清除工具、光刻装置以及器件制造方法制造方法及图纸

描述了一种清除工具，该清除工具被配置成使用激光束从物体的目标区域至少部分地去除掩模层。清除工具包括阻挡构件，该阻挡构件被配置成布置在包含目标区域的物体的表面上方，并且被配置成将液体包含在紧邻目标区域或围绕目标区域的空间中。

Cleaning tools, lithography devices and device manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清除工具、光刻装置以及器件制造方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年08月23日提交的欧洲专利申请17187611.3的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及一种可以用于促进光刻装置的操作的清除工具、光刻装置、处理衬底的方法以及操作光刻装置的方法。
技术介绍
光刻装置是将期望的图案施加到衬底上，通常施加到衬底的目标部分上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。在该情况下，可以将图案形成装置(备选地称为掩模或掩模版)用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个，几个或几个管芯的一部分)上。图案的转移通常是通过成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上的。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上来照射每个目标部分；并且包括所谓的扫描仪，其中通过辐射束扫描图案来照射每个目标部分。在给定方向(“扫描”方向)上进行同步扫描，同时同步扫描平行或反平行于该方向的衬底。通过将图案压印到衬底上，也可以将图案从图案形成装置转移到衬底上。已经提出将光刻投影装置中的衬底浸没在具有相对较高的折射率的液体(例如水)中，以便填充投影系统的最终元件和衬底之间的空间。在一个实施例中，液体是蒸馏水，尽管可以使用另一液体。将参考液体描述本专利技术的实施例。然而，另一流体可能是合适的，特别是润湿流体、不可压缩流体和/或具有比空气高的折射率(理想地，具有比水高的折射率)的流体。不包括气体的流体是特别理想的。这样做的目的是使能较小特征的成像，因为曝光辐射在液体中将具有较短的波长。(液体的作用还可以被视为增加系统的有效数值孔径(NA)并且增加焦深。)已经提出了其他浸没液体，包括其中悬浮有固体颗粒(例如石英)的水，或具有纳米颗粒悬浮液的液体(例如，具有上至10nm的最大尺寸的颗粒)。悬浮颗粒与其悬浮在其中的液体可以具有或可以不具有相似或相同的折射率。其他合适的液体包括烃，诸如芳族化合物、氟代烃和/或水溶液。将衬底或衬底和衬底台浸没液体浴中(例如，参见美国专利号4509852)意味着在扫描曝光期间必须加速大量液体。这需要附加的或更强大的电机，并且液体中的湍流可能导致不良和不可预测的影响。在浸没装置中，浸没流体由液体处理系统、装置结构或装置处理。在一个实施例中，液体处理系统可以供应浸没流体，并且因此可以是流体供应系统。在一个实施例中，液体处理系统可以至少部分地限制浸没流体，并且因此是流体限制系统。在一个实施例中，液体处理系统可以提供对浸没流体的阻挡，并且因此是诸如流体限制结构的阻挡构件。在一个实施例中，液体处理系统可以产生或使用气体流，例如以帮助控制浸没流体的流量和/或位置。气体流可形成密封件以限制浸没流体，因此该流体处理结构可以被称为密封构件；这种密封构件可以是流体限制结构。在一个实施例中，将浸没液体用作浸没流体。在该情况下，液体处理系统可以是液体处理系统。参考前面的描述，在本段中对相对于流体定义的特征的参考可以被理解为包括相对于液体定义的特征。重复多次由光刻装置执行的图案化工艺，从而生成由例如具有不同的结构的不同的层构成的半导体结构。为了半导体器件的适当操作，用于图案化施加在衬底上的抗蚀剂层的图案化的辐射束需要与之前施加的图案正确地对准。为了在不同的层上对准图案，对准传感器利用光学方法检测在之前的层上的对准标记的位置。然而，在一些情况下，也被施加在对准标记之上的所施加的抗蚀剂层可能使对准标记模糊。结果，对准传感器可能难以确定对准标记的准确位置。为了促进对被抗蚀剂层覆盖的对准标记的检测，已经提出了使用激光来至少部分地去除存在对准标记的区域中的抗蚀剂层。然而，这种激光烧蚀工艺可能在烧蚀过程期间中引起碎片或颗粒。这种颗粒或碎片可能难以从衬底去除，并且随后可能不利地影响由光刻装置执行的曝光过程。
技术实现思路
期望提供一种清除工具，由此所产生的碎片更容易被包含或去除。根据本专利技术的一个方面，提供一种清除工具，该清除工具被配置成使用激光束从物体的目标区域至少部分地去除掩模层，清除工具包括阻挡构件，该阻挡构件被配置成布置在包含目标区域的物体的表面上方，并且被配置成将液体包含在紧邻目标区域或围绕目标区域的空间中。根据本专利技术的另一方面，提供一种光刻装置，包括：-照明系统，被配置成调节辐射束；-支撑件，被构造成支撑图案形成装置，图案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予该辐射束以形成图案化的辐射束；-衬底台，被构造成保持衬底；以及-投影系统，被配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，其中该装置还包括根据本专利技术的清除工具。根据本专利技术的另一方面，提供一种光刻装置，包括：-照明系统，被配置成调节辐射束；-支撑件，被构造成支撑图案形成装置，图案形成装置能够在辐射束的横截面上将图案赋予该辐射束以形成图案化的辐射束；-衬底台，被构造成保持衬底；以及-投影系统，被配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上，液体处理系统，用于将液体包含在投影系统的最终元件与衬底之间的空间中，并且其中该装置被配置成：通过经由投影系统将激光束投影到目标区域上而从衬底的目标区域至少部分地去除掩模层，液体处理系统被配置成将液体包含在紧邻目标区域或围绕目标区域的空间中。根据本专利技术的另一方面，提供一种器件制造方法，包括将图案化的辐射束投影到衬底上，其中将图案化的辐射束投影到衬底上的步骤在使用根据本专利技术的清除工具，从衬底上的目标区域至少部分地去除掩模层的步骤之前或之后应用。附图说明现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本专利技术的实施例，在附图中，对应的附图标记指示对应的部分，并且其中：图1描绘了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置。图2和图3描绘了用在光刻投影装置中的一个液体供应系统。图4描绘了用在光刻投影装置中的另一液体供应系统。图5描绘了用在光刻投影装置中的另一液体供应系统。图6描绘了用在光刻投影装置中的液体供应系统的平面图。图7以图6中的线VII-VII的横截面描绘了图6的液体供应系统。图8示意性地示出了根据本专利技术的一个实施例的清除工具。图9示意性地示出了根据本专利技术的清除工具的两个可能的阻挡构件的俯视图。图10和图11示意性地示出了根据本专利技术的实施例的清除工具。图12示意性地示出了可以应用在根据本专利技术的清除工具中的密封件的横截面图。图13示意性地示出了根据本专利技术的另一实施例的清除工具。图14示意性地示出了根据本专利技术的又一个实施例的清除工具。图15示意性地示出了可以应用在根据本专利技术的清除工具中的清洁工具。具体实施方式图1示意性地描绘了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置。该装置包括：-照明系统(照明器)IL，被配置成调节辐射束B(例如，UV辐射或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种清除工具，所述清除工具被配置成使用激光束从物体的目标区域至少部分地去除掩模层，所述清除工具包括阻挡构件，所述阻挡构件被配置成布置在包含所述目标区域的所述物体的表面上方，并且被配置成将液体包含在紧邻所述目标区域或围绕所述目标区域的空间中。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170823 EP 17187611.31.一种清除工具，所述清除工具被配置成使用激光束从物体的目标区域至少部分地去除掩模层，所述清除工具包括阻挡构件，所述阻挡构件被配置成布置在包含所述目标区域的所述物体的表面上方，并且被配置成将液体包含在紧邻所述目标区域或围绕所述目标区域的空间中。


2.根据权利要求1所述的清除工具，还包括激光器，所述激光器被配置成将所述激光束投影到所述目标区域上，以凭借激光烧蚀工艺从所述目标区域至少部分地去除所述掩模层。


3.根据权利要求2所述的清除工具，其中所述阻挡构件包括：
-进口，被配置成将所述液体提供到所述空间中，以及
-出口，被配置成从所述空间排出所述液体和由所述激光烧蚀工艺产生的碎片。


4.根据权利要求3所述的清除工具，其中所述液体包括水。


5.根据权利要求3或4所述的清除工具，其中所述工具被配置成在所述激光烧蚀工艺期间，基本连续地将所述液体提供到所述空间中，并且从所述空间中排出所述液体和碎片。


6.根据权利要求1至5中的任一项所述的清除工具，其中所述阻挡构件包括对所述激光束透明的盖。


7.根据前述权利要求中任一项所述的清除工具，其中所述液体具有比空气更高的粘度。


8.根据前述权利要求中的任一项所述的清除工具，其中所述阻挡构件具有用于将所述液体提供到所述空间中的管状进口，并且其中所述管状进口沿基本垂直于所述阻挡构件的底部表面的方向延伸。


9.根据权利要求8所述的清除工具，其中所述激光束通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：YS·黄，A·B·热因克，B·L·W·M·范德文，V·沃洛尼纳，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL