【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用图案形成装置形貌引入的相位的方法和设备相关申请的交叉引用本申请主张于2014年12月17日提交的美国申请62/093,358的优先权,其通过援引而全文合并到本文中。
本专利技术涉及使用图案形成装置引入的相位的方法和设备,该方法和设备例如用在图案形成装置的图案以及图案形成装置的一个或更多个照明性质的优化中、用在图案形成装置上的一个或更多个结构层的设计中和/或计算光刻术中。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上,通常是衬底的目标部分上的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来实现。通常,单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括:所谓的步进机,在所述步进机中,通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;以及所谓的扫描器,在所述扫描器 ...
【技术保护点】
一种方法,所述方法包括:对于由光刻图案形成装置的图案的辐射进行的照射,获得由所述图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息;以及基于所述波前相位信息且使用计算机处理器来调整照射的参数和/或调整所述图案的参数。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.17 US 62/093,3581.一种方法,所述方法包括:对于由光刻图案形成装置的图案的辐射进行的照射,获得由所述图案的三维形貌导致的计算的波前相位信息;以及基于所述波前相位信息且使用计算机处理器来调整照射的参数和/或调整所述图案的参数。2.根据权利要求1所述的方法,还包括:对于经过调整的照射和/或图案的参数,获得由所述图案的三维形貌所导致的计算的波前相位信息并调整照射的参数和/或调整图案的参数,其中所述获得步骤和调整步骤被重复直至满足一定的终止条件为止。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述调整步骤包括:基于波前相位信息来计算光刻量度和基于所述光刻量度来调整照射的参数和/或图案的参数。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述获得步骤包括:获得对于照射辐射的多个不同的入射角的所述计算的波前相位信息;且其中所述调整步骤包括:基于所述计算的波前相位信息来限定入射照射辐射的可接受的角度范围和在所限定的角度范围内调整照射的参数和/或图案的参数。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述调整步骤包括:计算多个设计变量的多变量函数,所述设计变量是光刻过程的特性,所述设计变量包括图案的照射的特性和图案的特性,其中所述多变量函数是所述计算的波前相位信息的函数。6.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·M·芬德尔斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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