过程窗口识别符制造技术

本公开是计算机执行的方法，用于为器件制造过程确定设计布局的一部分上的感兴趣的区域的重叠过程窗口(OPW)，所述器件制造过程用于在衬底上成像所述部分，所述方法包括：获得所述感兴趣的区域中的多个特征；获得所述器件制造过程的一个或多个处理参数的多个值；确定所述器件制造过程在所述多个值中的每一个值的条件下成像所述多个特征时缺陷的存在、缺陷存在的可能性或二者；以及根据所述缺陷的存在、缺陷存在的可能性或二者，确定所述感兴趣的区域的所述重叠过程窗口。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】过程窗口识别符相关申请的交叉引用本申请要求于2014年9月22日递交的美国申请62/053,629的优先权，并且通过引用将其全部内容并入到本文中。
本专利技术涉及用于优化半导体制造过程的性能的方法。所述方法可以与光刻设备结合使用。
技术介绍
光刻设备可以例如用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置(例如掩模)可以包含或提供与所述IC(“设计布局”)的单层相对应的电路图案，并且利用诸如通过图案形成装置上的电路图案照射目标部分等方法可以将该电路图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)上，其中所述衬底已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层。通常，单个的衬底包含通过光刻设备连续地将电路图案转移至其上的多个相邻目标部分，一次处理一个目标部分。在一种类型的光刻设备中，整个图案形成装置上的电路图案一次转移到一个目标部分上，这种设备通常称为晶片步进机。在可替换的设备中(通常称为步进-扫描设备)，投影束沿着给定的参考方向(“扫描”方向)扫描通过图案形成装置，同时沿与该参考方向平行或反向平行的方向同步移动所述衬底。图案形成装置上的电路图案的不同部分逐步地被转移至一个目标部分。通常，由于光刻设备将具有放大因子M(通常＜1)，因此衬底移动的速度F将是因子M乘以投影束扫描图案形成装置的速度。与文中所述的光刻装置相关的更多信息可以例如在US6,046,792中获知，在此通过引用并入本文中。在从图案形成装置将电路图案转移至衬底之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底漆、抗蚀剂涂覆和软烘焙等等。在曝光之后，衬底可能经历其他工序，诸如曝光后烘焙(PEB)、显影、硬烘焙和被转移的电路图案的测量/检查等等。这一系列工序被用作制造器件(例如IC)的单层的基础。之后，衬底可能经历各种处理/过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学-机械抛光等等，所有这些处理/过程旨在完成器件的单个层。如果在器件中需要几个层，则整个工序或者其变体对应每个层被重复。最终，器件将呈现在衬底上的每个目标部分中。之后，这些器件通过诸如划片或切割等技术被彼此分开，由此单个的器件可以安装在载体上、连接至引脚等等。应该指出的是，微光刻术是IC制造中的中心步骤，在该步骤处形成在衬底上的图案限定IC的功能元件，诸如微处理器、存储芯片等等。类似的光刻技术也可以用于平板显示器、微机电系统(MEMS)和其他装置的形成过程中。
技术实现思路
文中公开的是计算机执行的用于确定设计布局的一部分上的感兴趣的区域的重叠过程窗口(OPW)的方法，所述方法用于将所述设计布局的一部分成像到衬底上的器件制造过程中，所述方法包括：在所述感兴趣的区域中获得多个特征；获得所述器件制造过程的一个或多个处理参数的多个值；在所述多个值中的每个值处通过所述器件制造过程成像所述多个特征时，确定缺陷的存在、缺陷存在的可能性或者确定两者；和根据缺陷的存在、缺陷存在的可能性或者两者确定所述感兴趣的区域的OPW。附图说明在此仅仅以示例的方式参照示意性附图对实施例进行描述，其中相应的附图标记指示相应的部件，并且在附图中：图1示出根据一实施例的光刻设备；图2示出过程窗口限制图案(PWLP)的概念；图3示出根据一实施例的用于确定感兴趣的区域的OPW的方法的流程图；图4示出两个处理参数-剂量(水平轴线)和焦距(垂直轴线)的值的示例；图5示出用于焦距的绘图；图6示出图4中的一些点导致图案中的缺陷或者导致出现缺陷的高的可能性。具体实施方式尽管本文中可对光刻设备在1C制造中的使用做出具体参考，但应理解，本文中所描述的光刻设备可具有其它应用，诸如制造集成光学系统、用于磁畴存储器的导引和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域普通技术人员应了解，在这些替代应用的情境中，可认为本文中术语“晶片”或“管芯”的任何使用分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。可在曝光之前或之后在例如轨道(通常将抗蚀剂层施加至衬底且显影经曝光的抗蚀剂的工具)、量测工具或检查工具中处理本文中所提及的衬底。在可以应用的情况中，可将本文中的披露内容应用于这些及其它衬底处理工具。另外，可将衬底处理一次以上，例如，以便产生多层IC，使得本文中所使用的术语“衬底”也可指已经包含多个经处理层的衬底。本文中所使用的术语“辐射”及“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，具有365纳米、248纳米、193纳米、157纳米或126纳米的波长)，和极紫外(EUV)辐射(例如具有在5-20nm的范围内的波长)以及粒子束(诸如离子束或电子束)。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的装置。应该注意的是，赋予辐射束的图案可能不与衬底的目标部分上的所需图案精确地对应。通常，被赋予至辐射束的图案将对应于目标部分中产生的器件(诸如，集成电路)中的特定功能。图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程LCD面板。掩模在光刻技术中是熟知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。这样，反射的束被图案化。支撑结构保持图案形成装置。支撑结构以依赖于图案形成装置的取向、光刻设备的设计以及诸如例如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械夹持、真空的或其它夹持技术(例如在真空条件下的静电夹持)。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的，其可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用可以看作与更为上位的术语“图案形成装置”同义。文中使用的术语“投影系统”可以广义地解释为包括各种类型的投影系统，包括折射型光学系统、反射型光学系统和反射折射型光学系统，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。文中对术语“投影透镜”的任何使用可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型和反射折射型光学部件，以引导、成形或控制辐射束，并且这样的部件也可以在下文中统称为或单独地称为“透镜”。光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多个支撑结构)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。所述光刻设备可以是其中衬底浸入具有相对高的折射率的液体(例如水)、以便填充投影系统与衬底之间的空间的类型。浸没技术可以用于增大投影系统的数值孔径，这在本领域是公知的。图1示意地示出了根据特定实施例的光刻设备。所述设备包括：-照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束PB(例如，UV辐射或DUV辐射)；-支撑结构MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与配置用于相对于部件PL精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；-衬底台(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种计算机执行的方法，用于为器件制造过程确定设计布局的部分上的感兴趣的区域的重叠过程窗口(OPW)，所述器件制造过程用于在衬底上成像所述部分，所述方法包括：获得所述感兴趣的区域中的多个特征；获得所述器件制造过程的一个或多个处理参数的多个值；确定所述器件制造过程在所述多个值中的每一个值的条件下成像所述多个特征时缺陷的存在、缺陷存在的可能性或二者；以及根据所述缺陷的存在、缺陷存在的可能性或二者，确定所述感兴趣的区域的所述重叠过程窗口。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.22 US 62/053,6291.一种计算机执行的方法，用于为器件制造过程确定设计布局的部分上的感兴趣的区域的重叠过程窗口(OPW)，所述器件制造过程用于在衬底上成像所述部分，所述方法包括：获得所述感兴趣的区域中的多个特征；获得所述器件制造过程的一个或多个处理参数的多个值；确定所述器件制造过程在所述多个值中的每一个值的条件下成像所述多个特征时缺陷的存在、缺陷存在的可能性或二者；以及根据所述缺陷的存在、缺陷存在的可能性或二者，确定所述感兴趣的区域的所述重叠过程窗口。2.根据权利要求1的方法，其中，基于表示所述设计布局的数据来选择所述多个特征。3.根据权利要求1的方法，其中，根据所述多个特征的各个过程窗口(IPW)的一个或多个特性确定缺陷的存在、缺陷存在的可能性或者两者，而不实际确定整个的各个过程窗口。4.根据权利要求3的方法，还包括将所述一个或多个特性汇编到图中。5.根据权利要求1的方法，其中，使用经验规律确定缺陷的存在、缺陷存在的可能性或者两者。6.根据权利要求1的方法，其中，使用计算或模拟所述多个特征的图像的一部分或特性的计算机模型确定缺陷的存在、缺陷存在的可能性或者两者，并且根据所述部分或所述特性确定缺陷的存在、缺陷存在的可能性或者两者。7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈钢，约瑟夫·W·德沃克特，杜月林，李万宇，卢彦文，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL