【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】控制图案化过程的方法、设备制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年9月18日提交的欧洲申请17191525.9的优先权,并且其通过引用整体并入本文中。
本说明书涉及一种控制图案化过程的方法和一种设备制造方法。
技术介绍
光刻装置是将期望图案应用到衬底上(通常应用到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以例如被使用在集成电路(IC)或被设计为有一定功能的其他设备的制造中。在那种情况下,备选地被称为掩模或标线的图案化设备可以用于生成要被形成在被设计为有一定功能的设备的个体层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括一个或若干裸片的部分)上。对图案的转移通常经由到被提供在衬底上的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)上的成像。一般,单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括:所谓的步进机,在该步进机中,每个目标部分通过一次将整个图案暴露到目标部分上而被辐照;以及所谓的扫描器,在该扫描器中,每个目标部分通过如下而被照射:在给定方向上通过辐射束扫描图案,同时同步地平 ...
【技术保护点】
1.一种控制图案化过程的方法,包括:/n获得从对穿过衬底上的结构的目标层的蚀刻路径中的倾斜的测量得到的倾斜数据,所述倾斜表示所述蚀刻路径的方向与所述目标层的平面的垂直线的偏离;以及/n使用所述倾斜数据来控制用于在另外的层中形成图案的图案化过程。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170918 EP 17191525.91.一种控制图案化过程的方法,包括:
获得从对穿过衬底上的结构的目标层的蚀刻路径中的倾斜的测量得到的倾斜数据,所述倾斜表示所述蚀刻路径的方向与所述目标层的平面的垂直线的偏离;以及
使用所述倾斜数据来控制用于在另外的层中形成图案的图案化过程。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述图案化过程包括蚀刻过程,并且所述倾斜数据被用于控制所述蚀刻过程。
3.根据权利要求2所述的方法,其中对所述蚀刻过程的所述控制在通过所述蚀刻过程在所述目标层上方的层中的图案的形成期间被应用。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其中对所述蚀刻过程的所述控制在通过所述蚀刻过程在所述结构的随后形成的实例中或上的层中的图案的形成期间被应用。
5.根据权利要求2至4中的任一项所述的方法,其中对所述蚀刻过程的所述控制包括控制以下中的一项或多项:跨衬底的热图案、在所述蚀刻过程中使用的等离子中的化学浓度图案、在所述蚀刻过程期间围绕衬底的电场图案、在所述蚀刻过程期间应用到一个或多个电极的电压。
6.根据权利要求1所述的方法,其中:
所述图案化过程包括光刻图案转移步骤,在所述光刻图案转移步骤中,图案化设备被用于在辐射束的横截面中将图案赋予所述辐射束,以限定要由所述光刻图案转移步骤转移的图案;并且
所述倾斜数据被用于控制所述光刻图案转移步骤。
7.根据权利要求6所述的方法,其中对...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·范唐根,E·G·麦克纳马拉,P·C·欣南,M·乔彻姆森,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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