【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于模拟辐射与结构的相互作用的方法和设备、量测方法和设备、器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年7月17日递交的欧洲申请15177294.4的优先权,并且其通过引用将其全文并入本专利技术中。
本专利技术涉及用于模拟辐射与结构的相互作用的方法和设备。本专利技术可应用于例如微观结构的量测中,例如,用以评估和改善光刻设备的性能。在该情况下,辐射可以是具有任何所需波长的电磁辐射。
技术介绍
光刻设备是将所需图案应用到衬底上(通常应用到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生待形成在IC的单层上的电路图案。可将此图案转移至衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个管芯或若干管芯)上。在光刻过程中,需要频繁地对所产生的结构进行测量,例如,用于过程控制和验证。用于进行这些测量的各种工具是公知的,包括经常用以测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜(SEM)。其他专用工具用以测量与不对称性相关的参数。这些参数之一是重叠(器件中的两层的对准准确度)。最近,已开发用于光刻领域中的各种形式的散射仪。这些器件将辐射束导向至目标上并且测量散射辐射的一个或更多个性质(例如,根据波长而变化的在单一反射角情况下的强度;根据反射角而变化的在一个或更多个波长情况下的强度;或根据反射角而变化的偏振)以获得具有一种形式或另一形式的“光谱(spectrum)”。术语“光谱”在此情境中将用于广义的范畴。光谱可指具有不同波长(色彩)的光谱,其可指代具有不同方向(衍射角)、不同偏振或这 ...
【技术保护点】
一种确定结构的参数的方法,所述结构包括多个子结构,所述方法包括以下步骤:(a)限定结构模型以在二维或三维模型空间中表示所述结构;(b)使用所述结构模型来模拟辐射与所述结构的相互作用;和(c)重复步骤(b)且同时变化所述结构模型的参数,其中为执行步骤(b),沿着所述模型空间的至少第一维度将所述结构模型划分成一系列片段,其中,通过划分成片段,由沿着所述模型空间的至少第二维度的一系列台阶来近似至少一个子结构的倾斜面,且其中在步骤(b)的重复之间使近似所述倾斜面的台阶的数目维持恒定而片段的数目变化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.17 EP 15177294.41.一种确定结构的参数的方法,所述结构包括多个子结构,所述方法包括以下步骤:(a)限定结构模型以在二维或三维模型空间中表示所述结构;(b)使用所述结构模型来模拟辐射与所述结构的相互作用;和(c)重复步骤(b)且同时变化所述结构模型的参数,其中为执行步骤(b),沿着所述模型空间的至少第一维度将所述结构模型划分成一系列片段,其中,通过划分成片段,由沿着所述模型空间的至少第二维度的一系列台阶来近似至少一个子结构的倾斜面,且其中在步骤(b)的重复之间使近似所述倾斜面的台阶的数目维持恒定而片段的数目变化。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述结构模型限定:(i)第一子结构,所述第一子结构在所述第一维度上的范围取决于第一参数,所述第一子结构具有由所述第二维度上的第一系列台阶近似的第一倾斜面,所述第一系列台阶中的台阶的数目在步骤(b)的所述重复之间是恒定的;和(ii)第二子结构,所述第二子结构在所述第一维度上的范围取决于第二参数,所述第二子结构具有由所述第二维度上的第二系列台阶近似的第二倾斜面,所述第二系列台阶中的台阶的数目在步骤(b)的所述重复之间是恒定的。3.根据权利要求2所述的方法,其中为了将所述结构模型划分成跨越所述第一子结构和所述第二子结构的连续的片段,必要情况下在所述第二子结构中引入切割部以与所述第一子结构中的台阶匹配,而不在近似的第二面中引入台阶。4.根据权利要求3所述的方法,其中为了将所述结构模型划分成跨越所述第一子结构和所述第二子结构的连续的片段,必要情况下在所述第一子结构中引入切割部以与所述第二子结构中的台阶匹配,而不在近似的第一面中引入台阶。5.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中所述结构模型限定:(i)下部子结构,所述下部子结构具有由下部一系列台阶近似的倾斜面,所述下部一系列台阶中的台阶的数目在步骤(b)的所述重复之间是恒定的;和(ii)上部子结构,所述上部子结构具有由上部一系列台阶近似的倾斜面,所述上部一系列台阶中的台阶的数目在步骤(b)的所述重复之间是恒定的。6.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中在每个系列台阶内,每个台阶在所述第一维度上的范围随着步骤(c)中的所述参数的变化而平滑地变化。7.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中至少一系列台阶包括在所述第一维度上具有相等范围的两个或更多个台阶,所述台阶的所述范围在所述方法的执行期间保持相等。8.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中至少一系列台阶包括在所述第一维度上具有不同范围的两个或更多个台阶,所述台阶的所述范围在所述方法的执行期间保持呈恒定比率。9.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中步骤(c)包括:(c1)比较在步骤(b)中所模拟的所述相互作用与在具有所述目标结构的量测设备中所观测的真实相互作用相互作用;(c2)基于所述比较的结果来变化所述结构模型的一个或更多个参数;和(c3)使用变化的参数来重复步骤(b),且其中所述方法还包括:(d)在步骤(c)的多次迭代之后,将所述结构模型的参数报告为所述目标结构的参数的测量结果。10.根据权利要求9所述的方法,其中所述量测设备是角分辨光谱仪,且其中步骤(c1)包括产生所述目标结构的模拟的散射光谱。11.一种用于确定结构的参数的处理设备,所述结构包括多个子结构,所述设备包括处理器,所述处理器被配置成执行以下步骤:(a)限定结构模型以在二维或三维模型空间中表示所述结构;(b)使用所述结构模型来模拟辐射与所述结构的相互作用;和(c)重复步骤(b)且同时变化所述结构模型的参数,其中为执行步骤(b),所述处理器被布置成沿着所述模型空间的至少第一维度将所述结构模型划分成一系列片段,其中,通过所述划分成片段,由沿着所述模型空间的至少第二维度的一系列台阶近似至少一个子结构的倾斜面,且其中所述处理器被配置成在步骤(b)的重复之间使近似所述倾斜面的台阶的数目维持恒定而片段的数目变化。12.根据权利要求11...
【专利技术属性】
技术研发人员:R·德克斯,M·G·M·M·范卡拉埃吉,M·皮萨连科,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰,NL
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