全部并入本文。
本专利技术涉及掩模组件，并且特别地但非排除性地涉及使用掩模组件的方法。掩模组件可以包括掩模和表膜。本专利技术具有与EUV光刻设备和EUV光刻工具有关的特别但非排他性的使用。
技术介绍
光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以例如用在集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将来自图案化装置(例如，掩模)的图案投影到设置在衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。由光刻设备使用以将图案投影到衬底上的辐射的波长确定可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。使用作为具有在范围4nm至20nm内的波长的电磁辐射的EUV辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成与常规光刻设备(其可以例如使用具有193nm的波长的电磁辐射)相比较小的特征。用于将图案赋予光刻设备中的辐射束的掩模可以形成掩模组件的一部分。掩模组件可以包括保...
【技术保护点】
一种方法，包括以下步骤：接收掩模组件，所述掩模组件包括掩模、和由表膜框架保持的可去除的EUV透明表膜；将所述表膜框架和所述EUV透明表膜从所述掩模上去除；使用检查工具检查所述掩模上的掩模图案；以及随后将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至所述掩模。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.03 US 62/111,380;2015.02.20 US 62/118,922;1.一种方法，包括以下步骤：接收掩模组件，所述掩模组件包括掩模、和由表膜框架保持的可去除的EUV透明表膜；将所述表膜框架和所述EUV透明表膜从所述掩模上去除；使用检查工具检查所述掩模上的掩模图案；以及随后将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至所述掩模。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在将所述表膜框架和所述EUV透明表膜从所述掩模上去除之后，将保持着备选表膜的备选表膜框架附接至所述掩模，所述备选表膜由对于所述检查工具的检查射束基本上透明的材料形成；以及在使用检查工具检查所述掩模上的所述掩模图案之后，将由所述备选表膜框架保持的所述备选表膜从所述掩模上去除，以便将由所述表膜框架保持的所述EUV透明表膜附接至所述掩模。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中将所述表膜框架从所述掩模上去除包括：使附接机构从附接特征上脱离，并且将所述表膜框架附接至所述掩模包括：使所述附接机构接合至附接特征。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述附接特征被联接至所述掩模，并且其中所述附接机构被联接至所述表膜框架。5.根据权利要求3或4所述的方法，其中在通过使所述附接机构从所述附接特征上脱离而将所述表膜框架和所述EUV透明表膜从所述掩模上去除之后，还将所述附接特征联接至所述掩模，使得在检查所述掩模上的所述掩模图案之后，所述附接特征可用于对由表膜框架保持的EUV透明表膜的随后附接。6.根据权利要求3至5中的任一项所述的方法，其中所述附接机构包括锁定构件，所述锁定构件被配置成与包括突起的附接特征接合。7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中随后附接至所述掩模的所述EUV透明表膜和所述表膜框架是从所述掩模上去除的、相同的EUV透明表膜和表膜框架。8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述备选表膜对于由所述掩模检查工具使用的非EUV辐射束基本上是透明的。9.根据权利要求8所述的方法，其中由所述掩模检查工具使用的所述非EUV辐射束是DUV辐射束。10.根据权利要求2至7中的任一项所述的方法，其中所述备选表膜对于由所述掩模检查工具使用的粒子束基本上是透明的。11.根据权利要求10所述的方法，其中由所述掩模检查工具使用的所述粒子束是电子束。12.根据权利要求2至11中的任一项所述的方法，其中使用单独用于所述备选表膜、并且不用于所述EUV透明表膜的附接的附接机构，将所述备选表膜附接至所述掩模。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述备选表膜被附接至所述掩模，使得所述EUV透明表膜的所述附接特征不碰触所述备选表膜。14.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述掩模在整个所述方法中都处于清洁的环境中。15.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述方法进一步包括：将密封容器内的所述掩模组件从光刻设备转移到表膜去除和附接工具。16.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述方法进一步包括：将密封容器内的选自所述掩模、所述表膜组件或所述掩模组件的一项或多项从表膜去除和附接工具转移到掩模检查工具。17.根据权利要求1至14中的任一项所述的方法，其中所述掩模检查工具与所述表膜去除和附接工具被集成，使得所述掩模组件保持在相同环境中。18.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述方法进一步包括清洁所述掩模或所述表膜。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述附接特征在清洁期间保持被联接至所述掩模。20.根据权利要求18所述的方法，其中所述附接特征在清洁之前从所述掩模上被去除。21.根据权利要求15或权利要求16所述的方法，其中所述密封容器具有被配置成容纳所述表膜的下垂的凹陷部分。22.根据权利要求21所述的方法，其中所述容器的所述凹陷部分与所述掩模组件的所述表膜的平面之间的间隔在0.5mm与2mm之间。23.根据权利要求22所述的方法，其中所述容器的所述凹陷部分与所述掩模组件的所述表膜的平面之间的间隔在0.5mm与1mm之间。24.一种方法，包括以下步骤：接收掩模组件，所述掩模组件包括掩模、和由布置成可去除地附接至所述掩模的表膜框架保持的EUV透明表膜；将所述表膜框架和所述EUV透明表膜从所述掩模上去除；将由布置成可去除地附接至所述掩模的备选表膜框架保持的备选表膜附接至所述掩模，其中所述备选表膜由与用于形成所述EUV透明表膜的材料不同的材料形成，形成所述备选表膜的材料对于检查工具的检查射束基本上是透明的；使用所述检查工具中的所述检查射束检查所述掩模上的掩模图案；将所述备选表膜从所述掩模上去除；以及随后将由表膜框架保持的EUV透明表膜附接至所述掩模。25.根据权利要求24所述的方法，其中所述备选表膜框架与所述EUV透明表膜框架在不同的位置处被附接至所述掩模。26.一种掩模组件容器，包括：开口，掩模组件能够通过所述开口被放置在所述容器内；以及密封件，当所述掩模组件位于所述容器内时，所述密封件将所述开口密封住，其中所述容器具有被配置成容纳所述表膜的向外下垂的底板。27.根据权利要求26所述的掩模组件容器，其中当所述掩模组件被保持在密封的所述容器中时，所述底板与表膜平面之间的距离在0.5mm与1mm之间或者更大。28.一种掩模，设置有被配置成接收表...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·S·G·布龙斯，D·德格拉夫，R·C·M·德克鲁夫，P·詹森，M·克鲁兹加，A·W·诺藤博姆，D·A·史密斯，B·L·MJ·K·维布鲁格，J·N·威利，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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