【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备相关申请的交叉引用本申请主张于2014年12月17日提交的美国申请62/093,369的优先权,其通过援引而全文合并到本文中。
本专利技术涉及使用图案形成装置引入的相位的方法和设备,该方法和设备例如用在图案形成装置的图案以及图案形成装置的一个或更多个照明性质的优化中、用在图案形成装置上的一个或更多个结构层的设计中和/或计算光刻术中。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现。通常,单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括:所谓的步进机,在所述步进机中,通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;以及所谓的扫描器,在所述扫描器 ...
【技术保护点】
一种方法,所述方法包括:获得由光刻图案形成装置的图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息;以及基于所述计算的波前信息且使用计算机处理器来计算图案形成装置的图案的三维形貌的成像效应。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.17 US 62/093,3691.一种方法,所述方法包括:获得由光刻图案形成装置的图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息;以及基于所述计算的波前信息且使用计算机处理器来计算图案形成装置的图案的三维形貌的成像效应。2.根据权利要求1所述的方法,还包括获得计算的波前强度信息,且其中,该计算成像效应的步骤也基于所述计算的波前强度信息。3.根据权利要求1所述的方法,其中,获得波前信息包括获得该图案的三维形貌信息和基于所述三维形貌信息来计算由所述三维形貌导致的波前信息。4.根据权利要求3所述的方法,其中,计算所述波前信息是基于与光刻设备的照射轮廓相关联的衍射图案的。5.根据权利要求3所述的方法,其中,计算所述波前信息包括严格计算所述波前信息。6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述三维形貌选自:吸收体高度或厚度、折射率、消光系数和/或吸收体侧壁角。7.根据权利要求1所述的方法,其中,所述波前信息包括对于图案的多个临界尺寸的波前信息、和/或对于照射辐射的多个入射角和/或图案的多个侧壁角的波前信息、和/或对于图案的多个节距的波前信息、...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·M·芬德尔斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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