光刻装置和方法制造方法及图纸

一种光刻装置，包括用于提供辐射束的照射系统，用于支撑图案形成装置的支撑结构，该图案形成装置用来在该辐射束的横截面向其施加以图案，用于保持衬底的衬底台，用于将图案化辐射束投影到该衬底的目标部分上的投影系统，和被配置为跨该辐射束的横截面改变该辐射束的波长的波长调制器。

Lithography apparatus and method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻装置和方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年09月11日提交的EP申请17190330.5的优先权，并且其通过引用而全文结合于此。
本专利技术涉及一种光刻装置和设备制造方法。
技术介绍
光刻装置是将所期望图案应用于衬底的目标部分之上的机器。光刻装置例如可以在集成电路(IC)的制造中使用。在该情形中，可替换地被称作掩模(mask)或掩模版(reticle)的图案形成装置可以被用来生成与IC的个体层相对应的电路图案，并且该图案可以被成像到衬底(例如，硅晶片)上具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的目标部分上(例如，包括一个或多个裸片的部分)。一般而言，单个衬底将包含被连续曝光的相邻目标部分的网络。已知光刻装置包括所谓的步进器(stepper)，其中每个目标部分通过在一次进程中将整个图案曝光到每个目标部分上而对该目标部分进行辐射，以及所谓的扫描器(scanner)，其中通过给定方向(“扫描”方向)的光束扫描图案，同时与该方向平行或反向平行地扫描衬底，而对每个目标部分进行辐射。衬底通常被配置为基本上是平坦的，从而跨衬底的曝光表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻系统，包括：/n辐射源，其中所述辐射源包括被配置为生成辐射束的激光腔；/n用于提供所述辐射束的照射系统；/n用于支撑图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置用来在所述辐射束的横截面向其施加以图案；/n用于保持衬底的衬底台；/n投影系统，用于将图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上；以及/n波长调制器，操作地用于依据以下至少一项而改变波长：/n所述图案化辐射束的横截面内的位置；和/n所述图案化辐射束在所述衬底的所述目标部分上的位置。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170911 EP 17190330.51.一种光刻系统，包括：
辐射源，其中所述辐射源包括被配置为生成辐射束的激光腔；
用于提供所述辐射束的照射系统；
用于支撑图案形成装置的支撑结构，所述图案形成装置用来在所述辐射束的横截面向其施加以图案；
用于保持衬底的衬底台；
投影系统，用于将图案化辐射束投影到所述衬底的目标部分上；以及
波长调制器，操作地用于依据以下至少一项而改变波长：
所述图案化辐射束的横截面内的位置；和
所述图案化辐射束在所述衬底的所述目标部分上的位置。


2.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述波长调制器包括声光调制器。


3.根据权利要求2所述的光刻系统，其中所述声光调制器包括多个换能器，所述多个换能器被配置为在所述声光调制器的不同分段中生成具有不同频率的声波。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的光刻系统，其中所述光刻系统进一步包括：
形貌测量系统，被配置为测量所述衬底的高度图，并且输出指示所述高度图的信号；
处理器，被配置为从所述形貌测量系统接收所述信号，并且确定所述投影系统的焦平面的形状变化，以及输出指示所述投影系统的所述焦平面的所述形状变化的信号；和
控制器，被配置为从所述处理器接收所述信号，并且控制所述波长调制器，从而应用所述投影系统的所述焦平面的所确定的形状变化。


5.根据权利要求1所述的光刻系统，其中所述波长调制器包括位于所述激光腔中的可移动光学元件。


6.根据权利要求5所述的光刻系统，其中所述可移动光学元件是可变形的。


7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·巴特勒，R·E·范利尤文，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL