【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量测方法和设备以及计算机程序背景相关申请的交叉引用本申请要求于2017年7月28日提交的欧洲申请17183849.3和于2017年12月21日提交的美国申请62/609,111的优先权，这些申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及用于例如可在通过光刻技术进行的器件制造中使用的量测的方法和设备，以及涉及使用光刻技术来制造器件的方法。
技术介绍
光刻设备为将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在所述情况下，图案形成装置(其被替代地称作掩模或掩模版)可以用以产生要形成在IC的单个层上的电路图案。可以将这种图案转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的一部分、一个管芯或若干个管芯)上。典型地通过成像至设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案转印。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻的目标部分的网络。在光刻过程中，频繁地期望对产生的结构进行测量，例如，用于过程控制和验证。用于进行这些测量的各种工具是已知的，...
【技术保护点】
1.一种测量过程效应参数的方法，所述过程效应参数与用于在衬底上制造集成电路的制造过程相关，所述方法包括以下步骤：/n针对一结构，根据与至少第一组测量条件相关的一组测量值确定品质度量的至少一个第一品质度量值，使得每个测量值与不同的测量条件相关；/n针对所述结构，根据至少一个测量值确定所述品质度量的第二品质度量值，所述至少一个测量值与至少一个测量条件相关；和/n使用所述第一品质度量值和所述第二品质度量值计算所述过程效应参数的过程效应参数值。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170728 EP 17183849.3;20171221 US 62/609,1111.一种测量过程效应参数的方法，所述过程效应参数与用于在衬底上制造集成电路的制造过程相关，所述方法包括以下步骤：
针对一结构，根据与至少第一组测量条件相关的一组测量值确定品质度量的至少一个第一品质度量值，使得每个测量值与不同的测量条件相关；
针对所述结构，根据至少一个测量值确定所述品质度量的第二品质度量值，所述至少一个测量值与至少一个测量条件相关；和
使用所述第一品质度量值和所述第二品质度量值计算所述过程效应参数的过程效应参数值。
2.根据权利要求1所述的方法，其中计算过程效应参数值的步骤包括计算所述第一品质度量值与所述第二品质度量值之间的差。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中
在消除或减轻所述过程效应参数对所述一组测量值的影响的同时执行所述第一品质度量值的确定，
在未消除或减轻所述过程效应参数对所述至少一个测量值的影响的情况下执行对所述等第二品质度量值的确定。
4.根据权利要求3所述的方法，包括：
确定一组所述第一品质度量值，所述第一品质度量值中的每个第一品质度量值是根据不同的一组测量值被确定的，所述不同的一组测量值中的每个测量值与不同的测量条件相关；
根据一对所述第一品质度量值之间的差确定监测度量参数值；和
使用所述监测度量参数值来监测所述第一品质度量值和/或所述第二品质度量值的有效性。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述一对第一品质度量值中的每个第一品质度量值是根据不同数量的测量值被确定的。
6.根据权利要求5所述的方法，其中用以确定所述一对第一品质度量值中的一个第一品质度量值的测量值是用以确定所述一对第一品质度量值中的另一第一品质度量值的测量值的子集。
7.根据权利要求4、5或6所述的方法，包括执行初始校准，所述初始校准包括：
确定所述品质度量的参考值；
针对测量条件的多个不同组合计算所述品质度量的校准值；
将具有与所述参考值最密切地最佳地匹配的对应的校准值的测量条件的组合确定为测量条件的优选组合；和
从测量条件的所述优选组合中选择测量条件的优选子集。
8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中所述品质度量为重叠，并且其中可选地，所述结构包括重叠目标。
9.根据任一前述权利要求所述的方法，其中用于确定所述第一品质度量值...
【专利技术属性】
技术研发人员：马克·约翰尼斯·努特，S·G·J·马西森，K·巴塔查里亚，边珍武，金贤洙，张源宰，T·D·戴维斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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