用于估计重叠的方法技术

本发明专利技术提供了一种用于确定重叠的方法。该方法包括获得涉及第一目标集合的初始重叠估计和关于第二目标集合的数据，其中针对目标的数据包括针对不同波长的组中的每一个波长的该目标的强度测量。该方法进一步包括使用该初始重叠估计对涉及第二目标集合的数据进行滤波，并且使用经滤波的数据来估计衬底上的重叠。

Method for estimating overlap

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于估计重叠的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年09月08日提交的EP申请17190064.0的优先权，并且该EP申请通过引用全文结合于此。
本专利技术涉及用于估计重叠的方法、系统和程序。
技术介绍
光刻装置是将所期望图案应用于衬底上——通常是应用到衬底的目标部分上——的机器。光刻装置例如可以用于集成电路(IC)的制造中。在该实例中，可替换地被称作掩模(mask)或掩模版(reticle)的图案形成装置可以被用来生成要在IC的个体层上形成的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个裸片的部分)上。图案的转移通常是经由到衬底上提供的一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的成像来实现的。一般而言，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知光刻装置包括所谓的步进器(stepper)，其中通过一次将整个图案曝光到目标部分上而对每个该目标部分进行辐射，以及所谓的扫描器(scanner)，其中通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描通过图案，而同步地与该方向平行或反向平行地扫描衬底来对每个目标本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于估计衬底上的重叠的方法，所述方法包括：/n获得涉及第一目标集合的初始重叠估计；/n获得关于第二目标集合的数据，其中针对目标的数据包括针对不同波长的组中的每一个波长的所述目标的强度测量；/n使用所述初始重叠估计来选择针对所述第二目标集合中的至少一个目标的波长的子组；并且/n使用涉及针对所述第二目标集合中的所述至少一个目标的所述波长的子组的数据来估计所述衬底上的重叠。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170908 EP 17190064.01.一种用于估计衬底上的重叠的方法，所述方法包括：
获得涉及第一目标集合的初始重叠估计；
获得关于第二目标集合的数据，其中针对目标的数据包括针对不同波长的组中的每一个波长的所述目标的强度测量；
使用所述初始重叠估计来选择针对所述第二目标集合中的至少一个目标的波长的子组；并且
使用涉及针对所述第二目标集合中的所述至少一个目标的所述波长的子组的数据来估计所述衬底上的重叠。


2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：获得关于所述第一目标集合的数据，并且将线性模型拟合至关于所述第一目标集合的数据，其中所述针对目标的数据包括所述目标在不同波长的组中的每个波长下的强度测量，并且根据所述线性模型所描述的梯度确定所述初始重叠估计。


3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：针对所述第一目标集合中的目标，确定针对所述波长的组中的每个波长的所述线性模型的偏移值，其中所述偏移值表示由于所述目标的物理缺陷对所述重叠的贡献。


4.根据权利要求3所述的方法，其中确定针对所述第一目标集合中的所述目标的每个波长的平均偏移值，并且将所述平均偏移值存储为参考信息，并且通过将涉及针对所述第二目标集合的所述波长的子组的数据与所述参考信息相比较，来估计所述衬底上的重叠。


5.根据权利要求4所述的方法，其中通过比对所述参考信息来执行针对所述第二目标集合的所述波长的子组的偏移值的最佳拟合分析，来实施所述比较，以确定所述拟合的残差，并且所估计的重叠对应于所计算的最小残差。


6.根据之前权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一目标集合位于所述衬底的第一区域，并且所述第二目标集合位于所述衬底的第二区域。


7.根据之前权利要求中任一项所述的方法，其中所述第一区域基本上位于所述衬底的中心，并且所述第二区域基本上位于所述衬底的边缘周围。


8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第一区域是处于距所述衬底的中心大约小于或等于130nm的距离之内的区域，并且所述第二区域是具有距所述衬底的所述中心大于大约130nm的距离的区域。


9.根据权利要求1至5中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·斯塔杰，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL