光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法技术

一种用于从被配置为支撑衬底的支撑台卸载衬底的方法，该方法包括：经由支撑台中的多个气流开口向支撑台的基面与衬底之间的间隙供应气体，其中在初始卸载阶段期间，通过支撑台的外部区域中的至少一个气流开口而不是通过支撑台的在外部区域的径向向内的中央区域中的任何气流开口来供应气体，并且在随后卸载阶段期间，通过外部区域中的至少一个气流开口和中央区域中的至少一个气流开口来供应气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于装载衬底的方法相关申请的交叉引用本参考要求于2016年2月8日和2016年6月2日提交的EP16154599.1和EP16172678.1的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及光刻设备、用于卸载衬底的方法和用于将衬底特别地装载到用于光刻设备的支撑台上的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。例如，光刻设备可以用于制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以使用图案化装置(替代地称为掩模或掩模版)来生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的部分)上。图案的转移通常经由到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的成像来进行。通常，单个衬底将包含连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描仪，在步进器中，通过一次性将整个图案暴露到目标部分上来照射每个目标部分，在扫描仪中，通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时在与该方向平行或反平行的方向上扫描衬底来照射每个目标部分。还可以通过将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于从被配置为支撑衬底的支撑台卸载所述衬底的方法，所述方法包括：经由所述支撑台中的多个气流开口向所述支撑台的基面与所述衬底之间的间隙供应气体，其中在初始卸载阶段期间，所述气体通过所述支撑台的外部区域中的至少一个气流开口而不是通过所述支撑台的在所述外部区域的径向向内的中央区域中的任何气流开口来被供应，以及在随后卸载阶段期间，所述气体通过所述外部区域中的至少一个气流开口和所述中央区域中的至少一个气流开口来被供应。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.08 EP 16154599.1;2016.06.02 EP 16172678.11.一种用于从被配置为支撑衬底的支撑台卸载所述衬底的方法，所述方法包括：经由所述支撑台中的多个气流开口向所述支撑台的基面与所述衬底之间的间隙供应气体，其中在初始卸载阶段期间，所述气体通过所述支撑台的外部区域中的至少一个气流开口而不是通过所述支撑台的在所述外部区域的径向向内的中央区域中的任何气流开口来被供应，以及在随后卸载阶段期间，所述气体通过所述外部区域中的至少一个气流开口和所述中央区域中的至少一个气流开口来被供应。2.根据权利要求1所述的方法，其中：在所述初始卸载阶段期间，所述气体通过所述外部区域中的至少一个气流开口而不是通过所述中央区域中的任何气流开口和所述支撑台的在所述外部区域的径向向内并且在所述中央区域的径向向外的中间区域中的任何气流开口来被供应，在中间卸载阶段期间，所述气体通过所述外部区域中的至少一个气流开口和所述中间区域中的至少一个气流开口而不是通过所述中央区域中的任何气流开口来被供应，以及在所述随后卸载阶段期间，所述气体通过所述外部区域中的至少一个气流开口、所述中间区域中的至少一个气流开口和所述中央区域中的至少一个气流开口来被供应。3.根据权利要求2所述的方法，其中：在所述中间卸载阶段期间，通过所述中间区域中的至少一个气流开口以大于环境压力的第一压力来供应气体，接着通过所述中间区域中的至少一个气流开口以小于所述第一压力的第二压力来供应气体。4.一种用于将衬底装载到被配置为支撑所述衬底的支撑台上的方法，所述方法包括：经由所述支撑台中的多个气流开口从所述支撑台的基面与所述衬底之间的间隙中抽取气体，其中在第一装载阶段期间，所述气体通过所述支撑台的中央区域中的至少一个气流开口而不是通过所述支撑台的在所述中央区域的径向向外的中间区域中的任何气流开口和所述支撑台的在所述中间区域的径向向外的外部区域中的任何气流开口来被抽取，在第二装载阶段期间，所述气体通过所述中央区域中的至少一个气流开口和所述中间区域中的至少一个气流开口而不是通过所述外部区域中的任何气流开口来被抽取，以及在第三装载阶段期间，所述气体通过所述中央区域中的至少一个气流开口、所述中间区域中的至少一个气流开口和所述外部区域中的至少一个气流开口来被抽取。5.根据权利要求4所述的方法，其中：在所述第一装载阶段期间，大于环境压力的压力下的气体通过所述中间区域中的至少一个气流开口和/或所述外部区域中的至少一个气流开口来被供应。6.根据权利要求4或5所述的方法，其中：当所述衬底正朝向所述支撑台降低时，所述气体通过所述中央区域中的至少一个气流开口、所述中间区域中的至少一个气流开口和所述外部区域中的至少一个气流开口来被抽取；当所述衬底到达所述支撑台上方预定距离时，所述气体不通过所述中央区域中的任何气流开口、所述中间区域中的任何气流开口和所述外部区域中的任何气流开口来被抽取；以及当所述衬底已向下接触到所述支撑台上时，执行所述第一装载阶段、所述第二装载阶段和所述第三装载阶段。7.根据权利要求2至6中任一项所述的方法，其中：所述中间区域围绕所述中央区域；或者所述中间区域包括多个非交叠中间子区域，在所述多个非交叠中间子区域之间气体的流动被限制；和/或所述外部区域围绕所述中间区域。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中所述外部区域包括多个非交叠外部子区域，在所述多个非交叠外部子区域之间气体的流动被限制。9.一种用于将衬底装载到被配置为支撑所述衬底的支撑台上的方法，所述方法包括：朝向所述支撑台降低所述衬底；当所述衬底正朝向所述支撑台降低时，控制负压源施加负压以便经由所述支撑台中的多个气流开口从所述支撑台的基面与所述衬底之间的间隙中抽取气体，当所述衬底到达所述支撑台上方预定距离时，控制所述负压源停止施加与所述支撑台中的所述气流开口中的任何气流开口流体连通的负压；以及当所述衬底已向下接触到所述支撑台上时，控制所述负压源重新开始施加负压以便经由所述支撑台中的所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·B·热因克，R·F·J·马腾斯，Y·K·M·德沃斯，R·P·C·范多斯特，G·A·滕布林克，D·J·A·森登，C·H·M·巴尔蒂斯，J·J·H·格里特曾，J·M·卡姆明加，E·W·帕西蒂，T·波伊兹，A·C·沙伊贝利希，B·D·肖尔滕，A·施雷伊德，A·A·索伊硕特，S·A·特罗普，Y·J·G·范德威杰费，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL