【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻设备调整方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年9月4日提交的欧洲申请17189220.1的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及可以被用来调整光刻设备的方法。
技术介绍
光刻设备是将期望的图案施加到衬底的目标部分上的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，将图案形成装置，其也被称为掩模或掩模版，可以被用来生成与IC的单独层相对应的电路图案，并且该图案可以被成像到衬底(例如，硅晶片)上目标部分(例如，包括一个或多个管芯的一部分)上，该目标部分具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层。通常，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。用于制作集成电路的半导体制备厂将包括许多(通常在10至50之间)光刻设备。半导体衬底(其可以被称为晶片)被串联地曝光于不同的图案，以便在衬底上形成多个经图案化的层。经图案化的层的数量通常可以是30或更多。每个被投影的图案与被投影到先前层上的图案对准。这确保了由各层形成的结构正确地彼此连接。如果各层未对准，则在衬底上形成的集成电路将无法正常...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n确定由光刻设备的集合中的每个光刻设备引起的像差；/n计算所述光刻设备的调整，所述调整将由所述光刻设备中的每个光刻设备引起的所述像差之间的差最小化；以及/n将所述调整应用于所述光刻设备。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170904 EP 17189220.11.一种方法，包括：
确定由光刻设备的集合中的每个光刻设备引起的像差；
计算所述光刻设备的调整，所述调整将由所述光刻设备中的每个光刻设备引起的所述像差之间的差最小化；以及
将所述调整应用于所述光刻设备。
2.根据权利要求1所述的方法，其中计算所述光刻设备的调整使用评价函数。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中计算所述光刻设备的调整使用优化算法。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述优化算法是进化算法、遗传算法或模拟退火算法。
5.根据权利要求3或4所述的方法，其中所述优化算法在所述调整的计算期间修改所述评价函数。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中计算所述光刻设备的调整包括：计算由所有的所述光刻像差引起的像差的平均值；确定性能最差的光刻设备；然后计算所述性能最差的光刻设备的调整，所述性能最差的光刻设备的所述调整使得由所述性能最差的光刻设备引起的像差更接近所述平均值。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中相对于所述方法被使用之前由至少一个光刻设备引起的平均像差，所计算的所述调整增加了由所述至少一个光刻设备引起的平均像差。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中所述方法在所述光刻设备的设置期间被应用，并且其中所述像差经由在所述光刻设备的设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：P·弗里斯克，G·艾姆波内特，J·R·唐斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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