辐射源制造技术

本发明专利技术提供了一种辐射源，包括：贮存器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮存器流体连接，配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料的流；激光器，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述流上，以在使用中产生用于产生辐射的等离子体；和污染物过滤器组件，定位在辐射源的燃料流路中且在喷嘴出口的上游，污染物过滤器组件的过滤介质被通过由至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体提供的夹持力保持在污染物过滤器组件内的适合位置上。

radiation source

The present invention provides a radiation source, including: a memory configured to hold a volume of fuel; a nozzle, connected with a reservoir fluid, configured to guide the flow of fuel along a path toward the plasma forming position; and a laser configured to direct laser radiation to the flow at the plasma forming position. To produce a plasma for producing radiation in use; and a pollutant filter assembly positioned in the fuel flow path of the radiation source and upstream of the nozzle outlet, the filter medium of the pollutant filter assembly is maintained in contamination by a clamping force provided by at least part of one or more objects surrounding the filter medium. Suitable location in the filter assembly.

【技术实现步骤摘要】
辐射源本申请是于2012年9月14日递交的、申请号为“201210342390.1”、专利技术名称为“辐射源”的中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及辐射源，所述辐射源适合于结合光刻设备使用或形成光刻设备的一部分，且尤其涉及流体流生成器。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现：通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在5-20nm范围内的电磁辐射，例如波长在13-14nm范围内。还已经提出可以使用波长小于10nm的EUV辐射，例如波长在5-10nm范围内，例如6.7nm或6.8nm的波长。这样的辐射被用术语极紫外辐射或软x-射线辐射表示。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光和用于容纳等离子体的源收集器模块。等离子体可以例如通过引导激光束至燃料来产生，燃料例如可以是合适的燃料材料(例如锡，其当前被认为是最受期望的材料，且因此可能是EUV辐射源的选择方案)的颗粒(即，液滴)，或合适的气体或蒸汽的束，例如氙气或锂蒸汽。所形成的等离子体辐射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括包围结构(例如外壳或腔)，所述包围结构布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。在可替代的系统(其还可以采用使用激光)中，可以通过使用放电形成的等离子体来产生辐射，例如放电产生等离子体(DPP)源。一些LPP辐射源产生连续的燃料液滴流。在这样的系统中，辐射源包括用于朝向等离子体形成位置引导燃料液滴的喷嘴。液滴需要以高的精度引导至等离子体形成位置，用于确保激光束可以被朝向液滴引导且与液滴接触。然而，为了实现其，燃料应当穿过喷嘴，而不遇到任何不被预期或不是有意安排的障碍或限制。这样的障碍或限制可能由沉积到喷嘴的内表面上的燃料中的污染物造成。污染物可能导致被喷嘴引导的液滴流不具有一种或更多种需要的性质，例如期望的轨迹或期望的液滴尺寸、形状或频率。结果，这可能导致辐射源作为整体不像预期的那样发挥作用。例如，系统可能不能产生辐射，或者可能不能产生所需强度的辐射或产生辐射持续所需的持续时间。虽然已经关于用在LPP辐射源中的喷嘴描述了上述的问题，但是可能其他流体(例如液体)流生成器(液滴或连续)的喷嘴遇到同样的问题或类似的问题，例如用在喷墨和/或(熔融的)金属印刷或类似物中的喷嘴。另外，所述问题不限于包括液滴的流，这是因为在将产生连续的流时将可能会遇到同样的或类似的问题。
技术实现思路
因此，所需要的是消除或减轻不被预期的或不是有意安排的障碍或限制的影响的有效系统和方法，其是燃料中的污染物沉积到喷嘴的内表面上的结果，诸如用在LPP辐射源中的喷嘴。在本专利技术的一实施例中，提供了一种辐射源，包括：贮存器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮存器流体连接，用于沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料的流。辐射源还包括激光器，所述激光器配置成在等离子体形成位置处将激光辐射引导到所述流上，以产生用于产生辐射的等离子体；和污染物过滤器组件，定位在辐射源的燃料流路中且在喷嘴出口的上游，其中污染物过滤器组件的过滤介质被通过由至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体提供的夹持力保持在污染物过滤器组件内的适合位置上。在一实施例中，过滤介质可以通过已经被收缩配合成围绕过滤介质且施加夹持力至过滤介质的一个或更多的物体而被保持在适合的位置上。在一实施例中，所述一个或更多的围绕物体可以是下述中的一个或更多个或它们的组合：污染物过滤器组件中的部件；污染物过滤器组件的进口；污染物过滤器组件的出口；污染物过滤器组件的过滤介质外壳；和/或用于运送燃料的导管。在一实施例中，所述过滤介质可以是或可以包括下述中的一个或更多个：陶瓷材料；为氧化锆或包括氧化锆的陶瓷材料；为氧化铝或包括氧化铝的陶瓷材料；为碳化硅或包括碳化硅的陶瓷材料；和/或为氮化硅或包括氮化硅的陶瓷材料。根据本专利技术的一实施例中，提供了一种流体流生成器，包括：贮存器，配置成保持一体积的流体；喷嘴，与贮存器流体连接，用于沿着一轨迹引导流体流。流体流生成器还包括污染物过滤器组件，所述污染物过滤器组件定位在流体流生成器的流体流路中且在喷嘴出口的上游，其中污染物过滤器组件的过滤介质被通过由至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体所提供的夹持力保持在污染物过滤器组件内的适合位置上。根据本专利技术一实施例，提供了一种方法：将过滤介质包含到流体流生成器的污染物过滤器组件中。所述方法包括：利用在污染物过滤器组件的使用期间将至少部分地围绕过滤介质且保持夹持力的一个或更多的物体将过滤介质夹持在合适位置上。在一实施例中，所述方法可以包括：加热在污染物过滤器组件的使用期间将至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体，用于使得所述一个或更多的物体膨胀至允许过滤介质定位在一位置上的程度，由此所述一个或更多的物体围绕过滤介质。所述方法包括将过滤介质定位在所述位置上；和冷却或允许冷却围绕过滤介质的一个或更多的物体，使得至少部分地围绕过滤介质的所述一个或更多的物体将夹持力施加到过滤介质。在一实施例中，所述加热步骤需要使所述一个或更多的物体膨胀以将所述介质定位在前述的位置上，所述加热步骤可以是加热至超过过滤器的操作温度的温度，使得在过滤器的操作期间保持夹持力。根据本专利技术的一实施例，提供了一种用于从流体流生成器过滤器的污染物过滤器组件移除过滤介质的方法，所述过滤介质由至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体被保持在过滤器组件内的合适位置上。另外，所述方法包括移除由至少部分地围绕过滤介质的所述一个或更多的物体所提供的夹持力；和移除未被夹持的过滤介质。在一实施例中，所述方法可以包括步骤：加热至少部分地围绕过滤介质的一个或更多的物体，用于使得所述一个或更多的物体膨胀至允许移除过滤介质的程度；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种辐射源，包括：流体流生成器，所述流体流生成器包括贮存器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮存器流体连接，配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料的流；激光辐射组件，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述燃料的流上，以产生用于产生辐射的等离子体；和污染物过滤器组件，定位在辐射源的燃料流路中且在喷嘴出口的上游，所述污染物过滤器组件包括过滤介质和过滤介质外壳，其中过滤介质被所述污染物过滤器组件的进口或出口或过滤介质外壳通过所述过滤介质和所述进口或出口或过滤介质外壳之间的收缩配合提供的夹持力保持在污染物过滤器组件内的适合位置上，所述污染物过滤器组件的进口或出口或过滤介质外壳至少部分地围绕过滤介质并与过滤介质接触，所述燃料是熔融的金属，过滤介质具有第一部分和第二部分，所述第一部分被夹持在进口或出口或过滤介质外壳处，所述第二部分的外径小于污染物过滤器组件的外壳的内径以在过滤介质和污染物过滤器组件之间产生间隙，所述过滤介质包括陶瓷材料，所述进口、所述出口和所述过滤介质外壳中施加夹持力的相应的一者具有与过滤介质接触的内表面；且所述内表面包括陶瓷。

【技术特征摘要】
2011.09.23 US 61/538,6801.一种辐射源，包括：流体流生成器，所述流体流生成器包括贮存器，配置成保持一体积的燃料；喷嘴，与贮存器流体连接，配置成沿着朝向等离子体形成位置的轨迹引导燃料的流；激光辐射组件，配置成将激光辐射引导到在等离子体形成位置处的所述燃料的流上，以产生用于产生辐射的等离子体；和污染物过滤器组件，定位在辐射源的燃料流路中且在喷嘴出口的上游，所述污染物过滤器组件包括过滤介质和过滤介质外壳，其中过滤介质被所述污染物过滤器组件的进口或出口或过滤介质外壳通过所述过滤介质和所述进口或出口或过滤介质外壳之间的收缩配合提供的夹持力保持在污染物过滤器组件内的适合位置上，所述污染物过滤器组件的进口或出口或过滤介质外壳至少部分地围绕过滤介质并与过滤介质接触，所述燃料是熔融的金属，过滤介质具有第一部分和第二部分，所述第一部分被夹持在进口或出口或过滤介质外壳处，所述第二部分的外径小于污染物过滤器组件的外壳的内径以在过滤介质和污染物过滤器组件之间产生间隙，所述过滤介质包括陶瓷材料，所述进口、所述出口和所述过滤介质外壳中施加夹持力的相应的一者具有与过滤介质接触的内表面；且所述内表面包括陶瓷。2.根据权利要求1所述的辐射源，其中污染物过滤器组件的进口或出口和过滤介质外壳彼此收缩配合。3.根据前述权利要求中任一项所述的辐射源，其中所述过滤介质包括下述中的一个或更多个：陶瓷材料；包括氧化锆的陶瓷材料；包括氧化铝的陶瓷材料；包括碳化硅的陶瓷材料；或包括氮化硅的陶瓷材料。4.根据权利要求1或2所述的辐射源，其中所述污染物过滤器组件定位在贮存器和喷嘴出口之间。5.根据权利要求1或2所述的辐射源，其中过滤介质至少部分地沿着基本上平行于燃料流的方向的方向延伸。6.根据权利要求1或2所述的辐射源，其中陶瓷浆或聚酰亚胺密封定位在过滤介质和一个或更多的围绕物体中间。7.根据权利要求1或2所述的辐射源，其中过滤介质的平均孔尺寸小于或等于20μm。8.根据权利要求7所述的辐射源，其中过滤介质的平均孔尺寸小于或等于5μm。9.根据权利要求8所述的辐射源，其中过滤介质的平均孔尺寸小于或等于1μm。10.一种流体流生成器，包括：贮存器，配置成保持一体积的流体；喷嘴，与贮存器流体连接，且配置成沿着一轨迹引导流体的流；污染物过滤器组件，定位在流体流生成器的流体流路中且在喷嘴出口的上游，所述污染物过滤器组件包括过滤介质和过滤介质外壳，其中所述过滤介质被配置成通过由污染物过滤器组件的进口或出口或过滤介质外壳通过所述过滤介质和所述进口或出口或过滤介质外壳之间的收缩配合提供的夹持力保持在污染物过滤器组件内的适合位置上，所述污染物过滤器组件的进口或出口或过滤介质外壳至少部分地围绕过滤介质并与过滤介质接触，所述流体是熔融的金属，且所述过滤介质具有第一部分和第二部分，所述第一部分被夹持在进口或出口或过滤介质外壳处，所述第二部分的外径小于污染物过滤器组件的外壳的内径以在过滤介质和污染物过滤器组件之间产生间隙，所述过滤介质包括陶瓷材料，所述进口、所述出口和所述过滤介质外壳中施加夹持力的相应的一者具有与过滤介质接触的内表面；且所述内表面包括陶瓷。11.根据权利要求10所述的流体流生成器，其中污染物过滤器组件的进口或出口和所述过滤介质外壳彼此收缩配合。12.根据权利要求10或11所述的流体流生成器，其中所述污染物过滤器组件定位在贮存器和喷嘴出口之间。13.根据权利要求10、11或12所述的流体流生成器，其中过滤介质至少部分地沿着基本上平行于流体流的方向的方向延伸。14.根据权利要求10或11所述的流体流生成器...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·范德埃克，A·T·W·凯姆彭，A·C·库普尔斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL