公开了控制图案化过程的方法。在一种布置中，获得从对穿过衬底上的结构的目标层的蚀刻路径中的倾斜的测量得到的倾斜数据。该倾斜表示蚀刻路径的方向与目标层的平面的垂直线偏离。倾斜数据被用于控制用于在另外的层中形成图案的图案化过程。

公开了一种对准互补衍射图案对的方法，该互补衍射图案对包括第一互补衍射图案和第二互补衍射图案，该互补衍射图案对通过对由光刻过程形成的结构执行量测过程而获得。该方法包括：至少执行精细对准阶段，以对准互补衍射图案对。对准阶段包括：对检测器区域...

提供了用于估计光刻过程的参数的设备和方法，以及用于确定光刻过程的参数的估计的品质低劣强度之间的关系的设备和方法。在用于估计参数的设备中，处理器被配置成基于在被测试衬底的至少第一特征的特征不对称性的测量并且还基于针对表示所述被测试衬底的至...

一种光刻装置，包括用于提供辐射束的照射系统，用于支撑图案形成装置的支撑结构，该图案形成装置用来在该辐射束的横截面向其施加以图案，用于保持衬底的衬底台，用于将图案化辐射束投影到该衬底的目标部分上的投影系统，和被配置为跨该辐射束的横截面改变...

本发明提供了一种用于确定重叠的方法。该方法包括获得涉及第一目标集合的初始重叠估计和关于第二目标集合的数据，其中针对目标的数据包括针对不同波长的组中的每一个波长的该目标的强度测量。该方法进一步包括使用该初始重叠估计对涉及第二目标集合的数据...

一种方法包括：确定由光刻设备的集合中的每个光刻设备引起的像差；计算光刻设备的调整，该调整将由每个光刻设备引起的像差之间的差最小化；以及将该调整应用于光刻设备来提供由光刻设备投影的图案的像差之间较佳的匹配。

本公开描述了一种用于确定与半导体器件衬底(110)中的至少一个目标对准标记(114)有关的信息的设备(160)。所述目标对准标记(114)最初至少部分被衬底(110)上的不透明的碳或金属层(120)遮挡。所述设备(160)包括能量传递系...

一种控制系统配置成调整束或辐射的波前。所述控制系统具有限定所述束的传播路径的一部分的一对反射镜。所述反射镜中的每个反射镜具有轮廓化的反射表面，其配置成造成束的波前的变化。所述反射镜被定位成这样的方式：使所述反射镜相对于彼此旋转从而能够调...

本文公开了一种设备，包括：被配置为发射带电粒子的源、光学系统和台架；其中台架被配置为在其上支撑样本并且被配置为将样本在第一方向上移动第一距离；其中光学系统被配置为利用带电粒子在样本上形成探测点；其中光学系统被配置为在台架将样本在第一方向...

描述了一种光学系统(OS)，该光学系统(OS)用于将辐射束(B)聚焦在量测装置中的关注区域上。辐射束(B)包括在软X射线或极紫外光谱范围中的辐射。光学系统(OS)包括用于将辐射束聚焦在中间聚焦区域的第一级(S1)。光学系统(OS)包括用...

此处公开了一种形成在衬底上的目标，所述目标包括：对准结构；和量测结构；其中所述对准结构包括被布置成当用源辐射照射所述对准结构时产生拍频图案的结构。有利地，当照射所述目标时，在所述目标的图像中出现的拍频图案允许使用图案识别技术容易地识别出...

一种方法，包括：使用第一方向上具有线性偏振的辐射照射量测目标的结构；接收从该结构重定向到偏振元件的辐射，其中偏振元件具有与第一方向成一定角度的偏振分离轴；以及使用传感器系统测量重定向辐射的光学特性。

一种方法，包括：针对一个或多个测量质量参数，评估与使用图案化过程所处理的衬底的量测目标的测量相关联的多个偏振特性；并且基于测量质量参数中的一个或多个测量质量参数，从多个偏振特性中选择一个或多个偏振特性。

一种光刻设备包括：投影系统，配置成投影图案化辐射束以在衬底上形成曝光区域；冷却设备，在使用时位于所述衬底上方并且邻近于所述曝光区域，所述冷却设备配置成在使用期间从所述衬底去除热量；等离子体容器，位于所述冷却设备下方且所述等离子体容器的开...

公开了用于在带电粒子束装置中实施带电粒子浸没的系统和方法。根据特定实施例，带电粒子束系统包括带电粒子源和控制器，控制器控制带电粒子束系统以第一模式和第二模式发射带电粒子束，在第一模式中束被散焦，而在第二模式中束被聚焦在样本的表面上。

一种电子束设备包括：用于生成电子束的电子光学系统；用于将样本保持在目标位置，使得样本的目标部分被电子束照射的载物台；以及用于将载物台相对于电子束移位的定位装置。定位装置包括台架致动器和平衡质量体。台架致动器将力施加到载物台上来使得载物台...

公开了一种测量光刻装置的焦点性能的方法以及对应的图案化设备和光刻装置。该方法包括使用光刻装置印刷一个或多个第一印刷结构和第二印刷结构。第一印刷结构通过具有第一非远心度的照射印刷，而第二印刷结构通过具有不同于所述第一非远心度的第二非远心度...

一种方法包括：获得用于训练设计图案(5000)的在空间上移位版本的光学邻近校正；和使用关于所述训练设计图案的在空间上移位版本的数据(5051；5053)以及基于用于所述训练设计图案的在空间上移位版本的光学邻近校正的数据(5041；504...

一种确定对变迹测量的传感器贡献的方法。该方法包括：当孔处于具有第一孔直径的第一配置中时，将辐射束引导穿过孔，第一孔直径小于辐射束的直径；在传感器处接收辐射束；获得由传感器在传感器的第一区域中所检测的辐射量的第一测量，其中辐射束没有入射在...

通过图案化步骤、物理处理步骤和化学处理步骤的组合，在衬底上形成多层产品结构。检查设备照射多个目标结构并捕获表示由每个目标结构散射的辐射的角度分布的光瞳图像(802)。目标结构具有相同的设计，但是被形成在不同衬底上和/或在衬底上的不同位置...