测量目标结构的属性的方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法技术方案
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】测量目标结构的属性的方法、检查设备、光刻系统和器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2014年9月1日提交的欧洲申请14183095.0的优先权，该申请通过引用整体并入本文。
本专利技术涉及可用于例如通过光刻技术执行器件的制造时的量测的方法和检查设备。本专利技术进一步涉及用于在这样的检查设备中使用的计算机程序产品和使用光刻技术制造器件的光刻系统和方法。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加到衬底上、通常到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以例如用在集成电路(IC)的制造中。在这种情形下，备选地称作掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成要形成在IC的单独层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括裸片的一部分、一个或若干裸片)上。图案的转移典型地凭借成像到设置在衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上。一般来说，单个衬底将包含被相继地图案化的相邻目标部分的网络。在光刻工艺中，期望频繁地进行所创建的结构的测量，例如用于工艺控制和验证。用于进行这样的测量的各种工具是已知的，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜，和用以测量重叠、...
【技术保护点】
一种测量衬底上的目标结构的属性的方法，所述方法包括如下步骤：(a)使用由所述目标结构在照射下衍射的辐射的预定部分获得所述目标结构的图像；(b)限定多个候选感兴趣区域，各候选感兴趣区域包括在所述图像中的多个像素；(c)至少部分基于所述感兴趣区域内的像素的信号值，限定用于所述候选感兴趣区域的优化度量值；(d)直接或间接限定目标信号函数，所述目标信号函数限定了所述图像中的各像素对目标信号值的贡献，各像素的所述贡献取决于(i)哪个候选感兴趣区域包含该像素和(ii)那些候选感兴趣区域的优化度量值；以及(e)使用通过根据限定的所述目标信号函数将来自检测到的图像的多个像素信号值组合而直接...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.01 EP 14183095.01.一种测量衬底上的目标结构的属性的方法，所述方法包括如下步骤：(a)使用由所述目标结构在照射下衍射的辐射的预定部分获得所述目标结构的图像；(b)限定多个候选感兴趣区域，各候选感兴趣区域包括在所述图像中的多个像素；(c)至少部分基于所述感兴趣区域内的像素的信号值，限定用于所述候选感兴趣区域的优化度量值；(d)直接或间接限定目标信号函数，所述目标信号函数限定了所述图像中的各像素对目标信号值的贡献，各像素的所述贡献取决于(i)哪个候选感兴趣区域包含该像素和(ii)那些候选感兴趣区域的优化度量值；以及(e)使用通过根据限定的所述目标信号函数将来自检测到的图像的多个像素信号值组合而直接或间接计算的目标信号值，来获得相同目标结构或不同目标结构的属性的测量。2.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中至少一些感兴趣区域彼此重叠，使得给定像素可以被包含在所述候选感兴趣区域中的超过一个候选感兴趣区域内。3.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中在步骤(e)中使用多个代表信号值中的至少一个来计算所述目标信号值，各代表信号值是所述候选感兴趣区域中的相应的一个内所包含的像素的像素信号值的组合。4.如权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中在步骤(d)中以贡献映射的形式来限定所述目标信号函数，在所述贡献映射中给定像素对所述目标信号值的贡献由权重值限定，并且在步骤(e)中根据在所述贡献映射中的其相应权重值将来自所述检测到的图像的像素信号值组合。5.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述优化度量值是基于在相应候选感兴趣区域内所包含的像素的像素信号值的统计离差的量度的。6.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述优化度量值是基于在包含候选感兴趣区域的集合的多维空间中的代表信号值相对于一个或多个参数的改变的速率的，所述代表信号值是从相应候选感兴趣区域内所包含的像素的像素信号值确定的。7.如前述权利要求中的任一项所述的方法，其中步骤(b)包括在所获得的图像中标识有界区域作为预备步骤，所述有界区域对应于特定目标结构，其中各候选感兴趣区域包括在所述有界区域内的多个像素。8.一种用于测量衬底上的目标结构的属性的检查设备，所述设备包括：-支撑件，用于在其上形成有所述目标结构的所述衬底；-光学系统，用于照射所述目标结构并且使用由所...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·博兹库尔特，M·J·J·加克，P·A·J·廷尼曼斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL
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