颗粒抑制系统和方法技术方案

光刻设备可以包括调节辐射束(B)的照射系统(IL)、具有第一表面(426)的第一固定板(412)、以及与所述第一固定板一起限定第一腔室(404)的掩模版平台。所述掩模版平台在所述第一腔室中支撑掩模版(402)，所述掩模版平台包括与所述第一固定板的第二表面隔开的第一表面(424)，由此限定配置成抑制从第二腔室(406)到第一腔室的污染物体的量的第一间隙(414)。所述第一固定板位于所述掩模版平台与所述照射系统和所述投影系统(PS)之间，所述投影系统被配置成将图案形成装置赋予辐射束的图案投射到衬底上。

Particle suppression system and method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】颗粒抑制系统和方法相关应用的交叉引用本申请要求于2017年7月28日提交的美国临时专利申请62/538,191的优先权，该专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及在例如光刻中使用例如颗粒捕集器和颗粒屏障的颗粒抑制。
技术介绍
光刻设备是一种将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将被替代地被称作掩模或掩模版的图案形成装置用来产生待形成于IC的单个层上的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。光刻被广泛地认为是在IC以及其它器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻所制成的特征的尺寸变得更小，光刻变为用于实现小型IC或其它器件和/或结构的更具决定性的因素。图案打印极限的理论估计能够通过瑞利(Raylei本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻设备，包括：/n照射系统，被配置成调节辐射束；/n第一固定板，限定第一开口并且包括第一表面；以及/n掩模版平台，与所述第一固定板一起限定第一腔室，其中：/n所述掩模版平台被配置成在所述第一腔室中支撑掩模版，和/n所述掩模版平台包括与所述第一固定板的第二表面间隔开的第一表面，由此限定介于第二腔室与所述第一腔室之间的第一间隙，和/n所述第一间隙被配置成抑制从所述第二腔室传递到所述第一腔室的污染物的量；以及/n投影系统，被配置成将由所述图案形成装置赋予辐射束的图案投影到衬底上，/n其中，所述第一固定板位于所述掩模版平台与所述照射系统和所述投影系统之间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170728 US 62/538,1911.一种光刻设备，包括：
照射系统，被配置成调节辐射束；
第一固定板，限定第一开口并且包括第一表面；以及
掩模版平台，与所述第一固定板一起限定第一腔室，其中：
所述掩模版平台被配置成在所述第一腔室中支撑掩模版，和
所述掩模版平台包括与所述第一固定板的第二表面间隔开的第一表面，由此限定介于第二腔室与所述第一腔室之间的第一间隙，和
所述第一间隙被配置成抑制从所述第二腔室传递到所述第一腔室的污染物的量；以及
投影系统，被配置成将由所述图案形成装置赋予辐射束的图案投影到衬底上，
其中，所述第一固定板位于所述掩模版平台与所述照射系统和所述投影系统之间。


2.根据权利要求1所述的光刻设备，其中，所述第一间隙还被配置成维持所述第一腔室的压力与所述第二腔室的压力之间的压力差。


3.根据权利要求1所述的光刻设备，还包括配置成将气体注入所述第一腔室的第一气体入口。


4.根据权利要求3所述的光刻设备，其中，所述气体入口设置在掩模版平台上，掩模版平台包括所述气体入口。


5.根据权利要求3所述的光刻设备，其中所述气体入口设置在第一固定板上。


6.根据权利要求3所述的光刻设备，还包括：
封装结构，在所述第一固定板与所述照射系统和所述投影系统之间延伸；
其中，所述封装结构围封所述辐射束从所述照射系统到所述掩模版、然后到投影系统的路径；
其中，封装结构包括：
第二气体入口，被配置成将气体注入由所述封装结构限定的体积中，和
介于所述气体入口与所述第一固定板之间的气体排放装置，所述气体排放装置被配置成从由封装结构所限定的所述体积中除去气体；并且
其中，所述第一气体入口、所述第二气体入口和所述气体排放装置被共同配置为产生：
介于所述第一固定板与所述气体排放装置之间的第一区域，所述第一区域包括流向所述气体排放装置的气体，由此抑制从所述第一区域到所述第一腔室的污染物的量，
介于所述气体排放装置与所述第二气体入口之间的第二区域，所述第二区域包括流向所述气体排放装置的气体，由此抑制从所述第一腔室到所述照射系统和所述投影系统的污染物的量，以及
介于(a)所述第二气体入口与(b)所述照射系统和所述投影系统之间的第三区域，所述第三区域包括流经所述照射系统和所述投影系统的气体，由此抑制从所述照射系统和所述投影系统传递到所述第三区域的污染物的量。


7.根据权利要求6所述的光刻设备，其中所述封装结构包括多个间隔开的段，所述多个间隔开的段在相邻的段之间形成间隙。


8.根据权利要求7所述的光刻设备，还包括第二固定板，所述第二固定板限定位于(a)所述第一固定板与(b)照射系统和投影系统两者之间的第二开口，使得所述封装结构穿过所述第二开口。


9.根据权利要求8所述的光刻设备，还包括位于所述第一固定板与所述第二固定板之间并且在由所述封装结构所限定的体积之外的静电除尘器。


10.根据权利要求8所述的光刻设备，其中，形成于所述封装结构的相邻段之间的所述间隙每个具有第一配置和第二配置，所述第一配置具有第一有效间隙高度，所述第二配置具有不同...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄仰山，M·J·L·布恩，HK·尼恩惠斯，J·布林克特，理查德·J·布鲁尔斯，P·C·科奇斯珀格，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，ASML控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL