流体处理结构及光刻设备制造技术

本发明专利技术涉及一种包括流体处理结构的光刻浸没设备以及一种器件制造方法。在实施例中，流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域并且包括气刀系统，所述气刀系统包括每个具有出口的通道，所述通道包括具有多个对应的第一出口的多个第一通道和具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中至少一个第一通道和至少一个第二通道被配置成使得流出第一出口的气体的滞止压力大于流出第二出口的气体的滞止压力，其中多个第一通道和多个第二通道混合且布置成一行，使得第一出口和第二出口形成平面图中的形状的一侧。在实施例中，流体处理结构被配置成将浸没流体限制至一区域且在使用中包括气刀，流体处理结构包括至少一个出口，其中至少一个出口被布置成使得气刀形成平面图中的形状的一侧，且至少一个出口具有被配置成允许浸没流体的液滴自气刀的径向向外的位置移动至气刀的径向向内的位置且被配置成约束浸没流体的液滴自气刀的径向向内的位置移动至气刀的径向向外的位置的几何形状。

Fluid treatment structure and lithography equipment

The invention relates to a lithography immersion device including a fluid treatment structure and a device manufacturing method. In an embodiment, the fluid processing configuration is configured to limit the immersed fluid to an area and include an air knife system comprising each channel having an outlet, the channel comprising a plurality of first channels having a plurality of corresponding first exits and a plurality of second channels having a plurality of corresponding second exits. At least one of the first and at least one of the second channels is configured such that the stagnation pressure of the gas flowing out of the first outlet is greater than that of the gas flowing out of the second outlet, where the plurality of the first and the plurality of the second channels are mixed and arranged in a row so that the first and the second outlets form a shape in the plan. One side. In an embodiment, the fluid processing structure is configured to confine the immersed fluid to an area and include an air knife in use, and the fluid processing structure includes at least one outlet, wherein at least one outlet is arranged such that the air knife forms one side of the shape in the plan, and at least one outlet is configured to allow the immersion flow. The droplet of the body moves from the radial outward position of the air knife to the radial inward position of the air knife and is configured to constrain the droplet of the immersed fluid from the radial inward position of the air knife to the radial outward position of the air knife.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】流体处理结构及光刻设备相关申请的交叉引用本申请要求于2016年1月13日提交的欧洲申请16151117.5、于2016年2月4日提交的欧洲申请16154229.5和于2016年6月9日提交的欧洲申请16173708.5的优先权，并且它们通过引用而全文并入到本专利技术中。
本专利技术涉及一种流体处理结构、一种光刻设备及一种用于使用光刻设备制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路的制造中。已提出在光刻投影设备中将衬底浸没于例如具有相对高折射率的液体(例如，水)的浸没流体中，以便填充投影系统的最终元件与衬底之间的空间。浸没流体可以是蒸馏水，但可以使用另一种流体。将参考浸没流体描述本专利技术的实施例。许多流体可能是合适的，特别是润湿型流体、不可压缩的流体和/或具有折射率高于空气的折射率(期望地，高于水的折射率)的流体。排除气体的流体是特别期望的。这种情形的关键点在于能实现较小特征的成像，这是因为曝光辐射将在流体中具有较短的波长。(流体的作用也可以被认为是增加系统的有效数值孔径(NA)并且也增加聚焦深度或焦深)。已提议其它浸没流体，包括其中悬浮有固体粒子(例如，石英)的水，或悬浮有纳米粒子(例如，最大尺寸高达10nm的粒子)的液体。悬浮粒子可以具有或不具有与悬浮有所述悬浮粒子的液体相似或相同的折射率。可能合适的其它液体包括烃，诸如，芳香族烃、氟代烃和/或水溶液。在浸没式设备中，浸没流体被浸没系统、装置、结构或设备处理。在实施例中，所述浸没系统可以供给浸没流体并且因此被称作流体供给系统。在实施例中，浸没系统可以至少部分地限制浸没流体并且因此被称作流体限制系统。在实施例中，浸没系统可以为浸没流体提供阻挡，由此被称作阻挡构件(诸如流体限制结构)。在实施例中，浸没系统可以产生或使用气流，例如用来帮助控制所述浸没流体的流量和/或位置。气流可以形成密封件以限制浸没流体，因此，浸没系统可以包括可以提供气流的流体处理结构，所述流体处理结构可以被称作密封构件。在实施例中，浸没液体被用作浸没流体。在所述情况下，所述浸没系统可以是液体处理系统。然而，浸没系统的使用可以导致缺陷形成在衬底的顶表面上。缺陷可以由在衬底在流体处理结构下面通过之后留下的浸没流体的液滴引起。尤其，已知导致缺陷的至少两个主要机制，所述主要机制被称作推动和薄膜牵拉。衬底的表面上的缺陷可以导致衬底的表面上的误差，其可能降低良率。缺陷可以尤其意味着水印，或可以意味着可发生在衬底的表面上的其他缺陷。薄膜牵拉可以在衬底相对于浸没系统(诸如，流体处理结构或类似的)移动时发生。当衬底的表面相对于浸没流体移动时，衬底的表面上的任何变化(诸如，衬底的边缘)或不规则性可以在浸没流体穿过衬底时用作弯液面钉扎特征。这意味着当流体处理结构相对于衬底移动时，衬底的表面与流体处理结构之间的浸没流体的弯液面被拉长。在流体处理结构已移动某一距离之后，弯液面将最终断裂，且浸没流体被留在衬底的表面上，从而在衬底上产生液滴，其可以导致水印缺陷。剩余液滴可以因此导致感光材料的表面上的误差，其可能降低良率。可以通过在流体处理结构的后退侧处增加气刀的气体流量来减少薄膜牵拉。然而，这可以在流体处理结构的前进侧处具有其他结果。例如，使用针对于气刀的增加的气体流量将在流体处理结构的前进侧处增加“推动”，如下文所描述。推动也可以在衬底相对于流体处理结构移动时发生。当遇到在流体处理结构前方的浸没流体的液滴时，发生推动。当衬底移动时，流体处理结构的前进部分与浸没流体的液滴碰撞，且液滴由流体处理结构向前推动。当向前推动液滴时，在衬底的表面上产生缺陷。尽管这可以通过在流体处理结构的前进侧处减少气刀的气体流量来有效地减少，但这可以具有其他结果。例如，使用针对于气刀减少的气流可能意味着受限制的浸没流体较可能在所述后退侧处从流体处理结构逸出，因此导致其他缺陷。
技术实现思路
期望例如提供一种减少缺陷的光刻设备。在本专利技术中，提供一种浸没光刻设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构配置成将浸没流体限制至一区域且包括气刀系统，所述气刀系统包括每个具有出口的通道，所述通道包括具有多个对应的第一出口的多个第一通道和具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中至少一个第一通道和至少一个第二通道配置成使得流出第一出口的气体的滞止压力大于流出第二出口的气体的滞止压力，多个第一通道和多个第二通道被混合且布置成一行，使得第一出口和第二出口形成平面图中的形状的一侧。在本专利技术中，提供一种器件制造方法，包括：将图案化的辐射束投影至衬底上，其中所述图案化的辐射束穿过浸没流体的区域；使用流体处理结构将浸没流体限制至所述区域，其中所述流体处理结构包括气刀系统；和使用气刀系统在区域的径向外部产生气刀，其中所述气刀促成所述限制步骤，且其中所述气刀系统包括每个具有出口的通道，所述通道包括具有多个对应的第一出口的多个第一通道和具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中至少一个第一通道和至少一个第二通道配置成使得流出第一出口的气体的滞止压力大于流出第二出口的气体的滞止压力，多个第一通道和多个第二通道被混合且布置成一行，使得第一出口和第二出口形成平面图中的形状的一侧。在本专利技术中，提供一种浸没光刻设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构配置成将浸没流体限制至一区域且在使用中包括气刀，所述流体处理结构包括至少一个出口，其中至少一个出口配置成使得气刀形成平面图中的形状的一侧，至少一个出口具有配置成允许浸没流体的液滴自气刀的径向向外的位置移动至气刀的径向向内的位置且配置成约束浸没流体的液滴自气刀的径向向内的位置移动至气刀的径向向外的位置的几何形状。在本专利技术中，提供一种浸没光刻设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构配置成将浸没流体限制至一区域且在使用中包括气刀，其中所述流体处理结构包括至少一个出口，所述至少一个出口被布置成以便形成气刀，所述气刀形成平面图中的形状的一侧，其中所述一侧包括沿所述一侧的两个端部，间隙形成于沿平面图中的形状的所述侧的两个端部之间，所述端部中的一个包括弯曲部，其中在使用时，衬底被沿扫描方向相对于流体处理结构移动且在垂直于扫描方向的平面中，所述端部中的一个被定位成与另一端部重叠，使得在垂直于扫描方向的平面中不存在间隙。在本专利技术中，提供一种器件制造方法，包括：将图案化的辐射束投影至衬底上，其中所述图案化的辐射束穿过浸没流体的区域；使用浸没系统的流体处理结构将浸没流体限制至所述区域，其中所述流体处理结构包括气刀系统；和使用气刀系统在区域的径向外部产生气刀，其中所述气刀促成所述限制步骤，所述流体处理结构包括至少一个出口，其中至少一个出口被布置成使得气刀形成平面图中的形状的一侧，至少一个出口具有配置成允许浸没流体的液滴自气刀的径向向外的位置移动至气刀的径向向内的位置且配置成约束浸没流体的液滴自气刀的径向向内的位置移动至气刀之径向向外的位置的几何形状。在本专利技术中，提供一种器件制造方法，包括：将图案化的辐射束投影至衬底上，其中所述图案化的辐射束穿过浸没流体的区域；使用浸没系统的流体处理结构将浸没流体限制至所述区域，其中所述流体处理结构包括气刀系统；和在区域的径向外部产生气刀，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浸没光刻设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构配置成将浸没流体限制至一区域并且包括气刀系统，所述气刀系统包括多个通道，每个通道具有出口，所述多个通道包括具有多个对应的第一出口的多个第一通道和具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中至少一个第一通道和至少一个第二通道被配置成使得流出所述第一出口的气体的滞止压力大于流出所述第二出口的气体的滞止压力，所述多个第一通道和所述多个第二通道被混合且布置成一列，使得所述第一出口和所述第二出口形成平面图中的形状的一侧。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.13 EP 16151117.5;2016.02.04 EP 16154229.5;1.一种浸没光刻设备，包括流体处理结构，所述流体处理结构配置成将浸没流体限制至一区域并且包括气刀系统，所述气刀系统包括多个通道，每个通道具有出口，所述多个通道包括具有多个对应的第一出口的多个第一通道和具有多个对应的第二出口的多个第二通道，其中至少一个第一通道和至少一个第二通道被配置成使得流出所述第一出口的气体的滞止压力大于流出所述第二出口的气体的滞止压力，所述多个第一通道和所述多个第二通道被混合且布置成一列，使得所述第一出口和所述第二出口形成平面图中的形状的一侧。2.如权利要求1所述的浸没光刻设备，其中所述至少一个第一通道具有第一进口，所述至少一个第二通道具有第二进口，第一比率为对应的第一出口与第一进口之间的比率，第二比率为对应的第二出口与第二进口之间的比率，所述第二比率大于所述第一比率。3.如权利要求2所述的浸没光刻设备，其中所述第一出口的横截面积大约等于或小于对应的第一进口的横截面积，所述第二出口的横截面积大约等于或大于对应的第二进口的横截面积。4.如权利要求3所述的浸没光刻设备，其中，第二通道的横截面积从第二进口到第二出口单调地增大。5.如权利要求3或4所述的浸没光刻设备，其中所述第二通道形成从所述第二进口到第二出口的截头体形。6.如权利要求3、4或5所述的浸没光刻设备，其中所述第二通道的多个侧与通过所述通道的主轴之间的角度在大约0.5°和7°之间。7.如权利要求3至6中任一项所述的浸没光刻设备，其中第二通道包括第一部分和第二部分，所述第一部分具有沿着所述第一部分的长度大致均匀的横截面积，所述第二部分具有沿着所述第二部分的长度大致均匀的横截面积，其中所述第二部分的横截面积大于第一部分的横截面积。8.如权利要求2所述的浸没光刻设备，其中所述第一通道具有所述第一进口，所述第二通道具有所述第二进口，所述第一进口的横截面积大于第一出口的横截面积，所述第二出口具有与所述第二进口大致相同的横截面积。9.如权利要求8所述的浸没光刻设备，其中所述第一通道的横截面积从所述第一进口到所述第一出口单调地减小。10.如权利要求8或9所述的浸...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·H·E·C·尤姆麦伦，G·L·加托比焦，J·C·P·梅尔曼，H·H·A·雷姆彭斯，于淼，C·M·诺普斯，R·奥利斯拉格斯，A·乌卢肯，T·W·波莱，P·J·W·斯普鲁伊藤伯格，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL