用于确定图案化过程参数的方法技术

一种方法包括：使用第一量测选配方案测量使用图案化过程处理的衬底上的量测目标的多个第一示例，以确定所述图案化过程的至少一个参数的值，所述第一量测选配方案用于将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射；以及使用第二量测选配方案测量同一衬底上的量测目标的不同的多个第二示例，以确定所述图案化过程的至少一个参数的值，所述第二量测选配方案用于将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射，其中，在将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射的至少一个特性方面，所述第二量测选配方案与所述第一量测选配方案不同。

A method for determining the parameters of the patterning process

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于确定图案化过程参数的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年8月14日递交的EP申请17186137.0的优先权，该EP申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本说明书涉及用于确定过程的参数(诸如重叠)的方法和装置，该过程例如用于在衬底上产生图案，并且所确定的参数可以用于设计、监测、调整等与处理有关的一个或多个变量。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于制造例如集成电路(IC)或者被设计为功能性的其它器件。在这种情况下，图案化装置(其可替代地被称为掩模或掩模版)可以用于产生待形成于被设计为功能性的器件的单层上的电路图案。可以将此图案转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或多个管芯)上。通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转移。通常，单一衬底将包括连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每一个目标部分；以及所谓的扫描仪，其中，通过在给定本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n使用第一量测选配方案测量使用图案化过程处理的衬底上的量测目标的多个第一示例，以确定所述图案化过程的至少一个参数的值，所述第一量测选配方案用于将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射；以及/n使用第二量测选配方案测量同一所述衬底上的量测目标的不同的多个第二示例，以确定所述图案化过程的至少一个参数的值，所述第二量测选配方案用于将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射，其中，在将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射的至少一个特性方面，所述第二量测选配方案与所述第一量测选配方案不同。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170814 EP 17186137.01.一种方法，包括：
使用第一量测选配方案测量使用图案化过程处理的衬底上的量测目标的多个第一示例，以确定所述图案化过程的至少一个参数的值，所述第一量测选配方案用于将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射；以及
使用第二量测选配方案测量同一所述衬底上的量测目标的不同的多个第二示例，以确定所述图案化过程的至少一个参数的值，所述第二量测选配方案用于将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射，其中，在将辐射施加到所述量测目标的示例并检测来自所述量测目标的示例的辐射的至少一个特性方面，所述第二量测选配方案与所述第一量测选配方案不同。


2.如权利要求1所述的方法，其中，在所使用的辐射的波长方面，所述第二量测选配方案与所述第一量测选配方案不同。


3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，在所使用的辐射的偏振方面，所述第二量测选配方案与所述第一量测选配方案不同。


4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在衬底旋度、聚焦水平和/或所使用的入射测量束辐射分布方面，所述第二量测选配方案与所述第一量测选配方案不同。


5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述量测目标在名义物理配置下具有几何对称性，其中，结构的与所述名义物理配置不同的物理配置导致所检测到的表示中的非对称光学特性分布，并且至少一个图案化过程参数中的至少一个参数测量所述物理配置的变化。

【专利技术属性】
技术研发人员：A·齐亚托马斯，E·G·麦克纳马拉，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL